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公开(公告)号：FR3105581B1
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：FR1914885
申请日：2019-12-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： TOURNIER ARNAUD , RODRIGUES GONCALVES BORIS , LALANNE FREDERIC
Abstract: Photodiode comprenant une zone mémoire La présente description concerne une photodiode comprenant au moins une zone mémoire (104), chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage (106), les régions de stockage de charges étant reliées par des première (116) et deuxième (281) ouvertures. Figure pour l'abrégé : Fig. 9
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公开(公告)号：FR3096855B1
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：FR1905868
申请日：2019-06-03
Inventor： MALINGE PIERRE , LALANNE FREDERIC , SIMONY LAURENT
IPC: H04N5/353 , H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: Capteur d'image et son procédé de commande La présente description concerne un capteur d'image comprenant des pixels (1) comportant chacun :un premier transistor (118) et un premier interrupteur (120) connectés en série entre un premier noeud (124) d'application d'un potentiel (VD) et un noeud (122) interne du pixel, une grille du premier transistor (118) étant couplée à un noeud (106) de diffusion flottant du pixel ;un élément capacitif (110) dont une première borne est connectée au noeud de diffusion flottant du pixel ; et plusieurs ensembles (A, B) comprenant chacun une capacité (128) connectée en série avec un deuxième interrupteur (130) reliant la capacité au noeud interne (122),le capteur comprenant en outre un circuit (150) configuré pour, lors de chaque mémorisation d'une tension dans un des ensembles (A, B) d'un pixel, commander une augmentation d'une valeur déterminée d'une différence de potentiel entre le noeud de diffusion flottant et le noeud interne du pixel. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3095720A1
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：FR1904587
申请日：2019-04-30
Inventor： RAYNOR JEFF M , LALANNE FREDERIC , MALINGE PIERRE
IPC: H01L27/146
Abstract: Pixels de capteur d’image présentant un pas réduit La présente description concerne un capteur d’image comprenant des premier et second pixels (PIX#1, PIX#2), dans lequel un ou plusieurs transistors (M11, M21, M31) du premier pixel partagent une région active (406) avec un ou plusieurs transistors (M12, M22, M32) du second pixel. Figure pour l'abrégé : Fig. 4
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公开(公告)号：FR2976121A1
公开(公告)日：2012-12-07
申请号：FR1154735
申请日：2011-05-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： BARBIER FREDERIC , LALANNE FREDERIC
IPC: H01L27/148 , H04N5/355 , H04N5/3745
Abstract: Procédé de commande d'un pixel (Pix) comprenant au moins un premier et un second photosites (P1, P3) comportant chacun une photodiode (PPD1, PPD3) et un transistor de transfert de charges TG1, TG3), un nœud de lecture (SN) et une électronique de lecture communs à tous les photosites. Le procédé comprend une accumulation de charges photogénérées dans la photodiode (PPD1) du premier photosite (P1) pendant une première période, une accumulation de charges photogénérées dans la photodiode (PPD3) du second photosite (P3) pendant une seconde période plus courte que la première période, une sélection du signal correspondant à la quantité de charges accumulées dans la photodiode d'un photosite ayant l'intensité non saturée la plus élevée ou bien une transmission d'un signal de saturation, et une numérisation du signal sélectionné.
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公开(公告)号：FR3105581A1
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：FR1914885
申请日：2019-12-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： TOURNIER ARNAUD , RODRIGUES GONCALVES BORIS , LALANNE FREDERIC
Abstract: Photodiode comprenant une zone mémoire La présente description concerne une photodiode comprenant au moins une zone mémoire (104), chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage (106), les régions de stockage de charges étant reliées par des première (116) et deuxième (281) ouvertures. Figure pour l'abrégé : Fig. 9
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公开(公告)号：FR3096855A1
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：FR1905868
申请日：2019-06-03
Inventor： MALINGE PIERRE , LALANNE FREDERIC , SIMONY LAURENT
IPC: H04N5/353 , H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: Capteur d'image et son procédé de commande La présente description concerne un capteur d'image comprenant des pixels (1) comportant chacun :un premier transistor (118) et un premier interrupteur (120) connectés en série entre un premier noeud (124) d'application d'un potentiel (VD) et un noeud (122) interne du pixel, une grille du premier transistor (118) étant couplée à un noeud (106) de diffusion flottant du pixel ;un élément capacitif (110) dont une première borne est connectée au noeud de diffusion flottant du pixel ; et plusieurs ensembles (A, B) comprenant chacun une capacité (128) connectée en série avec un deuxième interrupteur (130) reliant la capacité au noeud interne (122),le capteur comprenant en outre un circuit (150) configuré pour, lors de chaque mémorisation d'une tension dans un des ensembles (A, B) d'un pixel, commander une augmentation d'une valeur déterminée d'une différence de potentiel entre le noeud de diffusion flottant et le noeud interne du pixel. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：FR2971887A1
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：FR1151318
申请日：2011-02-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： MICHELOT JULIEN , ROY FRANCOIS , LALANNE FREDERIC
IPC: H01L27/146
Abstract: Photosite comprenant dans un substrat (10) semi-conducteur une photodiode (20) pincée dans la direction de la profondeur du substrat (10) comportant une zone de stockage de charges (30), et un transistor de transfert de charges (TG) apte à transférer les charges stockées. La zone de stockage de charge (30) comprend au moins un pincement selon une première direction passant par le transistor de transfert de charges (TG) définissant au moins une zone d'étranglement (90) adjacente au transistor de transfert de charges (TG).
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