公开(公告)号：CN1292042A

公开(公告)日：2001-04-18

申请号：CN99803420.7

申请日：1999-02-27

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 查尔斯·E·亨特 ,  安德烈·G·恰科霍夫斯科伊

IPC: C25B3/00 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明提供一种场致发射阴极(20),包括由多孔碳泡沫材料形成的发射元件(22)。该发射元件具有限定许多发射边缘的发射表面(24)。

公开(公告)号：CN101894726A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010251052.8

申请日：2010-08-12

Applicant: 福州大学

Inventor： 郭太良 ,  张永爱 ,  于荣光 ,  叶芸 ,  翁卫祥 ,  张杰

IPC: H01J29/46 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2329/041 ,  H01J2329/0439

Abstract: 本发明涉及电子显示器件制造技术领域，特别是一种新型无介质三极场发射器，包括相互配合工作的阴栅基板和阳极基板，其特征在于：该场发射器为无介质三极结构，阴栅基板上并排设有多个相互平行的条状电极，各条状电极由两层或两层以上电极依次叠加组成，底层为金属氧化物导电薄膜电极，上层为金属或导电金属颗粒电极，金属氧化物导电薄膜电极的边缘为锯齿状或矩形结构，在金属氧化物导电薄膜电极的边缘设置有场发射材料或在两金属氧化物导电薄膜电极之间的空隙处设置电子传导层；在阳极基板上设有阳极电极和荧光粉层。该场发射器不仅有利于增强电极边缘发射效应，增强电极调控作用，降低场发射的开启电场，而且制造工艺简单，易于生产制造。

公开(公告)号：CN1574156B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200410076614.4

申请日：2004-04-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 尹泰逸 ,  文钟云 ,  赵晟希 ,  姜晟基 ,  金薰英 ,  李玹姃

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  C01B31/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B22F1/0007 ,  B22F1/025 ,  B22F9/24 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明公开了一种用于电子发射源的碳基复合颗粒，包括：选自金属、氧化物及陶瓷材料的颗粒；以及碳基材料，如部分埋藏在颗粒内部且部分从颗粒表面伸出的碳纳米管。

公开(公告)号：CN101527238A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910128900.3

申请日：2002-07-18

Applicant: (由空军部长代表的)美利坚合众国

Inventor： D·A·小施弗勒

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明涉及场发射冷阴极。具体的，本发明涉及一种在真空管中使用的场发射冷阴极(11)。碳丝绒材料(25)由垂直于基体材料嵌入的高纵横比的碳纤维组成。碳丝绒材料(25)的尖端和/或杆部上涂覆有低功函铯盐。碳丝绒材料(25)的基体材料被结合到阴极表面(27)。冷阴极(11)当施加电场时发射电子，即使在小于900℃的操作温度下。

公开(公告)号：CN101515524A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910004963.8

申请日：2009-02-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金润珍 ,  金载明 ,  朱圭楠 ,  朴铉基 ,  李邵罗 ,  文希诚

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0465

Abstract: 本发明提供一种用于制备电子发射器的水基复合物及使用其制备的发射器。一种用于形成电子发射器的水基复合物，其包括含碳化合物、硅酸盐化合物和水。一种电子发射器包括含碳化合物和硅酸盐化合物，并且使用水基复合物来制备。一种电子发射器件包括该电子发射器。用于形成电子发射器的水基复合物适于形成特别的图案，且采用水基复合物制备的电子发射器具有非常小的残余碳量。

公开(公告)号：CN101160638A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200680012338.2

申请日：2006-04-18

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 黑岩裕 ,  鸣岛晓 ,  伊藤节郎

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12 ,  H01J31/15 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/30446

Abstract: 提供了使用便宜且可大量制造的电子发射材料的电子发射体、场致发射显示装置、冷阴极荧光管以及平面型照明装置。通过将钙铝石型化合物12CaO·7Al2O3或12SrO·7Al2O3的任1种的含量在50摩尔％以上、且粒子的最大径在100μm以下的显示导电性的钙铝石型化合物的粉末作为电子发射体使用，可以实现制造容易、且在低施加电压下发射电子，同时可以实现对相同的施加电压表面得到强电流的电子发射体、场致发射显示装置以及冷阴极荧光管。

公开(公告)号：CN101127288A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710129276.X

申请日：2007-04-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金柱英

IPC: H01J1/30 ,  H01J29/04 ,  C07F7/02 ,  C08L83/04 ,  C08K3/04 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30446 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明涉及一种电子发射源、用于形成该电子发射源的组合物、形成该电子发射源的方法以及包括该电子发射源的电子发射装置。所述用于形成电子发射源的组合物包含：碳基材料、硅基材料和载体，其中所述硅基材料为以右式(1)、式(2)和式(3)表示的硅基材料中的至少一种，其中R1－R22各自独立为取代或未取代的C1－C20烷基、取代或未取代的C1－C20烷氧基、取代或未取代的C1－C20烯基、卤素原子、羟基或巯基，m和n各自独立为0－1000的整数。在显影和活化过程中，与不包含硅基材料的用于形成电子发射源的组合物相比，所述组合物具有改善的与基板的粘附性和改善的抗剥离性能。

公开(公告)号：CN1754244A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200480004839.7

申请日：2004-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田尾本昭 ,  尾崎丰一 ,  出口正洋 ,  柴田元司

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01J9/022 ,  C01B32/20 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明涉及电子发射特性优异的电子发射材料。本发明特别涉及一种含有取向性石墨的电子发射材料的制造方法，其特征在于，具有制备取向性石墨的工序，该工序是在表面存在碳之外的第2组分的状态下，通过对高分子薄膜进行热处理，得到含该第2组分、且内部有空穴的取向性石墨。

公开(公告)号：CN1216394C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN02142595.7

申请日：2002-09-24

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 菰田卓哉 ,  竹川宜志 ,  相泽浩一 ,  幡井崇 ,  栎原勉 ,  本多由明 ,  渡部祥文 ,  马场徹

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/06

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/3125

Abstract: 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e-)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。

公开(公告)号：CN1650384A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809180.1

申请日：2003-04-24

Applicant: 纳幕尔杜邦公司

Inventor： L·-T·A·程 ,  D·H·罗奇

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/745

Abstract: 本发明提供了由含有电子发射物质和膨胀材料的物质形成的组合物。膨胀材料可以是例如层间化合物。当薄膜是由这种组合物形成时，膨胀材料的膨胀典型地会引起薄膜的断裂或破裂。在膨胀材料发生膨胀之后，对薄膜表面典型地不要求作进一步处理，以便获得良好的发射性能。利用这一类破裂薄膜形成的表面起着有效的电子场致发射体作用，因而能用于真空微电子器件。