公开(公告)号：CN105828002A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610143155.X

申请日：2016-01-04

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 爱须克彦 ,  渡边博文 ,  根来宝昭 ,  上田佳德 ,  中谷宁一 ,  米田和洋 ,  樱野胜之

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J2001/444 ,  G01J2001/4473 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3655 ,  H04N5/378 ,  H04N5/374 ,  H04N5/37455 ,  H04N5/37457

Abstract: 一种光电转换装置，包含：包含光电晶体管的像素单元、包含参考晶体管的参考单元、模拟数字转换器、校正量计算单元和校正单元，参考晶体管具有与光电晶体管的温度特性相同的温度特性并具有固定电气状态，模拟数字转换器将像素单元的模拟输出转换为数字输出，校正量计算单元基于参考单元的输出和参考值来计算模拟数字转换器的数字输出的校正量，校正单元基于校正量校正模拟数字转换器的数字输出。

公开(公告)号：EP2639838A3

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：EP12191754.6

申请日：2012-11-08

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd

Inventor： Jeon, Sang-hun ,  Song, I-hun ,  Ahn, Seung-eon

IPC: H01L31/113 ,  G06F3/042

CPC classification number: H01L31/1136 ,  G01J1/42 ,  G01J2001/4473 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/032

Abstract: A photosensing transistor (100) for optical touch screens includes a gate layer (110), a gate insulation layer (120) on the gate layer, a channel layer (130) on the gate insulation layer, an etch stop layer (140) on a partial area of the channel layer (130), a source (150) and a drain (160) on the channel layer (130) and separated from each other with the etch stop layer (140) being interposed between the source (150) and the drain (160), and a passivation layer (170) covering the source(150), the drain (160), and the etch stop layer (140), wherein the source (150) is separated from the etch stop layer (140). The disclosed transistor structure has an improved efficiency in sensing incident light and increases an area of the channel layer (130) to be exposed to the incident light. A manufacturing method for the photosensing transistor (100) is also disclosed.

公开(公告)号：EP3261131A1

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：EP16175572.3

申请日：2016-06-21

Applicant: Nokia Technologies Oy

Inventor： Allen, Mark ,  Harris, Nadine

IPC: H01L31/0232 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/112 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02327 ,  G01J1/0266 ,  G01J1/0411 ,  G01J1/0414 ,  G01J1/0422 ,  G01J1/0448 ,  G01J1/4228 ,  G01J2001/4473 ,  G01T1/244 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/112

Abstract: An apparatus comprises a transparent substrate (3), at least one sensor (5) for the detection of electromagnetic radiation (31), and for each sensor a corresponding mirror having a reflective surface (11). The reflective surface (11) is shaped so that electromagnetic radiation (31) incident on the transparent substrate (3) at a specific angle, passing through the transparent substrate (3) and being reflected by the reflective surface (11) is directed towards the sensor (5). The sensor (5) comprises a two dimensional material like graphene and may be a quantum dot functionalised graphene field effect transistor. The present invention enables the incident electromagnetic radiation (31) to be focussed onto the at least one sensor (5) without the use of additional optical components like lenses or microlenses. This may enable focussed images to be obtained by the apparatus.

Abstract translation: 一种设备包括透明基板（3），用于检测电磁辐射（31）的至少一个传感器（5），并且用于每个传感器的具有反射表面（11）的对应反射镜。 反射表面（11）被成形为使得穿过透明基板（3）并被反射表面（11）反射的以特定角度入射在透明基板（3）上的电磁辐射（31）朝向 传感器（5）。 传感器（5）包括像石墨烯这样的二维材料并且可以是量子点功能化的石墨烯场效应晶体管。 本发明使入射电磁辐射（31）能够被聚焦到至少一个传感器（5）上而不需要使用像透镜或微透镜那样的附加光学部件。 这可以使设备能够获得聚焦图像。

公开(公告)号：EP2639838A2

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：EP12191754.6

申请日：2012-11-08

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd

Inventor： Jeon, Sang-hun ,  Song, I-hun ,  Ahn, Seung-eon

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/1136 ,  G01J1/42 ,  G01J2001/4473 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/032

Abstract: A photosensing transistor (100) for optical touch screens includes a gate layer (110), a gate insulation layer (120) on the gate layer, a channel layer (130) on the gate insulation layer, an etch stop layer (140) on a partial area of the channel layer (130), a source (150) and a drain (160) on the channel layer (130) and separated from each other with the etch stop layer (140) being interposed between the source (150) and the drain (160), and a passivation layer (170) covering the source(150), the drain (160), and the etch stop layer (140), wherein the source (150) is separated from the etch stop layer (140). The disclosed transistor structure has an improved efficiency in sensing incident light and increases an area of the channel layer (130) to be exposed to the incident light. A manufacturing method for the photosensing transistor (100) is also disclosed.

Abstract translation: 用于光学触摸屏一种光感测晶体管（100）包括上的栅极层（110），所述栅层上的栅极绝缘层（120），所述栅绝缘层上的沟道层（130），以蚀刻终止层（140） 介于源极之间的沟道层（130），源极（150）和所述沟道层（130）上的漏极（160）和从彼此与所述蚀刻终止层（140）隔开的部分区域（150） 和漏极（160），和覆盖所述源（150），漏极（160）的钝化层（170），和蚀刻停止层（140）worin源（150）从所述蚀刻停止层（分离 140）。 盘晶体管游离缺失结构必须在感测入射光，并增加在沟道层（130）的面积暴露于入射光提高了效率。 用于光感测晶体管的制造方法，（100）IST游离缺失盘。

公开(公告)号：WO2013092666A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/EP2012/076093

申请日：2012-12-19

Applicant: UNIVERSITÄT ZÜRICH

Inventor： DELBRUCK, Tobias ,  BERNER, Raphael

IPC: H04N5/335

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J1/0238 ,  G01J2001/446 ,  G01J2001/4473 ,  H04N5/378

Abstract: The invention relates to a photoarray(1), comprising: a plurality of cells (10), wherein each of said cells (10) comprises a means (20)that is configured to generate a photocurrent (I) being proportional to the intensity (L) of the light impinging on the respective cell(10), and wherein each of said cells (10) comprises a change detection circuit(100) connected to the respective means (20) for generating the photocurrent (I), which change detection circuit (100) is configured to generate an output signal merely in case a change event occurs at which said intensity (L) changes by a threshold amount (T, T') since the preceding change event from the respective cell (10). According to the invention said means (20) for generating said photocurrent (I) is additionally also used to estimate the magnitude of the said photocurrent (I) being a measure of the brightness of the light at the respective cell (10).

Abstract translation: 本发明涉及一种光电二极管阵列（1），包括：多个单元（10），其中每个所述单元（10）包括一个装置（20），其被配置为产生与强度成比例的光电流（I） L），并且其中每个所述单元（10）包括连接到各个装置（20）的变化检测电路（100），用于产生光电流（I），其改变检测 电路（100）被配置为仅在发生变化事件的情况下产生输出信号，在所述改变事件发生时，所述强度（L）自来自相应单元（10）的前一改变事件改变阈值量（T，T'）。 根据本发明，用于产生所述光电流（I）的所述装置（20）还用于估计所述光电流（I）的大小，作为在相应电池（10）处的光的亮度的量度。

公开(公告)号：EP3041223A1

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：EP15202148.1

申请日：2015-12-22

Applicant: Ricoh Company, Ltd.

Inventor： Katsuhiko, Aisu ,  Hirofumi, Watanabe ,  Takaaki, Negoro ,  Yoshinori, Ueda ,  Yasukazu, Nakatani ,  Kazuhiro, Yoneda ,  Katsuyuki, Sakurano

IPC: H04N5/361 ,  H04N5/365 ,  H04N5/378

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J2001/444 ,  G01J2001/4473 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3655 ,  H04N5/378

Abstract: A photoelectric conversion device includes a pixel cell including a phototransistor, a reference cell including a reference transistor having a temperature characteristic identical to that of the phototransistor and having a fixed electrical state, an analog-to-digital converter that converts an analog output of the pixel cell into a digital output, a correction amount computation unit that computes a correction amount for the digital output of the analog-to-digital converter based on an output of the reference cell and a reference value, and a correction unit that corrects the digital output of the analog-to-digital converter based on the correction amount.

Abstract translation: 一种光电转换装置包括像素单元，其包括光电晶体管，参考单元，包括具有温度特性等同于做光电晶体管，并具有一个固定的电状态，模拟数字转换器并转换成模拟信号的输出端的参考晶体管 像素单元为数字输出，校正量计算单元做计算用于在所述参考单元和参考值的输出基于所述模拟 - 数字转换器的数字输出的校正量，以及校正单元，并校正该数字 基于校正量的模拟数字转换器的输出。

公开(公告)号：EP2795894A1

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：EP12816658.4

申请日：2012-12-19

Applicant: Universität Zürich

Inventor： DELBRUCK, Tobias ,  BERNER, Raphael

IPC: H04N5/335

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J1/0238 ,  G01J2001/446 ,  G01J2001/4473 ,  H04N5/378

Abstract: The invention relates to a photoarray(1), comprising: a plurality of cells (10), wherein each of said cells (10) comprises a means (20)that is configured to generate a photocurrent (I) being proportional to the intensity (L) of the light impinging on the respective cell(10), and wherein each of said cells (10) comprises a change detection circuit(100) connected to the respective means (20) for generating the photocurrent (I), which change detection circuit (100) is configured to generate an output signal merely in case a change event occurs at which said intensity (L) changes by a threshold amount (T, T') since the preceding change event from the respective cell (10). According to the invention said means (20) for generating said photocurrent (I) is additionally also used to estimate the magnitude of the said photocurrent (I) being a measure of the brightness of the light at the respective cell (10).

公开(公告)号：JP2016127456A

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：JP2015000516

申请日：2015-01-05

Applicant: 株式会社リコー

Inventor： 愛須 克彦 ,  渡辺 博文 ,  根来 宝昭 ,  上田 佳徳 ,  中谷 寧一 ,  米田 和洋 ,  桜野 勝之

IPC: H03M1/06 ,  H04N5/357 ,  H04N5/378 ,  H04N101/00 ,  H03M1/10

CPC classification number: G01J1/44 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3655 ,  H04N5/378 ,  G01J2001/444 ,  G01J2001/4473

Abstract: 【課題】光電変換素子としてフォトトランジスタを用いた光電変換装置において、フォトトランジスタのhFEのチップ間ばらつきや温度依存性による出力誤差を補正する。 【解決手段】画素セルアレイ1にフォトトランジスタを含む画素セルが配列されている。リファレンスセル3は、画素セルアレイ1に配置されているフォトトランジスタと同じ温度特性をもち、動作状態が電気的に固定されたリファレンストランジスタを含んでいる。A/D変換器5は、画素セルのアナログ出力をデジタル出力に変換する。補正量演算部7は、リファレンスセル3の出力と基準値に基づいて上記デジタル出力に対する補正量を演算する。補正部9は、補正量演算部7が演算した補正量に基づいて上記デジタル出力を補正する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：使用光电晶体管作为光电转换元件来校正光电晶体管的光电晶体管的hFE的芯片间变化或温度依赖性导致的输出误差。解决方案：在光电转换装置中，每个像素单元包括光电晶体管 排列在像素单元阵列1中。参考单元3具有与设置在像素单元阵列1中的光电晶体管相同的温度特性，并且包括其电气固定操作状态的参考晶体管。 A / D转换器5将像素单元的模拟输出转换为数字输出。 基于参考单元3的输出和参考值，校正量计算单元7计算数字输出的校正量。 基于由校正量计算单元7计算的校正量，校正单元9校正数字输出。图1：图1

公开(公告)号：WO2018176944A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：PCT/CN2017/118854

申请日：2017-12-27

Applicant: 东莞市莱曼光电科技有限公司

Inventor： 童建华 ,  林育成

IPC: B60Q1/06 ,  B60Q1/08 ,  H05B33/08

CPC classification number: B60Q1/1423 ,  B60Q2300/312 ,  B60Q2900/30 ,  F21S41/125 ,  G01J1/08 ,  G01J1/18 ,  G01J1/32 ,  G01J1/429 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/4242 ,  G01J2001/4473

Abstract: 一种基于不可见光判定行车环境的双色温车灯，包括车灯本体(1)，车灯本体(1)为LED形式的车灯，车灯本体(1)中的发光单元(2)至少可进行两种色温光线的变换；车灯本体(1)的前端面上设有至少一个不可见光发射源(3)、至少一个反射光接收器(4)，不可见光发射源(3)与反射光接收器(4)间设置有一块隔离板(5)；不可见光发射源(3)埋嵌入在车灯本体(1)前端设置的槽中，前端不露出车灯本体(1)的前端表面；车灯本体(1)内设有与反射光接收器(4)相连的前置放大电路、与前置放大电路相连的MCU，以及与MCU相连的无线收发模组。

公开(公告)号：WO2017187015A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：PCT/FI2017/050311

申请日：2017-04-25

Applicant: EMBERION OY

Inventor： ASTLEY, Michael Robert ,  COLLI, Alan

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/112

CPC classification number: H01L31/035218 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/4473 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/028 ,  H01L31/032 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/112 ,  H01L31/1136

Abstract: An apparatus configured to alternate, at a predetermined frequency, the application of first and second gate voltages (311) to a gate electrode (304) of a photodetector during exposure of a plurality of quantum dots (306) of the photodetector to incident electromagnetic radiation to produce a signal comprising respective first and second changes in electrical current substantially at the predetermined frequency, wherein the first change in electrical current is relative to a predetermined measurement of electrical current taken at the first gate voltage in the absence of the incident electromagnetic radiation, and the second change in electrical current is relative to a predetermined measurement of electrical current taken at the second gate voltage in the absence of the incident electromagnetic radiation, the photodetector comprising a channel (303), and source and drain electrodes configured to enable a flow of electrical current through the channel (303) between the source and drain electrodes, the quantum dots (306) configured to generate charge carriers on exposure to the incident electromagnetic radiation to cause a detectable change in the electrical current flowing through the channel (303), the gate electrode configured to generate an electric field upon the application of a gate voltage thereto to tune the detectable change in electrical current. The apparatus is further configured to process the signal to at least partially remove any changes in electrical current which are attributed to noise such that the resulting processed signal is indicative of one or more of the presence and magnitude of the incident electromagnetic radiation.

Abstract translation: 被配置为在多个量子点（306）的曝光期间以预定频率交替施加第一和第二栅极电压（311）到光电检测器的栅电极（304） ）与入射的电磁辐射相关联以产生信号，该信号包括基本上处于预定频率的电流的相应的第一和第二变化，其中电流的第一变化相对于在第一栅极电压下获得的预定电流测量值 不存在入射电磁辐射，并且电流的第二变化相对于在不存在入射电磁辐射的情况下以第二栅电压取得的电流的预定测量，光电探测器包括通道（303）和源 以及漏电极，其被配置为使得电流能够通过所述通道（303）之间的流动 所述量子点（306）被配置成在暴露于所述入射电磁辐射时产生电荷载流子以引起流过所述沟道（303）的电流的可检测变化，所述栅电极被配置为在所述沟道 施加栅极电压来调整电流的可检测变化。 该设备还被配置为处理信号以至少部分地去除归因于噪声的电流的任何变化，使得所得到的经处理的信号指示入射电磁辐射的存在和量值中的一个或多个。 >