公开(公告)号：FR3046492A1

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：FR1563507

申请日：2015-12-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BERTHELON REMY ,  DUTARTRE DIDIER ,  MORIN PIERRE ,  ANDRIEU FRANCOIS ,  BAYLAC ELISE

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/76

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un transistor comprenant les étapes suivantes : a) former une couche semiconductrice (52) s'étendant sur une couche isolante ; b) oxyder thermiquement la couche semiconductrice sur toute son épaisseur selon deux barres (38) s'étendant dans la direction de la largeur de grille du transistor; et c) former des tranchées d'isolement orientées dans la direction de la longueur de grille du transistor, la couche semiconductrice étant contrainte avant ou après l'étape a).

公开(公告)号：FR3045938A1

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：FR1563063

申请日：2015-12-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GRENOUILLET LAURENT ,  ATHANASIOU SOTIRIS ,  GALY PHILIPPE

IPC: H01L21/8232 ,  G11C11/407

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré (1), comprenant : -un transistor à effet de champ (2), comprenant : -des première et deuxième électrodes de conduction (201, 202) ; -une zone de canal (203) disposée entre les première et deuxième électrodes de conduction ; -un empilement de grille (220) disposé à l'aplomb de la zone de canal, et comprenant une électrode de grille (222) ; -un point mémoire de type RRAM (31) ménagé sous la zone de canal, ou ménagé dans l'empilement de grille sous l'électrode de grille.

公开(公告)号：FR3045869A1

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：FR1562785

申请日：2015-12-18

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： AYRES ALEXANDRE ,  BOROT BERTRAND

IPC: G06F17/50 ,  H01L23/535

Abstract: Structure intégrée tridimensionnelle comprenant au moins un premier substrat (S1, S3, S5) comportant des premiers composants (1) orientés selon au moins une première direction (D1), un deuxième substrat (S2, S4, S6) comportant des deuxièmes composants (1) orientés selon au moins une deuxième direction (D2) et au moins un niveau d'interconnexion (B1, B2, B3, B3, B) comportant des lignes électriquement conductrices (21, 22) s'étendant selon au moins une troisième direction (D3), la deuxième direction (D2) et/ou la troisième direction (D3) formant un angle non droit et non nul avec la première direction (D1) de sorte que deux points (4, 5, 16, 17, 19, 20) des premiers ou des deuxièmes composants soient reliés par une première liaison électrique (3, 11, 14, 15, 18) comportant au moins l'une des lignes électriquement conductrices.

公开(公告)号：FR3041146A1

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：FR1558482

申请日：2015-09-11

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： AUGENDRE EMMANUEL ,  HALIMAOUI AOMAR ,  MAITREJEAN SYLVAIN ,  REBOH SHAY

IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/772

Abstract: Procédé de réalisation d'une couche de matériau semi-conducteur comprenant des étapes de : a) formation d'un empilement comprenant une première couche (3) à base d'un premier matériau semi-conducteur revêtu d'une deuxième couche (6) à base d'un deuxième matériau semi-conducteur de paramètre de maille différent de celui du premier matériau semi-conducteur, b) réaliser sur la deuxième couche semi-conductrice un masque (10) présentant une symétrie, c) rendre amorphe la première couche semi-conductrice (3) ainsi que des zones (6') de la deuxième couche semi-conductrice (6) sans rendre amorphe une ou plusieurs régions (6a, 6b, 6c) de la deuxième couche semi-conductrice protégées par le masque et disposées respectivement en regard du ou des blocs de masquage d) effectuer une recristallisation des régions rendues amorphes (6a, 6b, 6c) et de la première couche semi-conductrice d'où il résulte que cette première couche semi-conductrice est contrainte (figure 1A).

公开(公告)号：FR3041116A1

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：FR1558669

申请日：2015-09-16

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BAUDOT CHARLES ,  DOUIX MAURIN FELICIEN ,  BOEUF FREDERIC ,  CREMER SEBASTIEN

IPC: G02F1/025

Abstract: L'invention concerne un modulateur de phase électro-optique (31) comprenant un guide d'onde (33) comportant une bande de silicium monocristallin (35) dopé d'un premier type de conductivité reposant sur un support isolant (37) et surmontée d'une bande de silicium polycristallin (41) dopé du deuxième type de conductivité, lesdites bandes étant séparées l'une de l'autre par une couche d'interface isolante (43), chacune des bandes se prolongeant latéralement par une extension (47, 53) comprenant une première portion (49, 55) dont la face supérieure est au niveau de la face supérieure de la bande de silicium polycristallin et est revêtue d'un contact électrique (61, 63), et une deuxième portion (51, 57) s'étendant de la bande à la première portion, la deuxième portion de l'extension de la bande de silicium monocristallin étant moins épaisse que la bande de silicium monocristallin.

公开(公告)号：FR3040538A1

公开(公告)日：2017-03-03

申请号：FR1557878

申请日：2015-08-24

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： BIDAL GREGORY

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/8249

Abstract: L'invention concerne un transistor MOS (41) comprenant une couche semiconductrice (11, 43) reposant sur un isolant (45) et de surface supérieure sensiblement plane, la couche semiconductrice s'étendant sur une première profondeur dans la région de canal (5), et sur une deuxième profondeur supérieure à la première profondeur dans les régions de source et de drain (43).

公开(公告)号：FR3039704A1

公开(公告)日：2017-02-03

申请号：FR1557206

申请日：2015-07-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： RODRIGUEZ GUILLAUME ,  HALIMAOUI AOMAR ,  ORTIZ LAURENT

IPC: H01L29/43 ,  H01L23/48 ,  H01L29/92

Abstract: L'électrode (3) pour structure de type Métal-Isolant-Métal est formée d'un empilement comprenant successivement une couche en or (7), une couche barrière (8) en oxyde électriquement conducteur et une couche en platine (6). L'oxyde électriquement conducteur (8) est, avantageusement, un oxyde de métal noble, et, préférentiellement, l'oxyde de ruthénium. L'électrode est disposée sur un substrat (4). La couche en or (7) de l'électrode (3) est séparée du substrat (4) par une couche d'accroche (9) à base de dioxyde de titane. L'électrode (3) est utilisée pour réaliser une capacité de type Métal-lsolant-Métal .

公开(公告)号：DE102015121913A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102015121913

申请日：2015-12-16

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： PERRIN EMMANUEL

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

Abstract: Integrierte Schaltung, umfassend ein Substrat (1) vom Typ SOI, umfassend eine Halbleiterfolie (12), die sich über einer vergrabenen Isolierschicht (11) befindet, die sich selbst über einem Trägersubstrat (10) befindet, wobei die Halbleiterfolie (12) eine erste Zone (Z1), erste Motive (21) über der ersten Zone (Z1) der Halbleiterfolie (12) umfasst, die Gate-Bereiche von ersten MOS-Transistoren und erste fiktive Gate-Bereiche bilden, wobei die erste Zone (Z1) der Halbleiterfolie zwei wechselseitig beabstandete Bereiche (d1, d2) umfasst, wobei der Raum (7) mit mindestens einem Isoliermaterial (9) gefüllt ist und sich zwischen zwei fiktiven Gate-Bereichen (240, 241) über einem Bereich des Trägersubstrats (11) ohne Isoliereinschnitt befindet.

公开(公告)号：FR3003686B1

公开(公告)日：2016-11-04

申请号：FR1352497

申请日：2013-03-20

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： HALIMAOUI AOMAR ,  HARTMANN JEAN-MICHEL

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324

公开(公告)号：FR3001831B1

公开(公告)日：2016-11-04

申请号：FR1350941

申请日：2013-02-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： NIEBOJEWSKI HEIMANU ,  MORAND YVES ,  LE ROYER CYRILLE

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78