公开(公告)号：CN104986728A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510274630.2

申请日：2015-05-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心

Inventor： 欧欣 ,  贾棋 ,  斯蒂芬·福斯柯 ,  王曦

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0198 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种大面积纳米阵列的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后，采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米结构阵列。本发明制备纳米阵列只需要两步，使传统制备纳米阵列的工艺大大简化。采用本发明的制备方法，可以快捷地得到有序纳米阵列，而不是散乱的纳米线或纳米管等，有利于进一步实现纳米器件的制备。此外，该方法可以在整片衬底上都产生纳米阵列结构，从而实现大面积的纳米阵列结构的制备，降低成本。

公开(公告)号：CN104662641A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380046681.9

申请日：2013-09-05

Applicant: 株式会社LG化学 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 韩阳奎 ,  李济权 ,  李显振 ,  金鲁马 ,  尹圣琇 ,  申恩知 ,  郑连植

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G11B5/855 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/56 ,  C08F2438/03 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/746 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/851 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及形成氧化硅纳米图案的方法、形成金属纳米图案的方法以及使用该纳米图案的信息存储用磁性记录介质，所述方法可易于形成纳米点或纳米孔型纳米图案，并且使得使用所述纳米图案形成的金属纳米图案等适用于信息存储等的新一代磁性记录介质。形成氧化硅纳米图案的方法包括：在基底上的氧化硅上形成嵌段共聚物薄膜的步骤，所述嵌段共聚物包括预定的硬链段以及具有基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的软链段；对准所述薄膜的步骤；从所述嵌段共聚物薄膜选择性地移除所述软链段的步骤；以及使用已移除软链段的嵌段共聚物薄膜作为掩膜通过在所述氧化硅上进行反应离子蚀刻形成氧化硅的纳米点或纳米孔图案。

公开(公告)号：CN103922269A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410019257.1

申请日：2014-01-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  H04R27/00

CPC classification number: B81C1/00325 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0198

Abstract: MEMS器件、MEMS器件的系统、制作MEMS器件的方法。一种MEMS器件、制作MEMS器件的方法和MEMS器件的系统被示出。在一个实施例中，MEMS器件包括第一聚合物层，设置在第一聚合物层上的MEMS衬底和由MEMS衬底支撑的MEMS结构。该MEMS器件进一步包括在MEMS衬底中设置的第一开口和在第一聚合物层中设置的第二开口。

公开(公告)号：CN101588988B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200880002900.2

申请日：2008-01-10

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德

IPC: G03F7/26 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/145 ,  H05B3/24 ,  Y10T29/49083 ,  Y10T428/24058 ,  Y10T428/24124 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/24182

Abstract: 本发明提供利用自我组装嵌段共聚物制造二维方形和矩形阵列的亚光刻纳米级微结构的方法以及由这些方法形成的膜和装置。

公开(公告)号：CN101978469B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980110382.0

申请日：2009-03-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德 ,  蒂莫西·奎克

IPC: H01L21/033 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/76828 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  C08F299/02 ,  C08F299/0492 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供使用自我组装嵌段共聚物以制造亚光刻纳米级微结构的方法、和自所述方法形成的膜及装置。

公开(公告)号：CN100578752C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200710181170.4

申请日：2007-10-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨海宁 ,  李伟健

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/5329 ,  B81C1/00095 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供使用能够通过利用预先制造的硬掩模图案来安置在特定位置的自组装嵌段共聚物，形成用于下一代半导体技术的包括纳米级如亚光刻的线和通孔的互联结构的方法。本发明的方法提供线自对准于孔的互联结构。

公开(公告)号：CN107473178A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710717374.9

申请日：2017-08-21

Applicant: 叶军

Inventor： 叶军

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00428 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2201/11

Abstract: 本发明公开一种MEMS器件湿法刻蚀工艺，包括如下步骤：刻蚀衬底以形成沟槽，采用等离子气体进行钝化，在沟槽的表面上形成聚合物的钝化层；去除沟槽底面上的钝化层，对所述硅衬底的下表面进行机械抛光，在所述硅衬底的下表面形成有机械损伤层；使用硅腐蚀液去除所述机械损伤层，去除光刻胶；去除牺牲层：通过使用液体腐蚀剂进行大范围的横向钻蚀，并留下独立的不需要依靠支撑物的部分，选择性地去除牺牲层；去除衬底减薄荷：由带有化学腐蚀液的物理研磨机制实现均匀的衬底去除和减薄，快速地去除圆片正面或背面的材料。本发明操作简单，低成本及效率高，可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌。

公开(公告)号：CN106744653A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611006293.X

申请日：2016-11-07

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 蒋淑兰 ,  余丙军 ,  钱林茂 ,  王丰

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0198

Abstract: 本发明公开了一种具有内孔的碳基微纳分级结构阵列及其制备方法，该结构的表面和内部分别具有纳米形貌和纳米孔道。该结构的制备方法包括以下步骤：S1、在硅基片上使用负性光刻胶进行光刻，获得光刻胶微结构阵列；S2、采用氧等离子体对光刻胶微结构阵列进行刻蚀，获得光刻胶微纳分级结构阵列；S3、在光刻胶微纳分级结构阵列的表面集成纳米薄膜；S4、在保护气体环境下，将表面集成有纳米薄膜的微纳分级结构进行热解，得到碳基微纳分级结构阵列。上述制备方法操作简单，过程可控性强，适于规模化制备；该结构兼具微结构的稳定性和纳结构有效表面积大的特点，还具有碳骨架良好的生物兼容性和导电性。

公开(公告)号：CN104986728B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201510274630.2

申请日：2015-05-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心

Inventor： 欧欣 ,  贾棋 ,  斯蒂芬·福斯柯 ,  王曦

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0198 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种大面积纳米阵列的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后，采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米结构阵列。本发明制备纳米阵列只需要两步，使传统制备纳米阵列的工艺大大简化。采用本发明的制备方法，可以快捷地得到有序纳米阵列，而不是散乱的纳米线或纳米管等，有利于进一步实现纳米器件的制备。此外，该方法可以在整片衬底上都产生纳米阵列结构，从而实现大面积的纳米阵列结构的制备，降低成本。

公开(公告)号：CN106348244A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610879358.5

申请日：2016-10-09

Applicant: 全普光电科技(上海)有限公司

Inventor： 汪际军

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00373 ,  B81C1/00436 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种石墨烯基纳米线复合结构及其制备方法，采用至少两种不同主族的金属化合物纳米线垂直生长于石墨烯基底上，从而确保石墨烯基底性能的前提下，提高了石墨烯基底的比表面积，以及将至少两种不同主族的金属化合物纳米线的性能与石墨烯的性能相结合，有利于石墨烯材料应用于半导体技术领域中；同时，两种不同主族的金属化合物纳米线的直径不相同，直径大的金属化合物纳米线的表面积占比大于直径小的金属化合物纳米线的表面积占比，此时，直径大的金属化合物纳米线的性能为石墨烯基纳米线复合结构的主要性能，从而通过选择调节纳米线的材料和直径，来实现石墨烯基纳米线复合结构的性能可调节性和灵活可选性。