公开(公告)号：CN105339527B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201480035789.2

申请日：2014-07-08

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 樱井晶 ,  谷雨 ,  佐藤雄次 ,  熊谷训

IPC: C25C1/12 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C22C9/00 ,  C23C14/3414 ,  C25C1/12 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/3323

Abstract: 本发明的高纯度铜溅射靶用铜原材料，除O、H、N、C以外的Cu的纯度在99.999980质量％以上且99.999998质量％以下的范围内，Al的含量为0.005质量ppm以下，Si的含量为0.05质量ppm以下。

公开(公告)号：CN106098521A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610270946.9

申请日：2016-04-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·韦尔特斯彻 ,  P·祖潘 ,  W·舒斯特德 ,  M·杰里纳克 ,  R·埃伯维恩 ,  F·科勒纳

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/0822 ,  H01J37/317

Abstract: 本公开涉及用于金属注入的离子源及其方法，具体地，用于注入机的离子源包括设置在离子源室中的第一固态源电极。第一固态源电极包括耦合至第一负电位节点的源材料。第二固态源电极设置在离子源室中。第二固态源电极包括耦合至第二负电位节点的源材料，并且第一固态源电极和第二固态源电极被配置为产生通过注入机注入的离子。

公开(公告)号：CN105593406A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480054142.4

申请日：2014-07-31

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： S·A·米勒

IPC: C23C24/00 ,  B05D5/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C24/04 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/332

Abstract: 在各种实施方案中，通过喷涂沉积靶材的颗粒以至少部分填充某些区域(例如，最深侵蚀的区域)而在其他侵蚀区域(例如，更少侵蚀的区域)内没有喷涂沉积来部分地翻新侵蚀溅射靶。在溅射性能(例如，溅射速率)和/或溅射膜的性能没有实质性改变的情况下，部分地翻新的溅射靶可以在部分翻新后溅射。

公开(公告)号：CN105463384A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510606832.2

申请日：2015-09-22

Applicant: 苹果公司

Inventor： M·S·罗杰斯

IPC: C23C14/34 ,  C23C16/513 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01J37/32596 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/542 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C28/04 ,  G02B1/113 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32614 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3435 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321

Abstract: 本申请涉及耐用的3D几何形状保形抗反射涂层。更具体而言，公开了用于沉积薄膜的方法和系统。该方法和系统可以被用来在基板表面上沉积具有均匀厚度的膜，其中基板表面具有非平坦三维几何形状，诸如弯曲的表面。该方法涉及沉积源的使用，其中沉积源具有符合基板表面的非平坦三维几何形状的形状。在一些实施例中，多层膜沉积在彼此之上，从而形成多层涂层。在一些实施例中，多层涂层是用于窗口或透镜的抗反射(AR)涂层。

公开(公告)号：CN103069537A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180040721.X

申请日：2011-08-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 奎格·R·钱尼

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/20 ,  H01J37/08 ,  H01J27/08

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/0827

Abstract: 一种装置，包括电弧室外壳(2O3)及馈入系统(210)。电弧室外壳定义电弧室(204)。馈入系统经组态以馈入溅镀标靶(212)至电弧室。一种方法，包括馈入溅镀标靶至电弧室以及离子化溅镀标靶的一部分，其中电弧室藉由电弧室外壳定义。

公开(公告)号：EP0439220B1

公开(公告)日：1996-11-13

申请号：EP91200066.8

申请日：1991-01-15

Applicant: CONSORZIO PER LA RICERCA SULLA MICROELETTRONICA NEL MEZZOGIORNO

Inventor： Raspagliesi, Mario ,  Medulla, Candido

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J27/22

CPC classification number: H01J27/22 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/31701

公开(公告)号：EP0470209A1

公开(公告)日：1992-02-12

申请号：EP90912792.0

申请日：1990-08-31

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

Inventor： KLUGE, Andreas ,  NELLE, Peter

IPC: C23C14 ,  H01J27 ,  H01J37 ,  H01L21

CPC classification number: H01J27/22 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/31701

Abstract: Pour simplifier la structure d'une source d'ions métalliques, en particulier pour l'implantation de faibles doses de métaux difficilement évaporables dans des tranches de silicium semiconductrices, la source d'ions métalliques comporte une cathode incandescente chauffable électriquement sous la forme d'un filament chauffant à l'intérieur d'une chambre à ions (1a), ledit filament chauffant (3) étant disposé près d'une pièce métallique (6) dans le métal destiné au dégagement d'ions métalliques et placé essentiellement au potentiel dudit métal.

公开(公告)号：WO2016017661A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/JP2015/071433

申请日：2015-07-29

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 浅井　健吾 ,  志知　広康 ,  高須　久幸 ,  岩谷　徹

IPC: H01J27/04 ,  H01J37/08 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/04 ,  H01J37/30 ,  H01J37/305 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/303

Abstract: 　従来よりも著しく大きいミリング速度を得ることが可能なペニング放電方式のイオンガンおよびそれを有するイオンミリング装置、イオンミリング方法を提供する。イオン生成部は、電子を放出するカソード（１１、１２）と、前記イオン生成部の内部に設けられ、内径が５．２ｍｍ以下のアノード（１３）と、最大エネルギー積が１１０ｋＪ／ｍ３から１９１ｋＪ／ｍ３の範囲である永久磁石による磁場発生手段（１４）と、を有することを特徴とする。

Abstract translation: 提供一种Penning放电型离子枪，可以获得比传统实现的更高的铣削速度，具有离子枪的离子研磨装置和离子铣削方法。 本发明的特征在于具有：用于发射电子的阴极（11,12）的离子发生器; 设置在离子发生器中的阳极（13），阳极（13）的内径为5.2mm以下; 以及能够使用具有110-191kJ / m 3的最大能量积的永磁体的磁场产生装置（14）。

公开(公告)号：WO2015017627A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：PCT/US2014/049073

申请日：2014-07-31

Applicant: H.C. STARCK INC.

Inventor： MILLER, Steven, A.

IPC: C23C24/00 ,  B05D5/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C24/04 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/332

Abstract: In various embodiments, eroded sputtering targets are partially refurbished by spray- depositing particles of target material to at least partially fill certain regions (e.g., regions of deepest erosion) without spray-deposition within other eroded regions (e.g., regions of less erosion). The partially refurbished sputtering targets may be sputtered after the partial refurbishment without substantive changes in sputtering properties (e.g., sputtering rate) and/or properties of the sputtered films.

Abstract translation: 在各种实施例中，侵蚀的溅射靶通过喷射沉积目标材料的颗粒而部分地翻新，以至少部分地填充某些区域（例如，最深的侵蚀区域），而不会在其它侵蚀区域（例如较少侵蚀的区域）内进行喷雾沉积。 部分翻新的溅射靶可以在部分翻新之后溅射，而溅射性能（例如，溅射速率）和/或溅射膜的性质没有实质性的变化。

公开(公告)号：EP3006594B1

公开(公告)日：2018-03-28

申请号：EP14803503.3

申请日：2014-05-26

Applicant: Japan Science and Technology Agency ,  Ayabo Corporation

Inventor： NAKAJIMA, Atsushi ,  TSUNOYAMA, Hironori ,  ZHANG, Chuhang ,  AKATSUKA, Hiroki ,  TSUKAMOTO, Keizo

IPC: C23C14/32 ,  H01J27/20 ,  H01J37/08 ,  H01J37/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3467 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/0812

Abstract: Improvement of control of size and structure of nanoclusters with a nanocluster production apparatus is intended. Increase of an obtained amount and a yield of nanoclusters having size and structure, at least one of which is selected, is intended. A nanocluster production apparatus has a vacuum chamber, a sputtering source that generates plasma by pulse discharge, a pulse power supply that supplies a pulsed power to the sputtering source, a first inert gas supply device that supplies a first inert gas to the sputtering source, a nanocluster growth cell stored in the vacuum chamber and a second inert gas introduction device that introduces a second inert gas into the nanocluster growth cell.