사용자의 보폭을 추정하는 장치 및 방법
    2.
    发明公开
    사용자의 보폭을 추정하는 장치 및 방법 有权
    估计用户长度的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020160050304A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:KR1020140148176

    申请日:2014-10-29

    Abstract: 본명세서는사용자의개별화된걸음특성을반영하여보폭을추정하는장치및 방법에관한것이다. 본명세서에따른사용자의보폭을추정하는보폭추정장치는, 상기보폭추정장치의가속도를측정하여가속도신호로서출력하는가속도센서, 보폭추정장치의각 움직임을측정하여자이로신호로서출력하는자이로센서, 및사용자의걸음특성유형및 상기사용자의모션유형에따라상이한파라미터들을갖도록구성된선형방정식에가속도신호또는자이로신호로부터추출된걸음특성값을대입하여, 사용자의보폭을추정하는보폭추정부를포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及通过反映用户的个性化行走特征来估计步幅的装置和方法。 根据本发明的实施例的用于估计步幅的装置包括:加速度传感器,用于测量装置的加速度并输出加速度作为加速度信号; 陀螺仪传感器,用于测量装置的运动并输出运动作为陀螺仪信号; 以及步幅估计单元,用于通过根据步行特征图案和用户的运动模式,将从加速度信号或陀螺仪信号中提取出的步行特征输入到具有不同参数的线性方程中来估计用户步幅。

    사용자의 보폭을 추정하는 장치 및 방법
    3.
    发明授权
    사용자의 보폭을 추정하는 장치 및 방법 有权
    估计用户长度的装置和方法

    公开(公告)号:KR101678454B1

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:KR1020140148176

    申请日:2014-10-29

    Abstract: 본명세서는사용자의개별화된걸음특성을반영하여보폭을추정하는장치및 방법에관한것이다. 본명세서에따른사용자의보폭을추정하는보폭추정장치는, 상기보폭추정장치의가속도를측정하여가속도신호로서출력하는가속도센서, 보폭추정장치의각 움직임을측정하여자이로신호로서출력하는자이로센서, 및사용자의걸음특성유형및 상기사용자의모션유형에따라상이한파라미터들을갖도록구성된선형방정식에가속도신호또는자이로신호로부터추출된걸음특성값을대입하여, 사용자의보폭을추정하는보폭추정부를포함한다.

    금속박막의 접착력 증대 방법
    4.
    发明授权
    금속박막의 접착력 증대 방법 失效
    用于金属涂层的涂层扩散方法

    公开(公告)号:KR100203377B1

    公开(公告)日:1999-06-15

    申请号:KR1019960028714

    申请日:1996-07-16

    CPC classification number: C23C14/5833 C23C14/185 C23C14/58

    Abstract: 본 발명은 유리기판 상에 증착되는 금속박막의 접착력을 향상시키는 방법에 관한 것으로, 이온주입장치와 거대한 장치를 사용하지 않으면서 저에너지의 고전류 이온을 이용하여 소재 특성의 열화를 없애고, 금속박막과 유리기판의 접착력을 향상시키는 방법이다.
    본 발명은 유리기판을 초음파 용기에서 아세톤으로 세척하고, 증류수로 세척한 후에 질소분위기에서 소정의 온도로 일정시간 건조하며, 건조된 유리기판을 진공조에 넣고 고전류 이온원을 사용하여 수 keV 이온을 만들어 금속표적에 조사함으로써 금속원자를 스퍼터링시켜 유리기판에 금속을 증착하고, 이와 같이 증착된 금속박막을 다시 1keV의 Ar이온으로 조사하여 금속박막을 밀한 상태로 만들어 금속박막과 유리기판의 접착력을 향상시키도록 하였다.
    본 발명에 의한 접착방법에 의하여 금속박막과 유리기판의 접착력이 최대 9배까지 증가함을 보임으로써 상온에서도 고전류의 낮은 에너지를 이용하여 접착력이 우수한 박막을 제작할 수 있었다.

    박막 증착 장치
    5.
    发明授权
    박막 증착 장치 失效
    薄膜沉积装置

    公开(公告)号:KR100182373B1

    公开(公告)日:1999-04-01

    申请号:KR1019960028938

    申请日:1996-07-18

    CPC classification number: H01J37/32422 C23C14/32

    Abstract: 본 발명은 고품질 박막을 제작하기 위한 PIBD(Partially Ionized Beam Deposition)용 이온건에 관한 것으로, 본 발명은 금속을 증기상태로 만드는 도가니부와 증기상태의 금속을 이온화시키는 이온화부를 하나의 원통형 챔버 내에 형성하며, 상기 원통형 챔버외측에 이온화 효율을 높이기 위하여 자석을 배치하며, 상기 원통형 챔버의 하부에는 W-Re선으로 된 도가니 가열용 필라멘트와 도가니를 설치하고, 원통형 챔버의 상부에는 필라멘트와 양극을 설치하며, 상기 필라멘트를 용이하게 교체하기 위하여 상하단부에 플랜지를 설치한 구조이다. 또한, 도가니부와 이온화부 사이의 열차폐와 전자기장의 차폐를 위하여 몰리브덴판 또는 탄탈륨판과 같이 고융점 물질의 판을 설치하고, 이온원이 과열되는 것을 방지하기 위하여 수냉관을 도가니 가열부 외측에 설치하며, 상단부 플랜지와 진공 챔버 사이에 접지된 판을 설치함으로써 낮은 전력으로 도가니의 온도를 높일 수 있어 제품의 유지 비용이 절감되는 효과가 있고, 거리에 따른 전류밀도의 변화가 적어 제작된 박막의 성질이 균일하게 됨으로써 박막소자의 신뢰성을 향상시키도록 한 것이다.

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