公开(公告)号：KR100146546B1

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019950016960

申请日：1995-06-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 최은창 ,  이정희 ,  나지하 ,  박권철

IPC: H04L12/433

Abstract: 본 발명은 에러 검증 기능을 가지는 스위치 제어장치에 관한 것으로서, 스크램블링과 디스크램블링, CRC발생과 CRC검증을 이용하여 공통메모리와 어드레스FIFO와 휴지어드레스저장부에 입출력 데이타가 정확히 입력되고 출력되는지를 검증할 수 있는 스위치 제어장치를 제공하기 위하여, 셀 헤드데이타를 디코딩하고 번역하는 루팅디코더 및 셀번역부(100); FIFO 쓰기 어드레스를 발생하고 FIFO 입력데이타를 출력하는 FIFO쓰기제어부(200); FIFO읽기어드레스를 발생하고, FIFO 에러 경보나 공통메모리 에러 경보나 정상일 경우 데이타 어드레스를 출력하는 FIFO읽기제어부(300); FIFO 입력데이타를 저장하고 데이타 어드레스 스크램블링 데이타 및 CRC데이타를 출력하는 FIFO부(400); 휴지어드레스저장부 쓰기/읽기 어드레스를 발생하고, 휴지어드레스저장부 입력데이타를 출력하고, 부호화된 휴지어드레스저장부 읽기어드레스를 출력하는 휴지어드레스제어부(500); 휴지어드레스저장부 입력데이타를 저장하고, 휴지어드레스저장부 출력데이타를 출력하는 휴지어드레스부(600); 및 디스크램블링한 후 CRC검증을 통해 휴지어드레스 에러 경보를 출력하거나, 데이타 어드레스를 출력하는 휴지어드레스에러검증부(700)를 구비하여 오동작으로 인한 셀 데이타의 손실을 방지할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100146441B1

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019950012424

申请日：1995-05-18

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이정희 ,  나지하 ,  박권철

IPC: H04L12/433

Abstract: 본 발명은 제한적 공유 메모리 비동기 전달모드(ATM) 스위치에서의 셀 손실 우선 순위 제어 장치 및 방법에 관한 것으로, 스위치의 특징을 유지하면서 낮은 셀 손실률과 높은 쓰루풋을 가지는 셀 손실 우선 순위 제어 장치 및 방법을 제공하기 위하여, 휴지 비트를 래치하는 휴지 래치 수단(500); 공통 메로리의 상태를 확인하는 공통 메모리 상태 확인 수단(501); AFIFO의 풀 상태를 확인하는 AFIFO 풀 상태 확인 수단(502); AFIFO의 올모스트 풀 상태를 확인하는 AFIFO 올모스트 풀 상태 확인 수단(503); 및 공통 메모리 셀 통과 신호와 AFIFO 올모스트 풀 상태에 의한 셀 통과 신호를 논리합하는 제1 논리합 연산 수단(504)를 구비하고, 상기 장치에 적용되는 방법에 있어서, 입력셀이 유효셀이고 공통 메모리가 풀(Full) 상태가 아니고 AFIFO가 풀 상태가 아니면 CLP 비트를 읽어 우선 순위를 판단하는 제1단계(300 내지 307); 우선 순위가 높거나 우선 순위는 낮지만 상기 공통 메모리에서 임계치 상태가 발생하지 않았으면 입력셀을 통과시키는 제2단계(308,309,314); 및 임의의 AFIFO에서 임계치 상태가 발생하고 올모스트 풀(almost full) 상태가 발생하지 않은 경우에는 입력셀을 통과시키는 제3단계(310 내지 314)를 포함하여 전체적으로 성능의 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970031606A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950041743

申请日：1995-11-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이정희 ,  나지하 ,  박권철

IPC: H04L12/54 ,  H04L12/927 ,  H04L12/751

Abstract: 본 발명은 제한적 공유메모리 비동기 전달모드(ATM) 스위치 장치에서 멀티캐스트 기능을 구현하기 위한 라우팅 제어 장치에 관한 것으로, 스위치에서 셀 저장시 멀티캐스트 기능을 수행하며, 별도의 플래그 신호를 발생하여 어드레스 버퍼(ABUFF)에 저장하여 둠으로서 휴지 어드레스 버퍼(IAP)에서 셀어드레스 저장시 이 비트로서 셀 저장 여부를 분별할 수 있도록 하는 제한적 공유메모리 ATM 스위치에서 멀티 캐스트 기능을 구현하기 위한 라우팅 제어 장치를 제공하기 위하여, 멀티캐스트 경로 정보(308)를 출력하는 멀티캐스트 경로 저장 수단(300); 어드레스 버퍼 인에이블 신호(213)와 휴지 어드레스 인에이블 신호(212)를 외부로 출력하고 유니캐스트 경로 정보(310)를 출력하는 어드레스 버퍼 인에이블 수단(301); 사용계산값 시프트 신호(307)와 플래그 발생 인에이블 신호(306)를 출력하는 사용계산값 시프팅 수단(302); 선택 최고비트 신호(311)를 출력하는 최고비트 저장수단(303); 누적최고비트 결정신호(309)를 출력하는 논리곱 연산 수단(304); 멀티 캐스트 플래그 신호(312)를 발생하여 출력하는 멀티캐스트 플래그 발생 수단(305); 및 플래그 신호(213)를 외부로 출력하는 플래그 선택 수단(313)을 구비하여 구현이 간단하고 성능이 우수한 멀티캐스트 기능을 제공할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970004514A

公开(公告)日：1997-01-29

申请号：KR1019950016960

申请日：1995-06-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 최은창 ,  이정희 ,  나지하 ,  박권철

IPC: H04L12/433

Abstract: 본 발명은 에러 검증 기능을 가지는 스위치 제어장치에 관한 것으로서, 스크램블링과 디스크램블링, CRC 발생과 CRC 검증을 이용하여 공통메모리와 어드레스 FIFO와 휴지어드레스저장부에 입출력 데이타가 정확히 입력되고 출력되는지를 검증할 수있는 스위치 제어장치를 제공하기 위하여, 셀 헤드데이타를 디코딩하고 번역하는 루팅디코더 및 셀번역부(100); FIFO 쓰기 어드레스를 발생하고 FIFO 입력데이타를 출력하는 FIFO 쓰기제어부(200); FIFO 읽기 어드레스를 발생하고, FIFO 에러 경보나 공통메모리 에러 경보나 정상일 경우 데이타 어드레스를 출력하는 FIFO 읽기제어부(300); FIFO 입력데이타를 저장하고, 데이타 어드레스, 스크램블링 데이타 및 CRC 데이타를 출력하는 FIFO부(400); 휴지어드레스저장부 쓰기/읽기 어드레스를발생하고, 휴지어드레스저장부 입력데이타를 출력하고, 부호화된 휴지어드레스저장부 읽기어드레스를 출력하는 휴지어드레스제어부(500); 휴지어드레스저장부 입력데이타를 저장하고, 휴지어드레스저장부 출력데이타를 출력하는 휴지어드레스저장부(600); 및 디스크램블링한 후 CRC 검증을 통해 휴지어드레스 에러 경보를 출력하거나, 데이타 어드레스를 출력하는 휴지어드레스에러검증부(700)를 구비하여 오동작으로 인한 셀 데이타의 손실을 방지할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019960013976B1

公开(公告)日：1996-10-10

申请号：KR1019930026137

申请日：1993-12-01

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이정희 ,  정희영 ,  박권철

IPC: H04Q3/04

Abstract: The device uses asynchronous transfer mode(ATM) switch device. The device comprises a broadcasting path storing means(71) for storing the path and generating information, a broadcasting address FIFO and broadcasting path FIFO(72) for storing an address and a path of common memory, a broadcasting means for serving periodically, a selecting means(76) connected broadcasting path FIFO(72) and selected the path, and a counter(74) for controlling an output data.

Abstract translation: 该设备使用异步传输模式（ATM）交换设备。 该装置包括用于存储路径和生成信息的广播路径存储装置（71），广播地址FIFO和用于存储公共存储器的地址和路径的广播路径FIFO（72），周期性地服务的广播装置，选择 连接广播路径FIFO（72）并选择路径的装置（76）和用于控制输出数据的计数器（74）。

公开(公告)号：KR1019960026920A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940034389

申请日：1994-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오준 ,  이정희 ,  이용현

IPC: H01L29/12

Abstract: 고주파수 대역(800㎒~10㎓)의 모노리틱 마이크로 웨이브 집적회로(MMIC)의 제작을 가능하게 하는 실리콘 기판의 구조 및 그 제조방법이 개시된다.실리콘 반도체 기판(41)의 양측으로부터 두 트렌치 각각으로 까지의 사이에는, 적어도 30㎛ 이상의 두께로 형성된 다공질 실리콘 산화막(60)이 형성되어 있다.
실리콘 산화막(48)과 실리콘 질화막(49)은 다공질 실리콘 층의 형성시 반드시 발생되는 실리콘 반도체 기판(41)으로의 응력을 충분히 감소시킬 수 있을 정도의 두께로 각각 형성된다.
본 발명에 따른 실리콘 기판을 MMIC의 제작에 적용하면 제품의 생산성을 높이고 원가를 절감할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100094012B1

公开(公告)日：1996-01-11

申请号：KR1019920008887

申请日：1992-05-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진희 ,  이정희 ,  이용탁

IPC: H01S5/30

公开(公告)号：KR100082489B1

公开(公告)日：1995-02-17

申请号：KR1019910024511

申请日：1991-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정희 ,  이해권 ,  강진영 ,  이용탁

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778

公开(公告)号：KR100073860B1

公开(公告)日：1994-05-23

申请号：KR1019900021811

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종람 ,  이정희 ,  박성호 ,  김진섭 ,  박형무

IPC: H01L21/31

公开(公告)号：KR1019940004260B1

公开(公告)日：1994-05-19

申请号：KR1019900021807

申请日：1990-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정희 ,  박성호 ,  이종람 ,  김진섭 ,  박형무

IPC: H01L21/335

Abstract: forming a n+-GaAs epitaxial layer 2, n+-GaAs sub-collector layer 3, n-GaAs collector layer 3, p+-base layer 4, n-AlGaAs emitter layer 5 and n+-GaAs cap layer 6 on a GaAs substrate 1 sequentially; forming a photoresist pattern 7 on the n+-GaAs cap layer 6; forming a collector contact region 2a by etching to the n+-GaAs sub-collector layer 3 using the photoresist pattern as a mask; forming a photoresist pattern 7a on the n+-GaAs cap layer 6, and forming a base contact region 4a and emitter contact region 6a by etching the GaAs cap layer 6 and AlGaAs emitter layer 5, and removing the photoresist pattern 7a; forming a AlAs passivation layer 8 and GaAs layer 9 on the collector contact region 2a, base contact region 4a and emitter contact region 6a at the normal temperature sequentially; selective etching the GaAs layer 9 and passivation layer 9; and forming a metal electrodes on the etched portion, thereby reducing the leakage current at the surface of the device.

Abstract translation: 在GaAs衬底1上依次形成n + -GaAs外延层2，n + -GaAs副集电极层3，n-GaAs集电极层3，p + - 基底层4，n-AlGaAs发射极层5和n + -GaAs覆盖层6 ; 在n + -GaAs覆盖层6上形成光刻胶图形7; 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模对n + -GaAs副集电极层3进行蚀刻来形成集电极接触区域2a; 在n + -GaAs覆盖层6上形成光致抗蚀剂图案7a，通过蚀刻GaAs覆盖层6和AlGaAs发射极层5形成基极接触区域4a和发射极接触区域6a，并除去光致抗蚀剂图案7a; 在常温下依次在集电极接触区域2a，基极接触区域4a和发射极接触区域6a上形成AlAs钝化层8和GaAs层9; 选择性蚀刻GaAs层9和钝化层9; 并在蚀刻部分上形成金属电极，从而减少器件表面的漏电流。