公开(公告)号：KR100146554B1

公开(公告)日：1998-11-02

申请号：KR1019950009260

申请日：1995-04-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강영일 ,  임태영 ,  박흥옥 ,  이용현 ,  이재성

IPC: H01L21/8246

Abstract: 본 발명은 프로그램 가능 안티퓨즈 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 캐패시터 형태의 구성을 가진 안티퓨즈 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 프로그램 가능 안티퓨즈 소자는 , p형 실리콘 기판과; 상기 p형 실리콘 기판 위에 형성되며, 티타늄 텅스텐으로 된 의사 전극층과; 상기 의사 전극층의 일측 위에 형성되며, 티타늄 텅스텐/실리콘을 함유한 알루미늄/티타늄 텅스텐의 다층 금속막으로 된 제1전극층과; 상기 의사 전극층의 타측 위에 형성되며, 박막의 티타늄 산화막과 실리콘 산화막으로 된 절연층과; 상기 절연층 위에 형성되며, 티타늄 텅스텐/실리콘을 함유한 알루미늄/티타늄 텅스텐의 다층 금속막으로 된 제2전극층으로 구성되며, 절연층인 티타늄 산화막의 두께를 열처리시의 공정조건(시간 및 온도)을 변화하여 조절함으로써 프로그램 전압의 재현성과 제어성을 실현하도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR100122438B1

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：KR1019930026794

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박형호 ,  이재성 ,  조경익 ,  김상기 ,  권오준 ,  강영일 ,  이용현

IPC: H01L27/10

Abstract: A fabrication method of FPGA is provided to improve reliability of filament formed in insulator between inter-metal layers. The method comprises the steps of: sequentially forming an W layer(6), TiW layer(10) for barrier metal, a silicon oxide(11), a silicon nitride(8), and an Al metal(12) for mask on a silicon substrate(9); defining a filament region and selective etching the Al metal(12); etching the silicon nitride(8) to form pillar; depositing a nitride layer(14); and forming a TiW pattern(15) and an Al pattern(7) to concentrate a programable region due to the differences of inter-metal insulators. Thereby, it is possible to easily control the structure of filament region.

Abstract translation: 提供FPGA的制造方法，以提高金属间绝缘体中形成的灯丝的可靠性。 该方法包括以下步骤：顺序地形成W层（6），用于阻挡金属的TiW层（10），氧化硅（11），氮化硅（8）和用于掩模的Al金属（12） 硅基板（9）; 限定长丝区域和选择性蚀刻Al金属（12）; 蚀刻氮化硅（8）以形成柱; 沉积氮化物层（14）; 以及由于金属间绝缘体的差异而形成TiW图案（15）和Al图案（7）以集中可编程区域。 由此，可以容易地控制灯丝区域的结构。

公开(公告)号：KR100160542B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019940034390

申请日：1994-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오준 ,  이정희 ,  이용현

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/7627 ,  H01L21/76283 ,  Y10S438/96

Abstract: 고주파수 대역(800㎒~10㎓)의 모노리틱마이크로웨이브 집적회로(MIC)의 제작을 가능하게 하는 실리콘 기판의 구조 및 그 제조방법이 개시된다.
활성영역의 양측면에 그리고 실리콘 반도체 기판(40) 위에는 두개의 트렌치가 형성되고, 두 트렌치 각각의 내에는 900Å 정도의 산화막(47), 4000Å 정도의 저온 산화막(48), 2000Å 정도의 실리콘 산화막(49)이 형성되며 그 내부에는 산화막(50)이 채워진다.
두 트렌치의 외측의 비활성영역에도 다공질실리콘 산화층이 형성된다.
이런 구조의 실리콘 기판을 MMIC의 제작에 적용하면 제품의 생산성을 높이고 원가를 절감할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100146659B1

公开(公告)日：1998-08-01

申请号：KR1019940034389

申请日：1994-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오준 ,  이정희 ,  이용현

IPC: H01L29/12

Abstract: 고주파수 대역(800MHz~10GHz)의 모노리틱 마이크로 웨이브 집적회로(MMIC)의 제작을 가능하게 하는 실리콘 기판이 구조 및 그 제조방법이 개시된다. 실리콘 반도체 기판(41)의 양측으로부터 두 트렌치 각각으로 까지의 사이에는, 적어도 30㎛ 이상의 두께로 형성된 다공질 실리콘 산화막(60)이 형성되어 있다. 실리콘 산화막(48)과 실리콘 질화막(49)은 다공질 실리콘층의 형성시 반드시 발생되는 실리콘 반도체 기판(41)으로의 응력을 충분히 감소시킬 수 있을 정도의 두께로 각각 형성된다. 본 발명에 따른 실리콘 기판을 MMIC의 제작에 적용하면 제품의 생산성을 높이고 원가를 절감할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019960039297A

公开(公告)日：1996-11-25

申请号：KR1019950009260

申请日：1995-04-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강영일 ,  임태영 ,  박흥옥 ,  이용현 ,  이재성

IPC: H01L21/8246

Abstract: 본 발명은 프로그램 가능 안티퓨즈 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 캐패시터 형태의 구성을 가진 안티퓨즈 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 프로그램 가능 안티퓨즈 소자는, p형 실리콘 기판과; 상기 p형 실리콘 기판 위에 형성되며, 티타늄 텅스텐으로 된 의사 전극층과; 상기 의사 전극층의 일측 위에 형성되며, 티타늄텅스텐/실리콘을 함유한 알루미늄/티타늄 텅스텐의 다층 금속막으로 된 제1전극층과; 상기 의사 전극층의 타측 위에 형성되며, 박막의 티타늄 산화막과 실리콘 산화막으로 된 절연층과; 상기 절연층 위에 형성되며, 티타늄텅스텐/실리콘을 함유한 알루미늄/티타늄 텅스텐의 다층 금속막으로 된 제2전극층으로 구성되며, 절연층인 티타늄 산화막의 두께를 열처리시의 공정조건(시간 및 온도)을 변화하여 조절함으로써 프로그램 전압의 재현성과 제어성을 실현하도록 한다.

公开(公告)号：KR1019960026114A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940034390

申请日：1994-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오준 ,  이정희 ,  이용현

IPC: H01L21/18

Abstract: 고주파수 대역(800MHz~10GHz)의 모노리틱 마이크로 웨이브 집적회로(MMIC)의 제작을 가능하게 하는 실리콘 기판의 구조 및 그 제조방법이 개시된다.
활성 영역의 양측면에 그리고 실리콘 반도체 기판(40) 위에는 두개의 트렌치가 형성되고, 두 트렌치 각각의 내에는 900Å 정도의 산화막(47), 4000Å 정도의 저온 산화막(48), 2000Å 정도의 실리콘 질화막(49)이 형성되며 그 내부에는 산화막(50)이 채원진다.
두 트렌치 외측의 비활성 영역에도 다공질 실리콘 산화층이 형성된다. 이런 구조의 실리콘 기판을 MMIC의 제작에 적용하면 제품의 생산성을 높이고 원가를 절감할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019960026920A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940034389

申请日：1994-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오준 ,  이정희 ,  이용현

IPC: H01L29/12

Abstract: 고주파수 대역(800㎒~10㎓)의 모노리틱 마이크로 웨이브 집적회로(MMIC)의 제작을 가능하게 하는 실리콘 기판의 구조 및 그 제조방법이 개시된다.실리콘 반도체 기판(41)의 양측으로부터 두 트렌치 각각으로 까지의 사이에는, 적어도 30㎛ 이상의 두께로 형성된 다공질 실리콘 산화막(60)이 형성되어 있다.
실리콘 산화막(48)과 실리콘 질화막(49)은 다공질 실리콘 층의 형성시 반드시 발생되는 실리콘 반도체 기판(41)으로의 응력을 충분히 감소시킬 수 있을 정도의 두께로 각각 형성된다.
본 발명에 따른 실리콘 기판을 MMIC의 제작에 적용하면 제품의 생산성을 높이고 원가를 절감할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019950021484A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026794

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박형호 ,  이재성 ,  조경익 ,  김상기 ,  권오준 ,  강영일 ,  이용현

IPC: H01L27/10