公开(公告)号：FR2881416B1

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：FR0550276

申请日：2005-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ABELE NICOLAS ,  ANCEY PASCAL ,  TALBOT ALEXANDRE ,  SEGUENI KARIM ,  BOUCHE GUILLAUME ,  SKOTNICKI THOMAS ,  MONFRAY STEPHANE ,  CASSET FABRICE

IPC: B81B3/00 ,  H03H3/007

Abstract: The microresonator has a resonant unit (160) made from monocrystalline silicon, and activation electrodes (120, 121) positioned close to the resonant unit. The unit (160) is placed in an opening in a semiconductor layer (110) that covers a substrate (100). The electrodes (120, 121) are formed in the layer and leveled with the opening. The unit (160) is in the shape of mushroom whose leg is fixed on the substrate. An independent claim is also included for a method of fabricating a microresonator.

公开(公告)号：FR2881416A1

公开(公告)日：2006-08-04

申请号：FR0550276

申请日：2005-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ABELE NICOLAS ,  ANCEY PASCAL ,  TALBOT ALEXANDRE ,  SEGUENI KARIM ,  BOUCHE GUILLAUME ,  SKOTNICKI THOMAS ,  MONFRAY STEPHANE ,  CASSET FABRICE

IPC: B81B3/00 ,  H03H3/007

Abstract: L'invention concerne un microrésonateur comprenant un élément résonant (160) en silicium monocristallin et au moins une électrode d'activation (120, 121) placée à proximité de l'élément résonant, dans lequel l'élément résonant est placé dans une ouverture d'une couche semiconductrice (110) recouvrant un substrat (100), l'électrode d'activation étant formée dans la couche semiconductrice et affleurant au niveau de l'ouverture.

公开(公告)号：FR3009653B1

公开(公告)日：2015-08-07

申请号：FR1357913

申请日：2013-08-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  ARNAUD ARTHUR ,  SKOTNICKI THOMAS ,  PUSCASU ONORIU ,  BOISSEAU SEBASTIEN

IPC: H01L27/16 ,  H01L27/142 ,  H01L35/02

公开(公告)号：FR2990301A1

公开(公告)日：2013-11-08

申请号：FR1254054

申请日：2012-05-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS ,  PUSCASU ONORIU ,  MONFRAY STEPHANE

IPC: H01L35/00 ,  H01G5/16 ,  H02N2/18

Abstract: Dispositif (2) de conversion d'énergie thermique en énergie électrique destiné à être utilisé en combinaison avec une source chaude (13) comportant : . un condensateur à capacité variable (10), comprenant deux électrodes (3, 6) séparées par un matériau électriquement isolant (5), l'une de ces électrodes (3) étant déformable et étant associée à un élément formant un bilame (4), ledit bilame (4) comprenant au moins deux couches de matériaux de coefficients de dilatation thermique différents, ledit bilame (4) étant libre de se déformer lorsqu'il est soumis à la chaleur de ladite source chaude (13); . un deuxième condensateur (8), dont une première électrode est reliée à une première électrode (3, 6) dudit condensateur à capacité variable; . un circuit de récupération (9) connecté électriquement entre la seconde électrode du condensateur à capacité variable (10) et la seconde électrode du deuxième condensateur (8), ledit circuit de récupération (9) étant apte à être traversé par le courant circulant entre lesdites secondes électrodes.

公开(公告)号：FR2969421B1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：FR1060858

申请日：2010-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS ,  MONFRAY STEPHANE

IPC: H02N1/08

公开(公告)号：FR2986908A1

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：FR1251368

申请日：2012-02-14

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： OLLIER EMMANUEL ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS ,  SOUPREMANIEN ULRICH

IPC: H01L37/00 ,  H01L23/34

Abstract: Dispositif de conversion d'énergie thermique en énergie électrique comportant des cellules (C1, C2) comprenant : - une cavité (2) dont une paroi (2.1) est destinée à être en contact avec une source de chaleur (SC) , - une cavité (4) dont une paroi (4.1) est destinée à être en contact avec une source froide (SF) , - un canal primaire (6) entre la cavité (2) et la cavité (4) transportant un fluide sous forme de gouttes liquides, le canal primaire comportant des moyens assurant le transport de gouttes de fluide liquide de la cavité (4) vers la cavité (2), - au moins un canal secondaire (8) entre la cavité (2) et la cavité (4) transportant le fluide sous forme de gaz, - un matériau piézoélectrique (10) disposé dans l'une des (2) et (4) cavités, - un fluide sous forme liquide et gazeuse confiné dans la cellule.

公开(公告)号：FR2969421A1

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：FR1060858

申请日：2010-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS ,  MONFRAY STEPHANE

IPC: H02N1/08

Abstract: 1/ Dispositif (1) de génération d'énergie électrique à partir de la chaleur dissipée par une source chaude, comportant : ▪ un condensateur (2) comprenant deux électrodes (21, 22) entre lesquelles est présent un matériau ferroélectrique (23), ledit condensateur (2) étant agencé pour être positionné pour capter tout ou partie de la chaleur dissipée par ladite source chaude ; ▪ un élément capacitif (3) dont une première électrode (32) est reliée à une première électrode (21) dudit condensateur (2); ▪ un circuit de récupération (4) interposé entre la seconde électrode (21) dudit condensateur (2) et la seconde électrode (31) de l'élément capacitif (3), et apte à être traversé par le courant circulant entre lesdites secondes électrodes (21, 31).

公开(公告)号：FR2951873B1

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：FR0957490

申请日：2009-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L37/00 ,  H01L23/34

公开(公告)号：FR2884052B1

公开(公告)日：2007-06-22

申请号：FR0550816

申请日：2005-03-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CHARBUILLET CLEMENT ,  SKOTNICKI THOMAS ,  VILLARET ALEXANDRE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: The transistor has a stack comprising a lower semiconductor portion (135) doped with N-type doping component, an intrinsic semiconductor portion (136) and an upper semiconductor portion (130) doped with P-type doping component so as to form a vertical PIN type diode. A conductive gate (181) is placed against the stack with interposition of an insulating layer (150) and has thickness less than the stack, where conductive spacers of the gate are connected to a gate terminal, and the lower and upper semiconductor portions are connected to source and drain terminals. An independent claim is also included for a method of formation of a vertical impact ionization metal oxide semiconductor transistor (IMOS) transistor.

公开(公告)号：FR3020220A1

公开(公告)日：2015-10-23

申请号：FR1453463

申请日：2014-04-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： PUSCASU ONORIU ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS ,  MAITRE CHRISTOPHE

IPC: H02N1/08

Abstract: Générateur électrique composé d'un bilame (100, 200, 300, 400) permettant la conversion d'une énergie thermique en une énergie électrique, comprenant : - une lame déformable (111, 310) comportant au moins deux couches (114, 115) dont les coefficients de dilatation thermiques sont différents, ladite lame se déformant de façon réversible entre une première position (A) située à proximité d'une source chaude (1) et une seconde position (B) située à proximité d'une source froide (2) lorsque sa température dépasse une température dite de basculement ; - des moyens de conversion de la déformation de ladite lame en une énergie électrique ; - un premier moyen magnétique (150, 350) solidaire de la lame déformable (111, 310); - un deuxième moyen magnétique (151, 351) interagissant magnétiquement avec le premier moyen magnétique (150, 350), pour modifier la valeur de la température de basculement de la lame déformable.