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公开(公告)号：CN1217371C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN00128588.2
申请日：2000-10-18
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 在由玻璃基板组成的绝缘性基板11的一个表面上形成导电性层8。在导电性层8上形成由氧化的多孔质多晶硅层组成的强电场漂移层6。在强电场漂移层6上形成表面电极7。导电性层8由形成在绝缘性基板11上的由铜组成的下侧的导电性膜8a和形成在该导电性膜8a上的由铝组成的上侧的导电性膜8b所构成。强电场漂移层6这样形成：在导电性层8上形成多晶硅层，把该多晶硅层进行多孔质化，然后，进行氧化。上侧的导电性膜8b具有易于与硅发生反应的性质，因此，在多晶硅层形成时能够抑制非晶层的形成。
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公开(公告)号：CN1216394C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02142595.7
申请日：2002-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J9/022 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e-)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。
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公开(公告)号：CN1202545C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN99807247.8
申请日：1999-06-11
Applicant: 彼得·维斯科尔 , 尼尔斯·奥勒·尼尔森 , 阿明·德隆 , 弗拉迪米尔·科拉里克
Inventor： 彼得·维斯科尔 , 尼尔斯·奥勒·尼尔森 , 阿明·德隆 , 弗拉迪米尔·科拉里克
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J35/065 , H01J2235/062
Abstract: 公开一种以电子的准弹道传输的存在为基础的平面电子发射器。在它的最佳实施例中平面电子发射器包括有确定间隙的纯半导体或绝缘体，所述具有肉眼可见厚度(约1mm)的体由2个平行表面限定并带有一组沉积/生长在所述2个自由表面上的2个电极，使当一个低的外部电场(约100v/cm)施加在包括2个电极及夹在它们中间的所述半导体或绝缘体的结构上时，从带负电荷电极(阴极)射入所述半导体或绝缘体的大部分电子为准弹道性质，即这部分射入电子在所述半导体或绝缘体内被加速而不遭受任何明显的非弹性能量损耗，因而在带正电荷电极(阳极)处得到足够的能量与合适的动量使能穿过所述阳极而从所述结构逸入空间(真空)，所述半导体或绝缘体包括一种具有一个预定的晶体取向的材料或材料系统。
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公开(公告)号：CN1121702C
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN98116965.1
申请日：1998-08-25
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明为一种场致发射型电子源，具有导电性基板(1)、在导电性基板一表面侧形成的具有毫微构造的氧化或氮化的多孔多晶硅层(6)、以及在该多孔多晶硅层上形成的金属薄膜(7)，相对于导电性基板将金属薄膜作为正极加上电压，通过金属薄膜发射电子束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1118860C
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN97192198.9
申请日：1997-12-10
Applicant: 电灯专利信托有限公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J61/545 , H01J2201/306
Abstract: 放电灯的，尤其是借助一种介电阻挡放电运行的放电灯(6)的冷阴极(1)，具有两个导电的、相互面对着的电极，在这两个电极之间，夹层式地设置有一个铁电体，至少电极之一具有一个或多个开孔。在运行时，在两个电极上施加一个具有快速变换极性的电压。通过这种方法，在铁电体的表面释放出电子，这些电子在放电灯的运行电压作用下，穿过开孔向着灯的阳极(8)被加速，并用于起动及维持灯(6)的放电。
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公开(公告)号：CN1254173A
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：CN99124377.3
申请日：1999-11-16
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明的场致发射型电子源10,设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中,从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子,在强电场漂移层6内向正面漂移,经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6,通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化,再用稀硝酸等氧化形成。
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公开(公告)号：CN1215907A
公开(公告)日：1999-05-05
申请号：CN98116965.1
申请日：1998-08-25
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明为一种场致发射型电子源,具有导电性基板(1)、在导电性基板一表面侧形成的具有纳米构造的氧化或氮化的多孔多晶硅层(6)、以及在该多孔多晶硅层上形成的金属薄膜(7),相对于导电性基板将金属薄膜作为正极加上电压,通过金属薄膜发射电子束。
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公开(公告)号：CN1164120A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN96123989.1
申请日：1996-12-28
Applicant: 三星电管株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J29/04 , H01J2201/306
Abstract: 本发明提供了一种阴极，它包括：基体；在基体上所形成的下部电极层；阴极层，它是在下部电极层上形成的，使用了一种铁电发射体；上部电极层，它是在铁电阴极层上形成的，它有可以从其表面发射电子的区域；以及一个激励电极层，它是在上部电极层上形成的，用于控制从上部电极层电子发射区发射电子。
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公开(公告)号：CN104795296A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024482.4
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J1/30 , H01J9/02 , H01J31/12
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，包括：多个条形第一电极，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸；多个条形第二电极，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，所述多个条形第一电极和多个条形第二电极交叉且间隔设置，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极定义一电子发射单元，每一电子发射单元进一步包括位于条形第一电极与条形第二电极之间且依次层叠设置的一绝缘层、一电子收集层以及一半导体层，所述电子收集层为一导电层。本发明还提供一种电子发射显示器。
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