公开(公告)号：CN100444318C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN03805027.7

申请日：2003-01-21

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·吉斯伦 ,  O·雷萨克

IPC: H01L21/18 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/187 ,  H01L21/7602 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/0029

Abstract: 本发明提供一种制备以包括第一层如薄层(22)的半导体为基础的组件(10、12、22、30)的工艺。该工艺包括以下步骤：只在两层之一(22)上形成界面层(26)，使其上形成界面层的层与另一暴露层彼此接触，选择所述界面层(26)作为暴露层中的材料的函数，以便形成键合界面，可以在暴露于预定范围内的温度之后在应力作用下分离该键合界面。本发明还可以应用于电子、光电或光学领域的可与支座分离的衬底的制造。

公开(公告)号：CN100399511C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510084283.3

申请日：2001-11-26

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·吉斯朗

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供了一种衬底的制造方法，所述方法是用于制造光学器件、电子器件或光电器件的衬底，该方法的特征在于它包括以下步骤：在粘合界面中通过分子粘合把籽晶层(2)迁移到支撑(12)上；在该籽晶层上外延地生长工作层(16)；将加强的支撑直接粘合在所述工作层(16)上；删除所述支撑(12)；该支撑(12)由热膨胀系数是工作层(16)的系数0.7到3倍的材料构成，而且籽晶层适合于调节支撑(12)和工作层(16)的热膨胀。

公开(公告)号：CN1826433A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480021175.5

申请日：2004-07-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·富尔

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/762 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种制造外延生长层(6)的方法、外延生长支承体(9，9’)及其制造方法。该方法的非凡之处在于其包括下列步骤：1)在支承衬底(1)中注入原子种类以便在其中划定一个脆弱区域，该区域将薄支承层(13)与所述衬底的剩余部分(11)划分开；b)将薄成核层(23)转移到所述薄支承层(13)上；c)沿所述脆弱区域分离所述剩余部分(11)，但同时使薄支承层(13)与所述剩余部分(11)保持接触；d)在所述成核层(23)上通过外延生长形成所述外延生长层(6)；和e)从薄支承层(13)上移除剩余部分(11)。应用于光学、光电子学或电子学领域。

公开(公告)号：CN1771583A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN03805027.7

申请日：2003-01-21

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·吉斯伦 ,  O·雷萨克

IPC: H01L21/18 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/187 ,  H01L21/7602 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/0029

Abstract: 本发明提供一种制备以包括第一层如薄层(22)的半导体为基础的组件(10、12、22、30)的工艺。该工艺包括以下步骤：只在两层之一(22)上形成界面层(26)，使其上形成界面层的层与另一暴露层彼此接触，选择所述界面层(26)作为暴露层中的材料的函数，以便形成键合界面，可以在暴露于预定范围内的温度之后在应力作用下分离该键合界面。本发明还可以应用于电子、光电或光学领域的可与支座分离的衬底的制造。

公开(公告)号：CN102088163B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201010508579.4

申请日：2010-10-13

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明涉及具有InGaN层的半导体器件。本发明还涉及一种制造垂直光电结构的方法，包括以下步骤：a)提供第一衬底和形成在第一衬底上的InGaN晶种层的堆叠；b)在InGaN晶种层上生长InGaN层，以便获得衬底上InGaN结构；c)形成覆盖InGaN层的表面的第一反光镜层；d)分离第一衬底；以及e)形成覆盖InGaN的相对表面的第二反光镜层。

公开(公告)号：CN101355013A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810098657.0

申请日：2008-06-05

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： C·阿雷纳 ,  F·勒泰特

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L23/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10T117/10 ,  Y10T156/1044

Abstract: 本发明涉及一种制备无排除区的外延用结构的工艺，外延用复合结构包括支撑衬底上的至少一层半导体材料的晶体生长籽晶层，支撑衬底和晶体生长籽晶层各自在其结合面的外围包括倒角或边缘倒圆区。该工艺包含至少一步的将晶体生长籽晶层直接结合到支撑衬底的的晶片结合步骤和至少一步的晶体生长籽晶层的减薄步骤，所述的晶体生长籽晶层在减薄后具有与其初始直径相同的直径。

公开(公告)号：CN100393922C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200480021175.5

申请日：2004-07-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： F·勒泰特 ,  B·富尔

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/762 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种制造外延生长层(6)的方法、外延生长支承体(9，9’)及其制造方法。该方法的非凡之处在于其包括下列步骤：1)在支承衬底(1)中注入原子种类以便在其中划定一个脆弱区域，该区域将薄支承层(13)与所述衬底的剩余部分(11)划分开；b)将薄成核层(23)转移到所述薄支承层(13)上；c)沿所述脆弱区域分离所述剩余部分(11)，但同时使薄支承层(13)与所述剩余部分(11)保持接触；d)在所述成核层(23)上通过外延生长形成所述外延生长层(6)；和e)从薄支承层(13)上移除剩余部分(11)。应用于光学、光电子学或电子学领域。