公开(公告)号：FR2910715B1

公开(公告)日：2009-06-26

申请号：FR0655813

申请日：2006-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： SANCHEZ YANNICK ,  HOTELLIER NICOLAS ,  INARD ALAIN

IPC: H01L31/18 ,  G02B3/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232

公开(公告)号：FR2897472B1

公开(公告)日：2008-09-05

申请号：FR0650536

申请日：2006-02-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FELLOUS CYRIL ,  HOTELLIER NICOLAS ,  AUMONT CHRISTOPHE ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: A photodetector including a photodiode formed in a semiconductor substrate and a waveguide element formed of a block of a high-index material extending above the photodiode in a thick layer of a dielectric superposed to the substrate, the thick layer being at least as a majority formed of silicon oxide and the block being formed of a polymer of the general formula R1R2R3SiOSiR1R2R3 where R1, R2, and R3 are any carbonaceous or metal substituents and where one of R1, R2, or R3 is a carbonaceous substituent having at least four carbon atoms and/or at least one oxygen atom.

公开(公告)号：FR2910715A1

公开(公告)日：2008-06-27

申请号：FR0655813

申请日：2006-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： SANCHEZ YANNICK ,  HOTELLIER NICOLAS ,  INARD ALAIN

IPC: H01L31/18 ,  G02B3/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: Procédé et appareillage pour réaliser des micro-lentilles optiques (5) sur une couche antérieure (3) d'un dispositif semi-conducteur, dans lequel on dépose une ultime couche en un matériau adapté ; on réalise des rainures croisées dans ladite couche ultime, jusqu'à ladite couche antérieure, de façon à constituer des plots espacés ; et on effectue un traitement de façon à provoquer un ramollissement desdits plots générant un fluage de ces derniers leur conférant une forme bombée et on provoque leur durcissement, dans lesquels, pour effectuer ledit traitement, on place le dispositif semi-conducteur dans la chambre d'une enceinte, à une température basse ; et on fait fonctionner des moyens de chauffage de ladite chambre, des moyens pour générer un rayonnement ultra-violet vers lesdits plots et des moyens pour générer dans ladite chambre un plasma de façon que, lors dudit fluage et dudit durcissement, les bords voisins desdits plots ne fusionnent pas.Dispositif semi-conducteur à micro-lentilles optiques comprenant des moyens anti-fusion (7) de ces micro-lentilles.

公开(公告)号：FR2902236A1

公开(公告)日：2007-12-14

申请号：FR0652068

申请日：2006-06-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HOTELLIER NICOLAS ,  FELLOUS CYRIL ,  COWACHE CHRISTOPHE ,  SANCHEZ YANNICK

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un dispositif microélectronique comprenant un dispositif de filtre de couleurs doté d'une pluralité d'éléments de filtrage dont plusieurs éléments de filtrage aptes respectivement à filtrer une première gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, plusieurs éléments de filtrage aptes respectivement à filtrer une deuxième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, plusieurs éléments de filtrage aptes respectivement à filtrer une troisième gamme de longueurs d'ondes du spectre lumineux visible, le dispositif comprenant au moins une première zone située dans une cavité (150) et comportant un premier groupement d'éléments de filtrage ayant une première dimension critique (dc1), et au moins une deuxième zone en périphérie de ladite cavité (150), comportant un deuxième groupement d'éléments de filtrage ayant une deuxième dimension critique (dc2), différente de la première dimension critique. L'invention concerne également un procédé de réalisation en couches minces d'un tel dispositif.