公开(公告)号：KR1019980009512A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960028938

申请日：1996-07-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장홍규 ,  고석근 ,  정형진 ,  최원국

IPC: C23C16/54

公开(公告)号：KR100134552B1

公开(公告)日：1998-04-20

申请号：KR1019940021213

申请日：1994-08-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이동헌 ,  이전국 ,  정형진

IPC: H01L21/316

Abstract: 본 발명은 모스 캐패시터용 유전 박막 조성물 및 그 유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 캐피시터용 유전박막은 실리콘 기판과의 계면에서 많은 결함이 존재하여 이로인한 정정용량-전압 특성에서 많은 히스테리시스를 보이고 있어 이것을 이용한 응용소자의 경우 실용화하는데 문제점이 있으며, 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 초소형화시에는 고전압(8MV/cm)하에서 발생되는 유전막의 누설전류(leakage current)로 인하여 발생되는 읽기/쓰기 횟수(read/write cycle)의 감소 및 데이타 리텐션열화(data reterion degradation)가 해결되어야 하는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride)의 계면이 전기적으로 강하다는 점에 착안하여, TiO
2 의 음이온인 산소를 질소로 일부치환하여 유전상수가 크고 정전용량-전압 특성에서 쉽게 발생하는 히스테리시스(Hysteresis)가 없고 유전 파괴전압이 우수한 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 조성물을 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR100114781B1

公开(公告)日：1997-04-29

申请号：KR1019930008204

申请日：1993-05-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  윤기현 ,  김동필 ,  김응수

IPC: H01G4/12

公开(公告)号：KR100114406B1

公开(公告)日：1997-04-17

申请号：KR1019960050578

申请日：1996-10-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  김현재 ,  김경용 ,  윤석진 ,  윤상옥 ,  나까무라데쯔오 ,  이또미찌루

IPC: C04B35/465

公开(公告)号：KR100114405B1

公开(公告)日：1997-04-17

申请号：KR1019960050580

申请日：1996-10-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  김현재 ,  김경용 ,  윤석진 ,  윤상옥 ,  나까무라데쯔로우 ,  이또오미쯔루 ,  이나구마요시유끼

IPC: C04B35/465

公开(公告)号：KR100114403B1

公开(公告)日：1997-04-17

申请号：KR1019960052597

申请日：1996-11-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  김현재 ,  김경용 ,  윤석진 ,  윤상옥 ,  나까무라데쯔로우 ,  이또오미쯔루 ,  손정호

IPC: C04B35/465

公开(公告)号：KR1019970001380B1

公开(公告)日：1997-02-05

申请号：KR1019930008204

申请日：1993-05-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  윤기현 ,  김동필 ,  김응수

IPC: H01G4/12

Abstract: The high frequency dielectric ceramics composite has a composition expression (1-x)[Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 + xBaWO4, under the condition that the range of x is from 0.01 to 0.09.

Abstract translation: 在x的范围为0.01〜0.09的条件下，高频电介质陶瓷复合体具有组成表达式（1-x）[Ba（Mg1 / 3Ta2 / 3）O3 + xBaWO4）。

公开(公告)号：KR1019970001059B1

公开(公告)日：1997-01-25

申请号：KR1019960052596

申请日：1996-11-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정형진 ,  김현재 ,  김경용 ,  윤석진 ,  윤상옥 ,  나까무라데쯔로우 ,  이또오미쯔루 ,  손정호

IPC: C04B35/465

Abstract: Dielectric ceramic composition for high-frequency wave is described which has high quality coefficient(Q value) and dielectric constant, and good temperature coefficient of resonance frequency. The dielectric ceramic composition may be represented as following formula: (1-y)CaTiO3-yLa(Zn1-x/2Mgx/2Ti1/2)O3, where, x is from 0 to1.0 and y is from 0.3 to 0.9. The dielectric composition according tothe invention has dielectric constant of 28.6 to 58.6, Qxfo(GHz) of 29,300 to 71,000, and the temperature coefficient of resonance frequency(TCF) ranging from -53.82 to +52.32 ppm/deg. C, which TCFbeing able to be controlled at a range of +-10ppm/deg. C dependingon amount of addition of impurities, so that the ceramic composition may effectively be used in telecommunication system.

Abstract translation: 描述了具有高质量系数（Q值）和介电常数以及良好的共振频率温度系数的用于高频波的介电陶瓷组合物。 介电陶瓷组合物可以用下式表示：（1-y）CaTiO3-yLa（Zn1-x / 2Mgx / 2Ti1 / 2）O3，其中x为0至1.0，y为0.3至0.9。 根据本发明的电介质组合物的介电常数为28.6〜58.6，Qxfo（GHz）为29,300〜71,000，共振频率（TCF）的温度系数为-53.82〜+52.32ppm / deg。 C，其TCFbeing能够控制在+ -10ppm / deg的范围内。 C含量添加杂质，使得陶瓷组合物可有效地用于电信系统中。

公开(公告)号：KR100109727B1

公开(公告)日：1996-12-26

申请号：KR1019940008358

申请日：1994-04-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 유광수 ,  정형진 ,  송한상 ,  조현남

IPC: C04B41/83

公开(公告)号：KR1019960039135A

公开(公告)日：1996-11-21

申请号：KR1019960011996

申请日：1996-04-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고석근 ,  정형진 ,  최원국 ,  손용배

IPC: H01L21/265

Abstract: 본 발명은 진공 상태하에, 반응성 가스를 고분자 또는 질화물 표면에 직접 불어 넣어주면서, 에너지를 가진 이온 입자를 고분자 또는 질화물 표면에 조사하여 그 표면의 접촉각을 감소시켜 고분자 또는 질화물 표면을 개질하는 방법 및 상기 방법에 의해 얻어진 질화물에 구리 박막을 성막시켜 얻어지는 구리 직접결합 질화알루미늄 재료에 관한 것이다.