公开(公告)号：CN102272355A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980153351.3

申请日：2009-12-08

Applicant: 南澳大利亚大学

Inventor： 杜桑·洛西克

IPC: C25C3/00 ,  C25C5/00 ,  C25D1/16 ,  C25B9/06 ,  C25C7/00 ,  H01M4/04 ,  C25C3/06 ,  C25D1/00 ,  C25C3/20 ,  C25D1/08

CPC classification number: C25D1/08 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  C25D1/00 ,  C25D1/006 ,  C25D11/02 ,  C25D11/045

Abstract: 一种制备多孔金属氧化物或准金属氧化物材料的方法，该方法包括：提供一阳极基底，包括金属或准金属基底；提供一阴极基底；用酸电解液将所述阳极基底和所述阴极基底连通，以形成一电化学电池；向所述电化学电池应用一电信号；和通过以下方式，在所述金属或准金属基底形成具有一定形状的孔：(a)随时间改变所述电信号的应用电压，以形成一电压循环，该电压循环包括施加最小电压的最小电压期，施加最大电压的最大电压期，及介于所述最小电压期和所述最大电压期之间的过渡期，其中在该过渡期内，电压从所述最小电压迅速增至所述最大电压，或者(b)随时间改变所述电信号的电流，以形成一电流循环，该电流循环包括施加最小电流的最小电流期、施加最大电流的最大电流期、及介于所述最小电流期和所述最大电流期之间的过渡期，其中在该过渡期内，电压从所述最小电流迅速增至所述最大电流。

公开(公告)号：CN101528589A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038991.0

申请日：2007-08-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： S·克龙米勒 ,  A·费伊 ,  T·富克斯 ,  C·莱嫩巴赫 ,  M·拉默尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本发明提出了一种覆盖技术，其中，尽管借助于穿过硅－覆盖层(7)的ClF3－蚀刻使被硅锗－填充层(4，3)包围的结构(2)露出，在此也防止了对硅－覆盖件(7，11)的蚀刻侵蚀，即或者通过蚀刻过程本身的特别选择性(大约10000∶1或更高)的调节来保护硅－覆盖件(7，11)或者通过使用下述知识来保护硅覆盖件(7，11)：即富锗层(5，10)的氧化物与氧化的多孔的硅(11)相反地是不稳定的、特别容易溶解的。

公开(公告)号：CN1620402A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN03802613.9

申请日：2003-01-16

Applicant: “德默克里托斯”国家科学研究中心 ,  阿多拉·G·那斯阿普罗

Inventor： 阿多拉·G·那斯阿普罗 ,  格里哥里斯·卡查斯 ,  第密特罗斯·尼古劳斯·帕哥尼斯

IPC: B81B3/00 ,  G01K7/02 ,  G01F1/684

CPC classification number: B81C1/00071 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  G01F1/6845 ,  G01K7/028

Abstract: 本发明提供一种基于两个系列的集成热电偶(6和7)的使用的、性能改进的、微型化的硅热流传感器，所述集成热电偶(6和7)位于一个加热器(4)的两侧，它们都集成在一多孔硅薄膜(2)上，该多孔硅薄膜(2)位于一个孔(3)的顶部。其下有孔(3)的多孔硅薄膜(2)为所述传感器元件提供非常好的热隔离，这使得将所述加热器(4)保持在一个特定温度所需的功率非常低。其下有一个孔(3)的多孔硅薄膜(2)的形成过程是一个两步式单电化学过程，它以这样一个事实为基础，即阳极电流相对低时，我们处于多孔硅的形成状态，当此电流超过某个值时，我们就转到电抛光状态，所述过程以一低电流开始以形成多孔硅(2)，然后它被转到电抛光条件来形成位于其下的孔(3)。在此对采用所提出的方法的不同类型的热传感器装置，如流传感器，空气传感器，红外检测器，湿度传感器和热电功率发生器进行了描述。本发明还提供一种采用与形成多孔硅(17)和孔(16)相同的技术形成微射流通路(16)的方法。

公开(公告)号：CN1561539A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN02819431.4

申请日：2002-09-27

Applicant: 瓦尔蒂翁特克尼里伦图基穆斯克斯库斯公司

Inventor： J·基哈梅基

IPC: H01L21/306 ,  H01L27/12 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00412 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/76286

Abstract: 本发明公开了一种用于在预先制造的硅晶片中形成腔的方法，该硅晶片包括第一硅层(1)、取向为大致平行于所述第一硅层(1)的第二单晶硅层或者所谓的结构层(3)，以及位于所述第一和第二层(1、3)之间的绝缘层(2)。根据该方法，在导电硅层(1、3)中的至少一个中制造延伸通过该层的厚度的窗(4)，以及在绝缘层(2)中由通过所述制造的窗(4)来通过该层的蚀刻剂来蚀刻腔。根据本发明，在窗(4)的制造步骤以后，且在所述蚀刻步骤以前，在要加工的表面上形成薄的多孔层(5)，使得蚀刻剂可以通过所述多孔层进入被蚀刻的所述腔(6)，以及在腔(6)被蚀刻完成以后，沉积至少一层补充层(7)，以便使得所述多孔层的材料不能渗透气体。

公开(公告)号：CN1538934A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN02815212.3

申请日：2002-02-18

Applicant: “德默克里托斯”国家科学研究中心 ,  克里斯托斯·泰阿密斯 ,  阿多拉·G·那斯阿普罗 ,  阿吉里柯·托斯瑞比

Inventor： 克里斯托斯·泰阿密斯 ,  阿吉里柯·托斯瑞比 ,  阿多拉·G·那斯阿普罗

IPC: B81B3/00 ,  G01F1/684 ,  H05B1/00

CPC classification number: H05B3/265 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00682 ,  B81C1/0069 ,  B81C2201/0115 ,  G01F1/6845 ,  G01N27/12 ,  G01N27/16 ,  G01N27/18

Abstract: 本发明提供一种用于制造桥形或悬臂形悬浮多孔硅薄膜的正面硅显微机械加工方法及使用这种些薄膜的热传感器设备。悬浮多孔硅薄膜的制造方法包括如下步骤：(a)在一硅基底(1)的至少一个预定区域内形成一多孔硅层(2)，(b)使用标准影印石版技术围绕所述多孔硅区域(2)或在所述多孔硅区域(2)内界定蚀刻窗口(5)，(c)在多孔硅层下(2)，通过使用干蚀刻技术选择性地蚀刻硅基底(1)，以分离多孔硅薄膜，并在所述多孔硅层下形成洞(6)。更进一步地，本发明还提供一种基于具有最小热损失的悬浮多孔硅薄膜，制造热传感器的方法，因为所提出的方法结合了由于多孔硅的低热传导性和悬浮薄膜的使用而带来的优点。而且，本发明所提出的正面显微机械加工方法简化了制造工艺。还描述了使用所提出的方法的多种类型的热传感器设备，如量热型气体传感器，导电型气体传感器和热传导传感器。

公开(公告)号：CN1330034A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01122015.5

申请日：2001-06-22

Applicant: 兰道克斯实验有限公司

Inventor： 哈罗德·S·冈布尔 ,  S·J·内尔·米切尔 ,  安德尔泽·普鲁查斯卡 ,  斯蒂芬·皮特·非茨杰拉尔德

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1639 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0146

Abstract: 一种在圆片中蚀刻出空腔之后,利用精密磨削技术制造膜片的方法。公开了一种基于多孔硅牺牲层的使用,防止膜片变形的技术。

公开(公告)号：CN103991838B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410056864.5

申请日：2014-02-19

Applicant: 法国原子能及替代能源委员会

Inventor： 埃里克·奥利耶

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00515 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00412 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/038

Abstract: 本发明提供了一种用于制造包括多孔表面的微米和/或纳米机械结构的方法。该方法包括由包含支撑基板和牺牲层的元件开始的以下步骤：a）形成第一层，所述第一层的至少一部分是多孔的，b）在所述第一层上形成提供结构的机械特性的由一种（或多种）材料制成的层，称为中间层，c）在所述中间层上形成第二层，所述第二层的至少一部分是多孔的，d）在由所述第一层、中间层和第二层构成的堆叠中形成所述结构，e）通过至少部分地去除所述牺牲层来剥离所述结构。

公开(公告)号：CN105682769A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201380080616.8

申请日：2013-10-30

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： 罗格·A·麦凯 ,  帕特里克·W·萨迪克

IPC: B01D39/14 ,  B01D67/00 ,  B01D69/02

CPC classification number: B01D29/0093 ,  B01D35/02 ,  B01D67/0032 ,  B01D67/0062 ,  B01D69/02 ,  B01D2325/021 ,  B81B7/0061 ,  B81C1/00071 ,  B81C1/00119 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0135 ,  B81C2201/014 ,  C23C14/5873 ,  C23C18/1603 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02

Abstract: 一种方法包括：在衬底上形成蚀刻岛，并将具有蚀刻岛的衬底暴露至与蚀刻岛反应的溶液，以在衬底中形成互连孔隙的过滤通道。过滤通道具有进入衬底的入口和离开衬底的出口。

公开(公告)号：CN104803346A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510202690.3

申请日：2010-01-06

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘建宏

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/683

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0118 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/93 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子元件封装体及其制作方法，上述电子元件封装体，包括感测芯片，上述感测芯片的上表面包括感测薄膜；具有开口结构的盖板，覆盖上述感测芯片的上述上表面，上述盖板与上述感测芯片之间于对应上述感测薄膜位置上包括连通上述开口结构的间隙；间隔层，介于上述盖板与上述感测芯片之间且围绕着上述间隙，其中上述间隔层与上述感测薄膜水平方向之间包括应力缓冲区。

公开(公告)号：CN102056839B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN200980121874.X

申请日：2009-04-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·克拉梅尔 ,  M·阿勒斯 ,  A·格伦德曼 ,  K·克内泽 ,  H·本泽尔 ,  G·许尔曼 ,  S·安布鲁斯特

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

Abstract: 本发明提出一种用于制造具有来自衬底背侧的入口的微机械膜片结构的方法。所述方法基于p掺杂的硅衬底(1)并且包括以下方法步骤：n掺杂衬底表面的至少一个连续的栅格状区域(2)，多孔蚀刻所述n掺杂的栅格结构(2)下方的衬底区域(5)，在所述n掺杂的栅格结构(2)下方的所述衬底区域(5)中产生一空腔(7)；在所述n掺杂的栅格结构(2)上生长第一单晶的硅外延层(8)。其特征在于，如此确定所述n掺杂的栅格结构(2)的至少一个开口(6)的尺寸，使得它不被生长的第一外延层(8)封闭，而是形成通到所述空腔(7)的进入开口(9)；在空腔壁上产生氧化层(10)；产生通到所述空腔(7)的背侧入口(13)，其中，所述空腔壁上的氧化层(10)充当蚀刻终止层；以及去除所述空腔(7)的区域中的氧化层(10)，使得形成通到被构造在所述空腔(7)上方的膜片结构(14)的背侧入口(13)。