公开(公告)号：US4591455A

公开(公告)日：1986-05-27

申请号：US444176

申请日：1982-11-24

Applicant: Pedro B. Macedo ,  Herbert G. Sutter ,  Robert K. Mohr ,  Catherine J. Simmons

Inventor： Pedro B. Macedo ,  Herbert G. Sutter ,  Robert K. Mohr ,  Catherine J. Simmons

IPC: B01J39/08 ,  B01J39/14 ,  G21F9/12 ,  G21F9/30 ,  G21F9/16

CPC classification number: C03C1/002 ,  B01J39/085 ,  C03C11/005 ,  C03C14/00 ,  C03C21/001 ,  C03C23/0095 ,  C03C3/06 ,  C03C3/061 ,  C03C3/087 ,  C03C3/089 ,  C03C3/091 ,  C03C3/097 ,  C03C3/102 ,  C03C3/142 ,  G21F9/12 ,  C03C2201/10 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/50

Abstract: A liquid containing radioactive ions is purified (decontaminated) by contacting the same with an inorganic ion exchange composition having ion exchange sites which can be occupied by the radioactive ions from the liquid. The ion exchange composition is a mixture of an ion exchange medium and an additive which is relatively inert to the ion exchange process and which is a sintering aid for the ion exchange medium designed to lower the sintering temperature of the ion exchange composition. The ion exchange composition may be disposed within a suitable container (e.g., cannister), e.g., made of 304L stainless steel or Inconel 601 and the ion exchange process may be carried out in such container. Alternatively, the ion exchange medium can be employed without being previously admixed with the additive. The additive, if desired, can be admixed at a later stage with the contaminated medium. Thereafter, the mixture may be sintered and disposed of in any desirable manner as by underground burial of the spent mixture within the container. Also, the container may be placed within a suitably designed furnace for carrying out the ion exchange process, sintering of the ion exchange composition and its safe disposal. Methods are also described for making a homogeneous mixture of the ion exchange medium and the additive which, for example, have a certain defined density and particle size relationship.

公开(公告)号：JP2004519704A

公开(公告)日：2004-07-02

申请号：JP2002524771

申请日：2001-07-24

Applicant: コーニング インコーポレイテッド

Inventor： シー カリー，ステファン ,  エル シーフェルベイン，スーザン ,  エス ジュニア パヴリック，ロバート ,  ティー ブラウン，ジョン ,  エイ ムーア，リサ

IPC: C03B19/14 ,  C03C3/06 ,  C03C4/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F1/14

CPC classification number: G03F7/70216 ,  C03B19/1407 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/21 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/08 ,  C03B2207/14 ,  C03B2207/30 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/38 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/32 ,  C03C2203/54 ,  G03F1/60 ,  G03F7/70958 ,  Y02P40/57

Abstract: １９０ｎｍ未満のＶＵＶ波長域におけるフォトリソグラフィアプリケーション用のフォトマスク基体として使用するのに適した高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスを開示する。 本発明の直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは、およそ１５７ｎｍの波長において透過率を有し、とくに１５７ｎｍの波長域でのフォトマスク基体として使用するために作成される。 本発明のフォトマスク基体は、高純度溶融シリカに一般的に関連する優れた熱的および物理的特性を維持する一方で、真空紫外線（ＶＵＶ）波長域において非常に高い透過率を示す乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスである。 フッ素を含有し、ＯＨ含有物をほとんど有さないかまたは全く有さないことに加えて、１５７ｎｍのフォトマスク基体として使用するのに適した本発明の直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは、１×１０
１７ 分子／ｃｍ
３ 未満の分子状水素を有するとともに、塩素レベルが低いことをも特徴とする。

公开(公告)号：WO2015034991A2

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：PCT/US2014/054001

申请日：2014-09-04

Applicant: CORNING INCORPORATED

Inventor： HARPER, Brian Lee ,  KHRAPKO, Rostislav Radiyevich ,  MISHRA, Snigdharaj Kumar ,  RANEY, Sonya Marie ,  TANDON, Pushkar

IPC: C03C13/04

CPC classification number: C03B37/01446 ,  C03B37/014 ,  C03B37/01453 ,  C03B2201/08 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/22 ,  C03B2203/23 ,  C03B2203/26 ,  C03C13/045 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/20

Abstract: One embodiment of the disclosure relates to a method of making an optical fiber comprising the steps of: (i) exposing a silica based preform with at least one porous glass region having soot density of r to a gas mixture comprising SiCl 4 having SiCl 4 mole fraction y SiCl4 (preferably of less than 0.03) at a doping temperature T dop such that parameter X is larger than 0.03 to form the chlorine treated preform, wherein X is defined as a function of density r, doping temperature T dop , SiCl4 mole fraction y SiCl4 , and the density p s of the fully densified soot layer; and (ii) exposing the chlorine treated preform to temperatures above 1400 °C to completely sinter the preform to produce sintered optical fiber preform with a chlorine doped region; and (iii) drawing an optical fiber from the sintered optical preform.

Abstract translation: 本公开的一个实施方案涉及一种制造光纤的方法，包括以下步骤：（i）将具有烟灰密度为r的至少一个多孔玻璃区域的二氧化硅基预型体暴露于包含具有SiCl 4摩尔分数ySiCl 4的SiCl 4的气体混合物 （优选小于0.03），使得参数X大于0.03以形成经氯处理的预制件，其中X定义为密度r，掺杂温度Tdop，SiCl4摩尔分数ySiCl4和密度的函数 ps的完全致密的烟灰层; 和（ii）将经氯处理的预制件暴露于高于1400℃的温度以完全烧结预成型件，以制备具有氯掺杂区域的烧结光纤预制件; 和（iii）从烧结的光学预型件拉制光纤。

公开(公告)号：WO2007020362A2

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：PCT/FR2006/050802

申请日：2006-08-17

Applicant: ALCATEL ,  BLANCHANDIN, Stéphanie ,  COLLET, Christine ,  PASTOURET, Alain ,  DE MONREDON, Sophie ,  JOLIVET, Jean-Pierre ,  CHANEAC, Corinne

Inventor： BLANCHANDIN, Stéphanie ,  COLLET, Christine ,  PASTOURET, Alain ,  DE MONREDON, Sophie ,  JOLIVET, Jean-Pierre ,  CHANEAC, Corinne

CPC classification number: C09K11/7701 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0071 ,  C03C4/10 ,  C03C13/045 ,  C03C14/004 ,  C03C14/006 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/3476 ,  H01S3/06716 ,  H01S3/06754 ,  H01S3/169

Abstract: La présente invention concerne une fibre optique comprenant un milieu amplificateur muni d'un cœur (22) formé d'une matériau transparent et de nanoparticules (24) comprenant un élément dopant et au moins un élément améliorant l’utilisation de ce dopant, et d'une gaine externe (26) entourant le cœur, caractérisé en ce que l'élément dopant est l'erbium (Er) et en ce que l'élément d'amélioration est choisi parmi Pantimoine (Sb), le bismuth (Bi) et une combinaison d'antimoine (Sb) et de bismuth (Bi). Conformément à l'invention, une telle fibre est caractérisée en ce que la faille des nanoparticules est variable et comprise entre 1 et 500 nanomètres, et de préférence supérieure à 20 nm.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括放大介质的光纤，该放大介质具有在其中形成的芯（22）。 包括掺杂元素和使用该掺杂剂的至少一种改进的透明材料和纳米颗粒（24），以及包围 心，性格＆eacute; 因为掺杂元素是铒（Er），并且改进元素选自锑（Sb），铋（Bi）和组合 的锑（Sb）和铋（Bi）。 按照 本发明中，这种纤维的特征在于纳米颗粒断层是可变的并且在1纳米至500纳米之间，并且更优选地更高 20纳米。

公开(公告)号：WO2002069054A1

公开(公告)日：2002-09-06

申请号：PCT/US2001/044547

申请日：2001-11-28

Applicant: CORNING INCORPORATED

Inventor： MOORE, Lisa, A. ,  SMITH, Charlene, M.

IPC: G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70216 ,  C03B19/1407 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/21 ,  C03B2207/30 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/36 ,  C03B2207/38 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/32 ,  C03C2203/54 ,  G03F1/60 ,  G03F7/70958

Abstract: High purity silicon oxyfluoride glass suitable for use as a photomask substrates for photolithography applications in the VUV wavelength region below 190 nm is disclosed with the silicon oxyfluoride glass having a preferred fluorine content

Abstract translation: 公开了具有优选氟含量<0.5重量％的氟氧化硅玻璃，适合用作光刻应用中的低于190nm的VUV波长区域的光掩模基板的高纯度氟氧化硅玻璃。 本发明的氟氧化硅玻璃在157nm波长下是透射的，使其特别适用于157nm波长区域的光掩模衬底。 本发明的光掩模基材是“真空”的氟氧化硅玻璃，其在真空紫外（VUV）波长区域中表现出非常高的透射率，同时保持通常与高纯度熔融石英相关的优异的热和物理性能。 除了含氟并且具有很少或不含OH含量之外，本发明的适合用作157nm的光掩模衬底的氟氧化硅玻璃的特征还在于具有小于1×10 17分子/ cm 3的分子氢和低氯水平。

公开(公告)号：WO1985002835A1

公开(公告)日：1985-07-04

申请号：PCT/US1984002091

申请日：1984-12-21

Applicant: LITOVITZ, Theodore, Aaron ,  BUARQUE DE MACEDO, Pedro, Manoel

Inventor： LITOVITZ, Theodore, Aaron ,  BARKATT, Aaron

IPC: C02F01/28

CPC classification number: C03C1/002 ,  C02F1/288 ,  C02F1/683 ,  C02F2101/006 ,  C03C3/06 ,  C03C3/061 ,  C03C3/089 ,  C03C11/005 ,  C03C21/001 ,  C03C23/0095 ,  C03C2201/10 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/50 ,  G21F9/12

Abstract: A process for removing metal species from solution comprising passing the liquid over a composition comprising a support such as a porous silicate glass or silica gel or charcoal having interconnected pores and containing water soluble amine complexing agents absorbed on the support capable of forming a stable complex with the metal species. The preferred amine complexing agent is triethylenetetramine. The process is especially useful for removing radioactive cobalt from liquid waste streams.

公开(公告)号：US09676658B2

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：US14997780

申请日：2016-02-15

Applicant: Corning Incorporated

Inventor： Brian Lee Harper ,  Rostislav Radiyevich Khrapko ,  Snigdharaj Kumar Mishra ,  Sonya Marie Raney ,  Pushkar Tandon

IPC: C03C13/04 ,  C03B37/014

CPC classification number: C03B37/01446 ,  C03B37/014 ,  C03B37/01453 ,  C03B2201/08 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/22 ,  C03B2203/23 ,  C03B2203/26 ,  C03C13/045 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/20

Abstract: One embodiment of the disclosure relates to a method of making an optical fiber comprising the steps of: (i) exposing a silica based preform with at least one porous glass region having soot density of ρ to a gas mixture comprising SiCl4 having SiCl4 mole fraction ySiCl4 at a doping temperature Tdop such that parameter X is larger than 0.03 to form the chlorine treated preform, wherein X = 1 1 + [ ( ρ ρ s - ρ ) ⁢ 0.209748 ⁢ ⁢ T dop ⁢ Exp ⁡ [ - 5435.33 / T dop ] y SiCl ⁢ ⁢ 4 3 / 4 ] and ρs is the density of the fully densified soot layer; and (ii) exposing the chlorine treated preform to temperatures above 1400° C. to completely sinter the preform to produce sintered optical fiber preform with a chlorine doped region; and (iii) drawing an optical fiber from the sintered optical preform.

公开(公告)号：US08629071B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13761881

申请日：2013-02-07

Applicant: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

Inventor： Shigeru Maida ,  Hisatoshi Otsuka

IPC: C03C3/06 ,  C03C3/04

CPC classification number: G03F1/22 ,  C03B19/1423 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/42 ,  Y02P40/57

Abstract: A titania and sulfur co-doped quartz glass member is provided. Due to co-doping of titania and sulfur, the quartz glass member undergoes zero expansion at a certain temperature and low thermal expansion over a wide temperature range, and is thus suited for use in a commercial EUV lithography tool. A manufacturing method and an optical member for EUV lithography are also provided.

Abstract translation: 提供二氧化钛和硫共掺杂石英玻璃构件。 由于二氧化钛和硫的共掺杂，石英玻璃构件在宽温度范围内在一定温度下经历零膨胀和低热膨胀，因此适用于商业EUV光刻工具。 还提供了用于EUV光刻的制造方法和光学构件。

公开(公告)号：US20030148194A1

公开(公告)日：2003-08-07

申请号：US10342717

申请日：2003-01-13

Inventor： John T. Brown ,  Stephen C. Currie ,  Lisa A. Moore ,  Susan L. Schiefelbein ,  Robert S. Pavlik JR.

IPC: G03F009/00 ,  G03C005/00 ,  C03B005/26 ,  C03B007/00 ,  B32B009/00 ,  B32B017/06

CPC classification number: G03F7/70216 ,  C03B19/1407 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B37/01202 ,  C03B37/01406 ,  C03B37/01413 ,  C03B37/0142 ,  C03B37/0146 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/21 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/14 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/30 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/36 ,  C03B2207/38 ,  C03B2207/40 ,  C03B2207/46 ,  C03B2207/54 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/32 ,  C03C2203/54 ,  G03F1/60 ,  G03F7/70958 ,  Y02P40/57

Abstract: High purity direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass suitable for use as a photomask substrates for photolithography applications in the VUV wavelength region below 190 nm is disclosed. The inventive direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass is transmissive at wavelengths around 157 nm, making it particularly useful as a photomask substrate at the 157 nm wavelength region. The inventive photomask substrate is a dry direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass which exhibits very high transmittance in the vacuum ultraviolet (VUV) wavelength region while maintaining the excellent thermal and physical properties generally associated with high purity fused silica. In addition to containing fluorine and having little or no OH content, the inventive direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass suitable for use as a photomask substrate at 157 nm is also characterized by having less than 1null1017 molecules/cm3 of molecular hydrogen and low chlorine levels.

公开(公告)号：US06541168B2

公开(公告)日：2003-04-01

申请号：US09841517

申请日：2001-04-24

Applicant: John T. Brown ,  Stephen C. Currie ,  Lisa A. Moore ,  Susan L. Schiefelbein ,  Robert S. Pavlik, Jr.

Inventor： John T. Brown ,  Stephen C. Currie ,  Lisa A. Moore ,  Susan L. Schiefelbein ,  Robert S. Pavlik, Jr.

IPC: G03F900

CPC classification number: G03F7/70216 ,  C03B19/1407 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1423 ,  C03B19/1453 ,  C03B37/01202 ,  C03B37/01406 ,  C03B37/01413 ,  C03B37/0142 ,  C03B37/0146 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/21 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/14 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/30 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/36 ,  C03B2207/38 ,  C03B2207/40 ,  C03B2207/46 ,  C03B2207/54 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/20 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/32 ,  C03C2203/54 ,  G03F1/60 ,  G03F7/70958 ,  Y02P40/57

Abstract: High purity direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass suitable for use as a photomask substrates for photolithography applications in the VUV wavelength region below 190 nm is disclosed. The inventive direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass is transmissive at wavelengths around 157 nm, making it particularly useful as a photomask substrate at the 157 nm wavelength region. The inventive photomask substrate is a dry direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass which exhibits very high transmittance in the vacuum ultraviolet (VUV) wavelength region while maintaining the excellent thermal and physical properties generally associated with high purity fused silica. In addition to containing fluorine and having little or no OH content, the inventive direct deposit vitrified silicon oxyfluoride glass suitable for use as a photomask substrate at 157 nm is also characterized by having less than 1×1017 molecules/cm3 of molecular hydrogen and low chlorine levels.