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公开(公告)号:FR3078826B1
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:FR1851988
申请日:2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES , CREMER SEBASTIEN , VULLIET NATHALIE , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode verticale comprenant une zone active (30) dont toutes les prises de contact (44, 48 ; 46, 50) sont décalées de l'aplomb de la zone active.
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公开(公告)号:FR3091932B1
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:FR1900532
申请日:2019-01-22
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: CARPENTIER JEAN-FRANÇOIS , BAUDOT CHARLES
Abstract: Système photonique et son procédé de fabrication La présente description concerne un système photonique comprenant un premier circuit photonique (LIC) ayant une première face (52) et un deuxième circuit photonique (PIC) ayant une deuxième face (62). Le premier circuit photonique comprend des premiers guides d'ondes (54), et, pour chaque premier guide d'ondes, un deuxième guide d'ondes (56) recouvrant le premier guide d'ondes, les deuxièmes guides d'ondes étant au contact de la première face et interposés entre la première face et la deuxième face, les premiers guides d'ondes étant situés du côté de la première face opposé aux deuxièmes guides d'ondes. Le deuxième circuit photonique comprend, pour chaque deuxième guide d'ondes, un troisième guide d'ondes (64) recouvrant le deuxième guide d'ondes. Le premier circuit photonique comprend des premiers dispositifs de positionnement (70) se projetant depuis la première face et le deuxième circuit photonique comprend des deuxièmes dispositifs de positionnement (80) se projetant depuis la deuxième face, au moins l'un des premiers dispositifs de positionnement étant en butée contre l'un des deuxièmes dispositifs de positionnement selon une première direction (Ox). Figure pour l'abrégé : Fig. 10
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公开(公告)号:FR3079037B1
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:FR1852247
申请日:2018-03-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: GUERBER SYLVAIN , BAUDOT CHARLES
Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant un guide d'onde (23) et des vias métalliques (21B) entourant une portion d'extrémité (23B) du guide d'onde.
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公开(公告)号:FR3078827A1
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:FR1851989
申请日:2018-03-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: BAUDOT CHARLES , VULLIET NATHALIE , CREMER SEBASTIEN , PELLISSIER-TANON DENIS
IPC: H01L31/101 , H01L31/028
Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant une zone active, la zone active comprenant au moins une première région (82) en germanium dans une première couche (44) de silicium, la première région en germanium ayant, dans des coupes selon des plans orthogonaux au plan de la première couche, uniquement deux côtés en contact avec la première couche.
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公开(公告)号:FR3051561B1
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:FR1654523
申请日:2016-05-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: BOEUF FREDERIC , BAUDOT CHARLES
Abstract: Structure intégrée photonique tridimensionnelle comprenant un premier substrat semi-conducteur (22) incorporant au moins un premier guide d'ondes (24), un deuxième substrat semi-conducteur (32) incorporant au moins un deuxième guide d'ondes (34), et au moins une région intermédiaire (INT) située entre les deux substrats et comportant au moins une couche diélectrique (23), le deuxième substrat (3) comportant au moins un coupleur optique (36) configuré pour recevoir un signal lumineux (L1), et le premier substrat (2) et ladite au moins une couche diélectrique (23) comportant un élément réflecteur (26) situé en dessous et en regard dudit au moins un coupleur à réseau (36) et apte à réfléchir au moins une partie dudit signal lumineux (L1).
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公开(公告)号:FR3063151B1
公开(公告)日:2019-04-19
申请号:FR1751328
申请日:2017-02-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: GUERBER SYLVAIN , BAUDOT CHARLES , DOMENGIE FLORIAN
IPC: G02B6/28 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: Circuit intégré photonique comportant un dispositif de couplage (DIS) situé entre deux niveaux de métal successifs (61, 62) de sa région d'interconnexion (6) et comportant une première portion (P1) configurée pour recevoir un signal optique incident (SIG), comportant une composante transverse électrique dans un mode fondamental et une composante transverse magnétique, une deuxième portion (P2) configurée pour convertir la composante transverse magnétique du signal incident (SIG) en une composante transverse électrique convertie dans un mode différent du mode fondamental, une troisième portion (P3) configurée pour séparer la composante transverse électrique et la composante transverse électrique convertie de façon à faire passer la composante transverse électrique convertie dans un mode fondamental, et une quatrième portion (P4) configurée pour transmettre la composante transverse électrique et la composante transverse électrique convertie audit au moins un guide d'ondes (GO).
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公开(公告)号:FR3063151A1
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:FR1751328
申请日:2017-02-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: GUERBER SYLVAIN , BAUDOT CHARLES , DOMENGIE FLORIAN
IPC: G02B6/28 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: Circuit intégré photonique comportant un dispositif de couplage (DIS) situé entre deux niveaux de métal successifs (61, 62) de sa région d'interconnexion (6) et comportant une première portion (P1) configurée pour recevoir un signal optique incident (SIG), comportant une composante transverse électrique dans un mode fondamental et une composante transverse magnétique, une deuxième portion (P2) configurée pour convertir la composante transverse magnétique du signal incident (SIG) en une composante transverse électrique convertie dans un mode différent du mode fondamental, une troisième portion (P3) configurée pour séparer la composante transverse électrique et la composante transverse électrique convertie de façon à faire passer la composante transverse électrique convertie dans un mode fondamental, et une quatrième portion (P4) configurée pour transmettre la composante transverse électrique et la composante transverse électrique convertie audit au moins un guide d'ondes (GO).
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