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    Fonctionnement à haute pression d'une cathode froide à émission de champ
    15.
    发明公开
    Fonctionnement à haute pression d'une cathode froide à émission de champ 审中-公开
    Betrieb bei Hochdruck einer Feldemissionskaltkathode

    公开(公告)号：EP1052668A1

    公开(公告)日：2000-11-15

    申请号：EP00401027.8

    申请日：2000-04-13

    Applicant: ALCATEL

    Inventor： Pierrejean, Didier

    IPC: H01J3/02 ,  H01J49/08 ,  H01J49/14 ,  H01J27/20

    CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J1/20 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/196 ,  H01J2201/30403

    Abstract: Un dispositif de génération d'électrons par cathode à émission de champ (1) selon l'invention comprend un réseau de micropointes (4-7) émettrices d'électrons associées à une grille (13) et portées par un substrat (3) dans lequel sont intégrés des moyens de chauffe (25-28) pour amener et maintenir les micropointes (4-7) à une température d'environ 300°C à 400°C pendant l'émission d'électrons. La cathode peut ainsi fonctionner à des pressions résiduelles d'air plus élevées, sans risque de claquage.

    Abstract translation: 根据本发明的通过场发射阴极产生电子的系统包括与栅格相关联的电子发射微点阵列，并由具有整体加热器装置的衬底承载，用于将微点加热至大约范围内的温度 300℃至约400℃，并在电子发射期间将其保持在该温度。 因此，阴极可以在更高的残余空气压力下起作用，而不会有击穿的风险。

    High-pressure operation of a field-emission cold cathode
    18.
    发明授权
    High-pressure operation of a field-emission cold cathode 失效
    场致发射冷阴极的高压运行

    公开(公告)号：US06559442B1

    公开(公告)日：2003-05-06

    申请号：US09551563

    申请日：2000-04-18

    Applicant: Didier Pierrejean

    Inventor： Didier Pierrejean

    IPC: B01D5944

    CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J1/20 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/196 ,  H01J2201/30403

    Abstract: A system in accordance with the invention which generates electrons by means of a field-emission cathode comprises an array of electron-emitting micropoints associated with a grid and carried by a substrate with integral heater means for heating the micropoints to a temperature in the range approximately 300° C. to approximately 400° C. and maintaining them at that temperature during emission of electrons. The cathode can therefore function at higher residual air pressures with no risk of breakdown.

    Abstract translation: 根据本发明的通过场发射阴极产生电子的系统包括与栅格相关联的电子发射微点阵列，并由具有用于将微点加热到大约范围内的温度的整体加热器装置的衬底承载 300℃至约400℃，并在电子发射期间将其保持在该温度。 因此，阴极可以在更高的残留空气压力下起作用，而不会有击穿的危险。

    ELECTRON BEAM CONTROL METHOD, ELECTRON BEAM GENERATING APPARATUS, APPARATUS USING THE SAME, AND EMITTER
    19.
    发明申请
    ELECTRON BEAM CONTROL METHOD, ELECTRON BEAM GENERATING APPARATUS, APPARATUS USING THE SAME, AND EMITTER 审中-公开
    电子束控制方法，电子束生成装置，使用其的装置和发射器

    公开(公告)号：WO2008001030A1

    公开(公告)日：2008-01-03

    申请号：PCT/GB2006/050180

    申请日：2006-06-30

    Applicant: SHIMADZU CORPORATION ,  FUJITA, Shin ,  EL-GOMATI, Mohamed ,  WELLS, Torquil

    Inventor： FUJITA, Shin ,  EL-GOMATI, Mohamed ,  WELLS, Torquil

    IPC: H01J1/13 ,  H01J3/02 ,  H01J37/06 ,  H01J35/06

    CPC classification number: H01J37/065 ,  H01J35/06 ,  H01J2201/196 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/3175

    Abstract: Provided is a Schottky emitter having the conical end with a radius of curvature of 2.0 µm on the emission side of an electron beam. Since a radius of curvature is 1 µm or more, a focal length of an electron gun can be longer than in a conventional practice wherein a radius of curvature is in the range of from 0.5 µm to not more than 0.6 µm . The focal length was found to be roughly proportional to the radius of the curvature. Since the angular current intensity (the beam current per unit solid angle) is proportional to square of the electron gun focal length, the former can be improved by an order of magnitude within a practicable increase in the emitter radius. A higher angular current intensity means a larger beam current available from the electron gun and the invention enables the Schottky emitters to be used in applications which require relatively high beam current of microampere regime such as microfocus X-ray tube, electron probe micro-analyzer, and electron beam lithography system.

    Abstract translation: 提供了一种在电子束的发射侧具有2.0μm的曲率半径的锥形端的肖特基发射体。 由于曲率半径为1μm以上，电子枪的焦距可以比曲率半径在0.5μm以上0.6μm以下的现有技术中更长。 发现焦距与曲率半径成正比。 由于角电流强度（每单位立体角的射束电流）与电子枪焦距的平方成比例，所以前者可以在发射极半径的可行增加范围内提高一个数量级。 较高的角电流强度意味着可从电子枪获得的较大的束电流，并且本发明使肖特基发射体能够用于需要相对较高的微安电流束流的应用，如微焦X射线管，电子探针微量分析仪， 和电子束光刻系统。

    ARRAY OF CARBON NANOTUBE MICRO-TIP STRUCTURES
    20.
    发明申请
    ARRAY OF CARBON NANOTUBE MICRO-TIP STRUCTURES 有权
    碳纳米管微型结构阵列

    公开(公告)号：US20160329184A1

    公开(公告)日：2016-11-10

    申请号：US15214779

    申请日：2016-07-20

    Applicant: Tsinghua University ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    Inventor： YANG WEI ,  SHOU-SHAN FAN

    IPC: H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J9/04

    CPC classification number: H01J1/14 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/042 ,  H01J37/073 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/196 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06333 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/28 ,  H01J2329/0455 ,  Y10T428/24132

    Abstract: An array of carbon nanotube micro-tip structure includes an insulating substrate and a plurality of patterned carbon nanotube film structures. The insulating substrate includes a surface. The surface includes an edge. A plurality of patterned carbon nanotube film structures spaced from each other. Each of the plurality of patterned carbon nanotube film structures is partially arranged on the surface of the insulating substrate. Each of the plurality of patterned carbon nanotube film structures comprises two strip-shaped arms joined together forming a tip portion protruding and suspending from the edge of the surface of the insulating substrate. Each of the two strip-shaped arms comprises a plurality of carbon nanotubes parallel to the surface of the insulating substrate.

    Abstract translation: 碳纳米管微尖端结构的阵列包括绝缘基板和多个图案化的碳纳米管薄膜结构。 绝缘基板包括表面。 表面包括边缘。 多个图案化的碳纳米管薄膜结构彼此间隔开。 多个图案化碳纳米管膜结构中的每一个部分地布置在绝缘基板的表面上。 多个图案化碳纳米管膜结构中的每一个包括两个连接在一起的条形臂，形成从绝缘基板的表面的边缘突出并悬挂的末端部分。 两个条形臂中的每一个包括平行于绝缘基板的表面的多个碳纳米管。

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