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公开(公告)号：CN102829880A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210303746.0
申请日：2012-08-23
Applicant: 江苏物联网研究发展中心
CPC classification number: G01J5/12 , B81B7/02 , B81B2201/0278 , B81C1/00111 , G01J5/022 , H01L35/22 , H01L35/32 , H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种基于黒硅的高性能MEMS热电红外探测器及其制备方法，其包括衬底；衬底上设有释放阻挡带，释放阻挡带内具有热隔离腔体，热隔离腔体的正上方设有黒硅红外吸收区，黒硅红外吸收区的外侧设有热电堆，黒硅红外吸收区外侧的热电堆相互串接后电连接成一体，相互串接的热电堆上设有用于将探测结果输出的金属电极；热电堆的探测冷端通过第一热导通电隔离结构与衬底相连，热传导体位于热隔离腔体的外侧；热电堆的探测热端通过第二热导通电隔离结构与黒硅红外吸收区相接触。本发明结构简单易于实现，便于单片集成，响应率及探测率高，与CMOS工艺兼容，适用范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN1392951A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN01802962.0
申请日：2001-09-03
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G01J1/02 , G01J5/40 , H01L27/148
CPC classification number: B81B3/0081 , B81B2201/0278 , B81B2201/042 , B81B2203/0109 , G01J5/40 , H01L27/14812 , H01L27/14818 , H01L27/14875
Abstract: 一种热位移元件包括一基片，和一个被支撑在基片上的被支撑的部件。被支撑部件包括第一和第二位移部分，表现出高热阻的热分离部分，以及接收辐射并将其转换为热的辐射吸收部分。第一和第二位移部分的每一个至少具有不同膨胀系数的不同材料并彼此叠置的两层。第一位移部分不通过热分离部分而与基片机械上连续。辐射吸收部分和第二位移部分通过热分离部分和第一位移部分机械上与基片连续。第二位移部分与辐射吸收部分热连接。一种辐射检测装置包括一个热位移元件以及位移读部件，它固定在热位移元件的第二位移部分并用来获得对应于第二位移部分中位移的预定变化。
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公开(公告)号：CN105712284B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410723696.0
申请日：2014-12-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0278 , B81B2203/0118 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C2201/0197 , G01J1/04 , G01J1/42 , G01J5/024 , G01J5/0853
Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一介质层和第二介质层的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二介质层不需要制作悬臂梁，所以第二介质层可以制作得比第一介质层大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。
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公开(公告)号：CN105712284A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410723696.0
申请日：2014-12-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0278 , B81B2203/0118 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C2201/0197 , G01J1/04 , G01J1/42 , G01J5/024 , G01J5/0853
Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一介质层和第二介质层的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二介质层不需要制作悬臂梁，所以第二介质层可以制作得比第一介质层大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。
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公开(公告)号：CN105371878A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510890382.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: G01D5/241
CPC classification number: G01D5/2417 , B81B2201/0214 , B81B2201/0221 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/053 , B81C1/00182 , B81C1/00214 , G01K7/34 , G01L9/0045 , G01L9/0047 , G01L9/0073
Abstract: 本发明公开了一种环境传感器及其制造方法，包括基材，在所述基材的上端设有至少一个凹槽，还包括位于基材上方的敏感膜层，所述敏感膜层包括固定在基材端面上的固定部，以及伸入至凹槽内的弯曲部，所述弯曲部与凹槽的侧壁构成了用于检测信号的电容器；其中，所述弯曲部、固定部与凹槽形成了密闭的容腔。本发明的环境传感器，将传统设置在基材表面的电容器结构，改为垂直伸入基材内部的电容器结构，加大凹槽的深度即可增大电容器两个极板之间的感测面积，由此可大大缩小电容器在基材上的覆盖面积，满足了现代电子器件的轻薄化发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101410999A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011552.0
申请日：2007-03-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01F1/692 , B81B2201/0278 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , B81C2201/0169 , B81C2201/0178 , C23C16/402 , C23C16/56 , Y10T428/24488 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明提供一种可以容易地制造、具有优异的绝热性能和高质量的膜片结构元件。还提供一种用于制造这种膜片结构元件的方法。所述膜片结构元件配置有由氧化硅膜形成的膜片，以及基板，所述基板通过支持所述膜片的外围的一部分而以中空状态支持所述膜片。用于制造这种膜片的方法具有：膜形成步骤，即通过等离子体CVD法在硅基板(2)的表面侧上形成热收缩性氧化硅膜(13)；热处理步骤，即使用加热进行热处理以使形成在所述基板(1)上的所述氧化硅膜(13)收缩；以及去除步骤，即去除所述基板(2)的一部分，使得所述氧化硅膜(13)与所述膜片对应的部分作为膜片相对于所述基板(2)以中空状态被支持，并且形成凹部(4)。
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公开(公告)号：CN1538934A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN02815212.3
申请日：2002-02-18
Applicant: “德默克里托斯”国家科学研究中心 , 克里斯托斯·泰阿密斯 , 阿多拉·G·那斯阿普罗 , 阿吉里柯·托斯瑞比
Inventor： 克里斯托斯·泰阿密斯 , 阿吉里柯·托斯瑞比 , 阿多拉·G·那斯阿普罗
CPC classification number: H05B3/265 , B81B2201/0278 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81C1/00682 , B81C1/0069 , B81C2201/0115 , G01F1/6845 , G01N27/12 , G01N27/16 , G01N27/18
Abstract: 本发明提供一种用于制造桥形或悬臂形悬浮多孔硅薄膜的正面硅显微机械加工方法及使用这种些薄膜的热传感器设备。悬浮多孔硅薄膜的制造方法包括如下步骤：(a)在一硅基底(1)的至少一个预定区域内形成一多孔硅层(2)，(b)使用标准影印石版技术围绕所述多孔硅区域(2)或在所述多孔硅区域(2)内界定蚀刻窗口(5)，(c)在多孔硅层下(2)，通过使用干蚀刻技术选择性地蚀刻硅基底(1)，以分离多孔硅薄膜，并在所述多孔硅层下形成洞(6)。更进一步地，本发明还提供一种基于具有最小热损失的悬浮多孔硅薄膜，制造热传感器的方法，因为所提出的方法结合了由于多孔硅的低热传导性和悬浮薄膜的使用而带来的优点。而且，本发明所提出的正面显微机械加工方法简化了制造工艺。还描述了使用所提出的方法的多种类型的热传感器设备，如量热型气体传感器，导电型气体传感器和热传导传感器。
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公开(公告)号：CN105967138B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510446511.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/096 , B81C2203/0109 , G01K13/00 , G01L9/0073 , G01L19/0092 , G01N27/221 , G01N2027/222
Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。
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公开(公告)号：CN105371878B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510890382.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 歌尔股份有限公司
IPC: G01D5/241
CPC classification number: G01D5/2417 , B81B2201/0214 , B81B2201/0221 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/053 , B81C1/00182 , B81C1/00214 , G01K7/34 , G01L9/0045 , G01L9/0047 , G01L9/0073
Abstract: 本发明公开了一种环境传感器及其制造方法，包括基材，在所述基材的上端设有至少一个凹槽，还包括位于基材上方的敏感膜层，所述敏感膜层包括固定在基材端面上的固定部，以及伸入至凹槽内的弯曲部，所述弯曲部与凹槽的侧壁构成了用于检测信号的电容器；其中，所述弯曲部、固定部与凹槽形成了密闭的容腔。本发明的环境传感器，将传统设置在基材表面的电容器结构，改为垂直伸入基材内部的电容器结构，加大凹槽的深度即可增大电容器两个极板之间的感测面积，由此可大大缩小电容器在基材上的覆盖面积，满足了现代电子器件的轻薄化发展。
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公开(公告)号：CN106289386A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610287129.4
申请日：2016-05-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B3/0018 , B81B2201/0214 , B81B2201/0257 , B81B2201/0278 , B81C1/00166 , B81C1/00182 , B81C1/00206 , G01N27/223 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003 , G01D21/02 , G01N27/121
Abstract: 本发明涉及用于MEMS换能器的系统和方法。根据实施例，一种微机电系统(MEMS)换能器包括具有第一腔体的衬底，第一腔体从衬底后侧穿过衬底。MEMS换能器还包括：在衬底的上侧覆盖第一腔体的穿孔的第一电极板；在衬底的上侧覆盖第一腔体的穿孔并且通过间隔区域与穿孔的第一电极板间隔开的第二电极板；以及在穿孔的第一电极板与第二电极板之间的间隔区域中的气敏材料。气敏材料具有取决于目标气体的浓度的电气性质。
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