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公开(公告)号：CN101452797B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200710124827.3
申请日：2007-12-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30484 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2203/0272
Abstract: 一种场发射电子源，其包括：一绝缘基底；一阴极发射电极设置于该绝缘基底上，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上；一隔离体设置于该绝缘基底上；以及一金属栅网设置在该隔离体上，且该金属栅网进一步延伸到阴极发射电极上方；其中，该隔离体与阴极电极间隔设置。一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一绝缘基底；在上述绝缘基底上制备一阴极发射电极，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于其上；在绝缘基底上制备一隔离体预制体，并对该隔离体预制体进行曝光；在上述隔离体预制体上制作一金属栅网；以及除去上述隔离体预制体已经曝光部分，形成一隔离体与阴极电极间隔设置，从而得到一场发射电子源。
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公开(公告)号：CN102222594A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110095649.2
申请日：2011-04-18
Applicant: 西门子公司
Inventor： 汉斯-迪特尔.福伊希特 , 詹斯.富尔斯特
CPC classification number: H01J1/304 , C09J9/02 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J35/065 , H01J2201/30469 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明涉及一种环形阴极段，包括多个位于X射线管的环形阴极上的发射极位置(E1，E2)，其中，该环形阴极段在非导电的、构成为环形段的支撑体(T)上在多个发射极位置(E1，E2)处具有带有平坦表面的导电胶粘剂层(K)，以及在多个发射极位置(E1，E2)处在导电胶粘剂层(K)上分别形成具有导电纳米结构(NT)的层。本发明还涉及一种CT系统的环形X射线管，具有多个位于固定的环形阴极上的发射极位置(E1，E2)，该环形阴极包括由多个环形阴极段构成的阴极环，其中每个环形阴极段由弯曲的环形段形状的支撑体(T)构成，在每个环形阴极段上在发射极位置(E1，E2)上彼此绝缘地涂覆导电胶粘剂层(K)，以及在每个发射极位置上在导电胶粘剂层(K)上直接涂覆具有导电纳米结构(NT)的层。
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公开(公告)号：CN101558438B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200680055754.0
申请日：2006-09-06
Applicant: 韩华石油化学株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J31/127
Abstract: 本发明涉及场致发射装置和驱动该场致发射装置的方法，其具有在后衬底的第一和第二电极两者上形成的双发射极的三极结构以消除栅极与阴极之间的差别，从而实现双场致发射。在这种场致发射装置中，在阳极和后衬底的第一和第二电极的点之间形成地线，并且向其施加方波以便在第一和第二电极中交替地产生场致发射，从而增大发光区域且提高发射效率、降低驱动电压和功耗、节省制造成本和制造时间以及实现较长的寿命。
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公开(公告)号：CN1702801B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200510076218.6
申请日：2005-03-31
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 宣亨来
CPC classification number: H01J3/021 , H01J2329/00
Abstract: 公开了一种电子发射装置，包括：板；彼此绝缘并设置为具有预定形状的阴极和栅电极，栅电极位于阴极电极之下；与阴极电极和栅电极之一相连的电子发射器；以及，形成有孔的第三电极，用于对从所述电子发射器发射的电子进行控制以使其集中。利用玻璃料将第三电极附着到阴极电极。第三电极的孔宽度与电子发射器宽度的比率等于或大于约0.5并且等于或小于约1.0。使用该结构，没有扭曲或下陷，由此使亮度和色纯度达到预定标准。
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公开(公告)号：CN101866799A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010115887.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J3/021 , H01J1/3046 , H01J31/127 , H01J2201/30423 , H01J2203/0216 , H01J2203/0272 , H01J2329/0423 , H01J2329/4613 , H01J2329/4673 , H01J2329/4682
Abstract: 本发明公开了一种电子束装置和使用电子束装置的图像显示装置。所提供的电子束装置具有电子发射器件，所述电子发射器件具有简单的配置、展现出高的电子发射效率、操作稳定并且其中有效会聚发射的电子。电子束装置包括：绝缘部件，在其表面上具有凹口；栅极，位于所述绝缘部件的表面上；至少一个阴极，具有从所述凹口的边缘向所述栅极突起的突起部分，并且位于所述绝缘部件的表面上使得所述突起部分与所述栅极相对；和阳极，被布置为经由所述栅极与所述突起部分相对，其中，在所述绝缘部件的表面上形成所述栅极，使得至少与所述阴极相对的区域的一部分向外突出，并且设置其中所述栅极的端部凹陷并且夹着突出区域的凹陷部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1536609B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410032523.0
申请日：2004-04-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 广门荣信
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 图像的显示装置及冷阴极发光元件的制造方法，提供可以容易地避免阴极电极和栅极电极之间的短路，而且可以容易地进行在栅极孔内形成的包含微细纤维结构物质的物质层的膜厚管理的冷阴极发光元件。在阴极电极(101)和栅极电极(102)之间插入多个绝缘层(104A、104B)。与靠近阴极电极(101)的绝缘层(104A)接触阴极电极(101)的部分(底部开口部103a)的孔径d1相比，将靠近栅极孔(103)中的栅极电极(102)的绝缘层(104B)与栅极电极(102)接触的部分的孔径d2设定得大。在该底部开口部(116)内设置带有微细纤维结构的物质层(105)。
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公开(公告)号：CN101635239A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200810142525.3
申请日：2008-07-25
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2203/0212 , H01J2203/0272 , H01J2329/4608 , H01J2329/4673
Abstract: 一种场发射阴极装置，其包括：一绝缘基底；多个条形阴极电极，该条形阴极电极平行且间隔设置于该绝缘基底表面；多个场发射单元，该多个场发射单元间隔设置于多个条形阴极电极表面与条形阴极电极电连接并呈矩阵排列；一介质层，该介质层设置于绝缘基底表面，覆盖上述多个条形阴极电极的部分区域，并相对于每个场发射单元设有通孔；多个条形栅网，该条形栅网平行且间隔设置，并与条形阴极电极异面垂直，每个条形栅网覆盖介质层的多个通孔；其中，所述的多个栅网设置于介质层中，覆盖通孔的栅网的四周由介质层固定。
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公开(公告)号：CN100585780C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710084952.6
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J2203/0204 , H01J2203/022 , H01J2203/0248 , H01J2329/041 , H01J2329/4617 , H01J2329/4647
Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置，其包括基板，形成在所述基板上的第一电极，电连接到所述第一电极的电子发射区域，以及位于所述第一电极之上的第二电极，使得所述第二电极与所述第一电极绝缘。所述第二电极含有开口以暴露所述电子发射区域。第三电极位于所述第二电极之上使得所述第三电极与所述第二电极绝缘。所述第三电极含有与所述第二电极的开口连通的开口。各个所述电子发射区域和所述第二电极同时满足以下条件：D2/D1≤0.579(1)，以及D2≥1μm (2)。其中D1表示所述第二电极的每个开口的宽度，D2表示每个所述电子发射区域的宽度。
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公开(公告)号：CN101569529A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910139337.X
申请日：2009-04-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H01J3/021 , H01J1/30 , H01J1/3048 , H01J3/027 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2201/319 , H01J2203/0204 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明为“用于多点X射线源的虚拟矩阵控制方案”。公开用于对发射体阵列(250)中的各个电子发射体(254)进行寻址的系统(252)和方法。系统包括其中包含排列成非矩阵布局并且配置成产生至少一个电子束(28)的多个发射体元件)的发射体阵列，以及设置成与发射体阵列相邻的多个引出栅格(256)，各引出栅格与至少一个发射体元件关联以便从其引出至少一个电子束。场发射体阵列系统还包括多个电压控制通道(260)，它与多个发射体元件和多个引出栅格连接，使得发射体元件的每个和引出栅格的每个是可单个寻址的。在场发射体阵列系统中，电压控制通道的数量等于其乘积等于发射体元件的数量的值最接近的一对整数之和。
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公开(公告)号：CN101558438A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200680055754.0
申请日：2006-09-06
Applicant: 韩华石油化学株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J31/127
Abstract: 本发明涉及场致发射装置和驱动该场致发射装置的方法，其具有在后衬底的第一和第二电极两者上形成的双发射极的三极结构以消除栅极与阴极之间的差别，从而实现双场致发射。在这种场致发射装置中，在阳极和后衬底的第一和第二电极的点之间形成地线，并且向其施加方波以便在第一和第二电极中交替地产生场致发射，从而增大发光区域且提高发射效率、降低驱动电压和功耗、节省制造成本和制造时间以及实现较长的寿命。
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