公开(公告)号：CN101410999A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011552.0

申请日：2007-03-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 平野贵之 ,  川上信之 ,  甘中将人

IPC: H01L37/00 ,  B81C1/00 ,  C23C16/42 ,  G01F1/692 ,  H01L35/34 ,  G01J1/02

CPC classification number: G01F1/692 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/0178 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明提供一种可以容易地制造、具有优异的绝热性能和高质量的膜片结构元件。还提供一种用于制造这种膜片结构元件的方法。所述膜片结构元件配置有由氧化硅膜形成的膜片，以及基板，所述基板通过支持所述膜片的外围的一部分而以中空状态支持所述膜片。用于制造这种膜片的方法具有：膜形成步骤，即通过等离子体CVD法在硅基板(2)的表面侧上形成热收缩性氧化硅膜(13)；热处理步骤，即使用加热进行热处理以使形成在所述基板(1)上的所述氧化硅膜(13)收缩；以及去除步骤，即去除所述基板(2)的一部分，使得所述氧化硅膜(13)与所述膜片对应的部分作为膜片相对于所述基板(2)以中空状态被支持，并且形成凹部(4)。

公开(公告)号：EP1347937B1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：EP01990295.6

申请日：2001-12-13

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： BENZEL, Hubert ,  WEBER, Heribert ,  ARTMANN, Hans ,  SCHAEFER, Frank

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0178

Abstract: The invention relates to a micromechanical component comprising: a substrate (1); a monocrystalline layer (10), which is provided above the substrate (1) and which has a membrane region (10a); a cavity (50) that is provided underneath the membrane region (10a), and; one or more porous regions (150; 150'), which are provided inside the monocrystalline layer (10) and which have a doping (n ; p ) that is higher than that of the surrounding layer (10).

Abstract translation: 本发明涉及一种微机械部件，该微机械部件包括：衬底（1）; 设置在所述衬底（1）上方并且具有膜区域（10a）的单晶层（10）; 设置在膜区域（10a）下方的空腔（50），以及; 设置在单晶层（10）内并且具有比周围层（10）高的掺杂（n +; p +）的一个或多个多孔区域（150; 150'）， 。

公开(公告)号：EP1217366A3

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：EP01124514.9

申请日：2001-10-12

Applicant: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA

Inventor： Izuo, Shinichi ,  Ohji, Hiroshi ,  Tsutsumi, Kazuhiko

IPC: G01N27/447

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81B2201/0214 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0178 ,  G01N27/44791

Abstract: The invention relates to providing a columnar structure having a uniform shape and excellent heat resistance and mechanical strength that is formed on a substrate of silicon, a method of preparing the structure, and a DNA separation device prepared by the method. The structure has, on a substrate (11) made of silicon, columns (12) the main surface of which is covered with a thermally oxidized film (16). The columns (12) are made of the thermally oxidized film (16) only or of the thermally oxidized film (16) and silicon. The thermally oxidized film formed on the columns (12) is connected to those formed on the surface or inside of the substrate (11).

公开(公告)号：JPWO2003012853A1

公开(公告)日：2004-11-25

申请号：JP2003517931

申请日：2001-07-26

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 美香 奥村 ,  美香 奥村 ,  牧夫 堀川 ,  牧夫 堀川 ,  清志 石橋 ,  清志 石橋

IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  H01L21/316 ,  H01L29/84

CPC classification number: H01L21/02255 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0178 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662

Abstract: 本発明は、本発明は、基板およびその製造方法、並びに薄膜構造体に関し、熱収縮時に基板の酸化膜とその酸化膜上に形成される他の膜との間に生じる応力差を低減することができるとともに、厚膜の酸化膜を形成する際の成膜に要する時間を短縮できる基板およびその製造方法、並びに薄膜構造体を提供することを目的とする。そして、上記目的を達成するために、この基板(1)が、シリコンによって形成された基板本体(31)と、その上に形成された基台用の酸化膜(33)と備えている。酸化膜(33)は、基板本体(31)中のシリコンが熱酸化された形成された熱SiO2膜かなる第1の酸化膜(61)と、その上に堆積されて形成された高温酸化膜からなる第2の酸化膜(63)とを備えている。

公开(公告)号：WO2004063089A2

公开(公告)日：2004-07-29

申请号：PCT/IN2004/000005

申请日：2004-01-05

Applicant: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY - DELHI (IIT) ,  PAL, Prem ,  CHANDRA, Sudhir ,  TULI, Suneet

Inventor： PAL, Prem ,  CHANDRA, Sudhir ,  TULI, Suneet

IPC: B81B

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0178

Abstract: The present invention provides a micro-electro-mechanical device with a recessed micromechanical structure and to a method of fabrication thereof. The present invention also provides silicon wafers provided with recessed micromechanical structures, which are useful in the field of micro-electro-mechanical systems. The present invention also provides a method for fabrication of micro-electro-mechanical device using micromachining techniques.

Abstract translation: 本发明提供一种具有凹陷微机械结构的微机电装置及其制造方法。 本发明还提供了具有凹陷的微机械结构的硅晶片，其在微电子机械系统领域是有用的。 本发明还提供一种使用微加工技术制造微机电装置的方法。

公开(公告)号：WO2003012853A1

公开(公告)日：2003-02-13

申请号：PCT/JP2001/006470

申请日：2001-07-26

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  奥村美香 ,  堀川牧夫 ,  石橋清志

Inventor： 奥村美香 ,  堀川牧夫 ,  石橋清志

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02255 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0178 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662

Abstract: A substrate and a method for producing the same, and a thin film structure, in which differential stress can be reduced between an oxide film on the substrate and other films formed on the oxide film at the time of thermal shrinkage while shortening the time required for forming a thick oxide film. For that purpose, the substrate (1) comprises a substrate body (31) formed of silicon, and an oxide film (33) for a base formed thereon. The oxide film (33) comprises a first oxide film (61) of a thermal SiO 2 film formed through thermal oxidation of silicon in the substrate body (31), and a second oxide film (63) of a high temperature oxide film deposited thereon.

Abstract translation: 一种基板及其制造方法，以及薄膜结构，其中在热收缩时，基板上的氧化膜与形成在氧化膜上的其它膜之间的差分应力可以降低，同时缩短了在 形成厚的氧化膜。 为此，衬底（1）包括由硅形成的衬底本体（31）和形成在其上的基底的氧化膜（33）。 氧化膜（33）包括通过基板主体（31）中的硅的热氧化形成的热SiO 2膜的第一氧化膜（61）和第二氧化膜（63） 沉积在其上的高温氧化膜。

公开(公告)号：WO2019033036A1

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：PCT/US2018/046324

申请日：2018-08-10

Applicant: KIONIX, INC.

Inventor： HELLER, Martin

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C1/00095 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0171 ,  B81C2201/0178

Abstract: A method of processing a semiconductor substrate having a first conductivity type includes, in part, forming a first implant region of a second conductivity type in the semiconductor substrate where the first implant region is characterized by a first depth, forming a second implant region of the first conductivity type in the semiconductor substrate where the second implant region is characterized by a second depth smaller than the first depth, forming a porous layer within the semiconductor substrate where the porous layer is adjacent the first implant region, and growing an epitaxial layer on the semiconductor substrate thereby causing the porous layer to collapse and form a cavity.

公开(公告)号：WO2009059850A2

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：PCT/EP2008/063151

申请日：2008-10-01

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  SCHMITZ, Volker ,  GROSSE, Axel

Inventor： SCHMITZ, Volker ,  GROSSE, Axel

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0178

Abstract: Es wird ein mikromechanisches Bauelement mit einem Funktionsbereich und einem Trägersubstrat vorgeschlagen, wobei das Trägersubstrat eine Grabenstruktur parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägersubstrats aufweist, wobei die Oberfläche der Grabenstruktur eine Überdeckung durch eine erste Isolationsschicht aufweist und wobei die Grabenstruktur eine obere Oberflächenebene parallel zur Haupterstreckungsebene und verlaufend durch eine Oberkante des Trägersubstrats der Grabenstruktur aufweist und wobei ferner wenigstens ein Graben der Grabenstruktur mit einem Halbleitermaterial gefüllt ist, wobei der Funktionsbereich in einer zur Haupterstreckungsebene senkrechten Richtung unterhalb der oberen Oberflächenebene des Trägersubstrats angeordnet ist.

Abstract translation: 提出了具有功能区域和载体基板的微机械部件，其中载体基板具有与载体基板的主延伸平面平行的沟槽结构，沟槽结构的表面彼此覆盖 由第一绝缘层包含，并且其中所述的严重结构具有gersubstrats的严重结构，进一步，其中用半导体材料实测值导航用途的严重结构的至少一个沟槽的上表面BEAR;平行于主平面chenebene并穿过Tr的＆AUML的上边缘是下降时，在功能区 垂直于主延伸平面，在载体衬底的上表面平面下方。

公开(公告)号：WO2004026759A3

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：PCT/DE0303049

申请日：2003-09-12

Applicant: CONTI TEMIC MICROELECTRONIC ,  AIKELE MATTHIAS ,  ENGELHARDT ALBERT ,  FREY MARCUS ,  HARTMANN BERNHARD ,  SEIDEL HELMUT

Inventor： AIKELE MATTHIAS ,  ENGELHARDT ALBERT ,  FREY MARCUS ,  HARTMANN BERNHARD ,  SEIDEL HELMUT

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0178

Abstract: The invention relates to methods for producing insulation structures for micromechanical sensors according to a monocrystalline surface technique. According to known methods, silicon structures defined by deep trenches are etched and the lower side thereof facing the substrate is exposed by a release etch step. The filling of said trenches with a dielectrically insulating material, such as silicon dioxide, enables the silicon structure to be solidly clutched on three sides. The invention is based on the fact that instead of filling trenches, thin-walled silicon is converted into an electrically non-conductive material. This can be carried out, for example, by means of thermal oxidation of narrow silicon sections previously exposed by trenches. In a minimal configuration, two trenches (holes) must be etched per section with the desired structural depth. The interlying silicon section must be narrow enough to be able to be fully thermally oxidised.

Abstract translation: 本发明涉及用于制造单晶表面技术中的微机械传感器的绝缘结构的方法。 在已知的方法中，由深沟槽沟槽限定的硅结构通过释放 - 蚀刻步骤被蚀刻并且在其底侧上暴露于衬底。 随后，用诸如二氧化硅的介电绝缘材料填充这些沟槽，导致通过三面单侧开口Umklammerung牢固地锚固具有填充沟槽的硅结构。 本发明的基本思想是将薄壁硅转变成不导电材料而不是填入沟槽中。 这可以例如通过先前由沟槽暴露的窄硅网的热氧化来实现。 在最小配置中，每个条纹的两个沟槽（孔）必须用所需的纹理深度进行蚀刻。 插入的硅棒必须足够窄，才能被热完全氧化。

公开(公告)号：WO2009104486A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：PCT/JP2009/052145

申请日：2009-02-09

Applicant: 三洋電機株式会社 ,  長崎 寛範

Inventor： 長崎 寛範

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01G5/16 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24

CPC classification number: H03H3/0072 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0178 ,  H01G5/16 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02496 ,  Y10T29/49002

Abstract: 【課題】ギャップを更に狭小化することが可能なマイクロエレクトロメカニカルデバイスの構造及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスにおいては、共振子２２と電極２１が互いに対向し、その対向面には一対の熱酸化膜５、５が形成されて、両熱酸化膜間に狭小化されたギャップを有している。本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造工程においては、共振子２２と電極２１となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、ギャップとなる溝２０を形成した後、該Ｓｉ層に対し、熱酸化処理を施して、溝２０の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜５、５を形成する。

Abstract translation: 提供了一种微机电装置的结构，其中间隙可以变窄。 还提供了一种制造微机电装置的方法。 微机电装置包括谐振器（22）和彼此面对的电极（21），形成在谐振器和彼此面对的电极的表面上的一对热氧化膜（5,5），以及设置在热 氧化膜。 一种制造微机电装置的方法包括通过使用光刻和蚀刻来处理作为谐振器（22）和电极（21）的Si层以形成沟槽（20）成为间隙的步骤，以及执行步骤 在Si层上进行热氧化，以在沟槽（20）的相对表面上形成一对Si的热氧化膜（5,5）。