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    11.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2915318B1

    公开(公告)日：2009-07-17

    申请号：FR0702873

    申请日：2007-04-20

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： BOEUF FREDERIC

    IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

    Abstract: A process for realizing an integrated electronic circuit makes it possible to obtain transistors with p-type conduction and transistors with n-type conduction, in respective active zones having crystal orientations adapted to each conduction type. In addition, each active zone is electrically insulated from a primary substrate of the circuit, so that the entire circuit is compatible with SOI technology.

    Dispositif optoélectronique
    14.
    发明专利
    Dispositif optoélectronique 未知

    公开(公告)号：FR3111015A1

    公开(公告)日：2021-12-03

    申请号：FR2005573

    申请日：2020-05-27

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BOEUF FREDERIC ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146

    Abstract: Dispositif optoélectronique La présente description concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant un empilement : - d'un premier étage (14) comprenant des premières photodiodes configurées pour fonctionner dans une première gamme de longueurs d'onde ; et - d'un deuxième étage (16) comprenant des deuxièmes photodiodes configurées pour fonctionner dans une deuxième gamme de longueurs d'onde, le premier étage étant situé entre des rayonnements (12) adaptés à être reçus par le dispositif et le deuxième étage (16), les portions du premier étage situées entre le deuxième étage et les rayonnements étant en des matériaux transparents aux longueurs d'onde de la première gamme de longueurs d’onde. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    Puce de circuit intégré photonique
    15.
    发明专利
    Puce de circuit intégré photonique 未知

    公开(公告)号：FR3094502A1

    公开(公告)日：2020-10-02

    申请号：FR1903064

    申请日：2019-03-25

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SRL

    Inventor： BOEUF FREDERIC ,  MAGGI LUCA

    IPC: G02B6/26 ,  B82Y20/00 ,  H01L23/522 ,  H01L25/00

    Abstract: Puce de circuit intégré photonique La présente description concerne une puce (1000) de circuit intégré photonique comprenant : une pluralité de coupleurs (18) à réseau de diffraction verticale définis dans une première couche semiconductrice (10) ou isolante surmontée d'une structure d'interconnexion (24) comprenant plusieurs niveaux de métal (M1, M2, M3, M4) noyés dans des deuxièmes couches isolantes (28A, 28B) ; et une cavité (200) s'étendant en profondeur à travers les deuxièmes couches isolantes (28A, 28B) jusqu'à un niveau intermédiaire entre les coupleurs (18) et le niveau de métal (M1) le plus proche des coupleurs (18), la cavité ayant des dimensions latérales telles que la cavité est adaptée à recevoir un bloc de maintien (302) d'un réseau de fibres optiques (304) destinées à être couplées optiquement avec les coupleurs (18). Figure pour l'abrégé : Fig. 3

    Modulateur de phase
    17.
    发明专利
    Modulateur de phase 未知

    公开(公告)号：FR3100082A1

    公开(公告)日：2021-02-26

    申请号：FR1909284

    申请日：2019-08-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： CREMER SEBASTIEN ,  BOEUF FREDERIC ,  MONFRAY STEPHANE

    IPC: H01L21/70 ,  G02B6/00 ,  G02B26/06 ,  G02F1/01

    Abstract: Modulateur de phase La présente description concerne un procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un guide d'onde (100) en un premier matériau, le guide d'onde étant configuré pour guider un signal optique ; b) former une couche (106) en un deuxième matériau conducteur électriquement et transparent à une longueur d'onde du signal optique, les étapes a) et b) étant mises en oeuvre de manière que la couche (106) en le deuxième matériau soit en contact d'au moins une des faces du guide d'onde (100), ou soit séparée de ladite au moins une des faces par une distance inférieure à la moitié, de préférence au quart, de la longueur d'onde du signal optique. La demande concerne en outre un modulateur de phase, notamment obtenu par un tel procédé. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    DISPOSITIF PHOTONIQUE INTEGRE A COUPLAGE OPTIQUE AMELIORE
    18.
    发明专利
    DISPOSITIF PHOTONIQUE INTEGRE A COUPLAGE OPTIQUE AMELIORE 未知

    公开(公告)号：FR3051561B1

    公开(公告)日：2019-07-12

    申请号：FR1654523

    申请日：2016-05-20

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BOEUF FREDERIC ,  BAUDOT CHARLES

    IPC: G02B6/10 ,  G02B6/122 ,  G02B6/24

    Abstract: Structure intégrée photonique tridimensionnelle comprenant un premier substrat semi-conducteur (22) incorporant au moins un premier guide d'ondes (24), un deuxième substrat semi-conducteur (32) incorporant au moins un deuxième guide d'ondes (34), et au moins une région intermédiaire (INT) située entre les deux substrats et comportant au moins une couche diélectrique (23), le deuxième substrat (3) comportant au moins un coupleur optique (36) configuré pour recevoir un signal lumineux (L1), et le premier substrat (2) et ladite au moins une couche diélectrique (23) comportant un élément réflecteur (26) situé en dessous et en regard dudit au moins un coupleur à réseau (36) et apte à réfléchir au moins une partie dudit signal lumineux (L1).

    20.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2877141B1

    公开(公告)日：2007-01-19

    申请号：FR0452432

    申请日：2004-10-25

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  BOEUF FREDERIC

    IPC: H01L21/225 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

    Abstract: A method for forming silicon-germanium in the upper portion of a silicon substrate, including the steps of: depositing a germanium layer doped at a concentration in dopant elements greater than 10 19 atoms per cm 3 on a silicon substrate; heating to have the germanium diffuse into the silicon substrate to form a doped silicon-germanium layer in the upper portion of the silicon substrate; and eliminating the germanium layer.

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