公开(公告)号：CN104101367B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201410213258.X

申请日：2014-04-08

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： C·斯图尔特 ,  S·E·贝克 ,  R·A·戴维斯 ,  G·莫拉莱斯

IPC: G01D5/12 ,  G01D5/16

CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/033 ,  G01L7/082 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0054

Abstract: 一种传感器组件，包括具有在其中形成腔的第一晶片以及相对于第一晶片结合从而在腔上方形成隔膜的第二晶片。在隔膜中或者环绕隔膜的第二晶片中形成沟槽，并且可以用隔离材料来填充该沟槽从而帮助热和/或电隔离隔膜。该隔膜可以支撑一个或多个感测元件。根据需要，传感器组件可以使用流量传感器、压力传感器、温度传感器、和/或任何其它适当传感器。

公开(公告)号：CN105692543B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201610246028.2

申请日：2014-01-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/001 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00658 ,  H04R19/005

Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了具有刚性背板的MEMS器件和制作具有刚性背板的MEMS器件的方法。在一个实施例中，器件包括衬底和由衬底支撑的背板。背板包括细长的突起。

公开(公告)号：CN106458575B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201580024337.9

申请日：2015-05-08

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： J·M-L·特赛 ,  B·恰达塞尔 ,  M·利姆 ,  A·S·亨金

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L23/08

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/16152 ,  H04R1/04 ,  H04R19/04 ,  H04R29/004 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文披露一种包括至少一环境感测器以及至少一MEMS声敏感测器的集成封装件。该封装件包含一分享端口，用于将该两个感测器暴露于该环境中，其中，该环境感测器测量该环境的特性，该声敏感测器测量声波。该端口将该环境感测器暴露于气流以及将该声敏感测器暴露于声波。该声敏感测器的一个实施例为一麦克风，该环境感测器的一个实施例为湿度感测器。

公开(公告)号：CN104795311B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201410027719.4

申请日：2014-01-21

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 伏广才 ,  杨天伦 ,  张校平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L23/5283 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/475 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53247 ,  H01L29/0649 ,  H01L2221/1063

Abstract: 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一电极层，所述第一电极层表面具有牺牲层；在所述牺牲层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层的材料为导电材料；在第一掩膜层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出部分与第一电极层位置对应的第一掩膜层表面；以图形化层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层和牺牲层，直至暴露出第一电极层表面为止，在所述第一掩膜层和牺牲层内形成开口；进行清洗工艺，去除附着于第一掩膜层表面、以及开口的侧壁和底部表面的刻蚀副产物；在进行清洗工艺之后，在所述开口内形成导电插塞。所形成的半导体器件性能得到改善。

公开(公告)号：CN107934908A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710337940.3

申请日：2017-05-15

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张敏 ,  张硕 ,  王焕

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01L1/22

CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00349 ,  B81C3/001 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01L1/2293

Abstract: 本申请公开了一种合成纳米材料，包括Ecoflex转移层以及固定在所述Ecoflex转移层上的多个纳米墙；其中，每个所述纳米墙包括一条或多条一维纳米导电结构以及将所述一条或多条纳米导电结构包覆成为纳米墙的Ecoflex材料；其中，所述一维纳米导电基本竖直的固定在所述Ecoflex转移层上；其中，在所述Ecoflex转移层没有被拉伸的情况下，相邻的所述纳米墙外表面中的一维纳米导电结构在一个或多个结点处彼此接触。本申请还公开了制备这种合成纳米材料的方法以及包括这种合成纳米材料的应力传感器。

公开(公告)号：CN104807567B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510038748.5

申请日：2015-01-26

Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

Inventor： T·考茨施 ,  H·弗雷利施 ,  M·福格特 ,  M·施特格曼 ,  A·罗特 ,  B·温克勒 ,  B·宾德

IPC: G01L1/14 ,  G01L9/12

CPC classification number: G01L9/00 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0072

Abstract: 本发明的各实施方式总体上涉及具有改进的集成和优化的封装的传感器结构、系统以及方法。具体地，各实施例涉及传感器，并且更具体地涉及用于形成传感器的结构以及形成上述传感器的方法，上述传感器更容易制造为集成部件并且提供传感器薄膜、薄片或者其它可移动元件的改进的偏转。在实施例中，传感器包括用于薄片、薄膜或者其它可移动元件的支撑结构。支撑结构包括支持或者承载可移动元件的多个支撑元件。支撑元件可以包括单独的具有直侧壁或凹形侧壁的圆柱形点或者类足元件，而不是常规的互连框架，这实现了可移动元件的改进的运动、在制造期间更容易移除可移动元件和基片之间的牺牲层以及更有利的偏转比率，以及其它益处。

公开(公告)号：CN103226047B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201310035555.5

申请日：2013-01-30

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： J-H.A.邱 ,  S-H.S.陈

IPC: G01L1/18 ,  G01L19/04

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B7/0019 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2203/032 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/04

Abstract: 本发明涉及最小化热噪声的半导体传感器件。一种MEMS压力传感器被设计来减少或消除热噪声、诸如温度偏移电压输出。该压力传感器包括具有膜片以及腔的压力传感元件，所述腔被形成为压力传感元件的部分，其中所述腔容纳流体，使得膜片至少部分地偏转。该压力传感元件还包括多个压电电阻器，所述多个压电电阻器在工作中基于膜片中的偏转量来生成信号。至少一个沟槽被整体地形成为压力传感元件的部分，并且胶粘剂把压力传感元件连接到至少一个基板，使得胶粘剂的至少部分被附着到所述沟槽，并且将压力传感元件上的热感应应力重新分配，使得热感应噪声基本上被消除。

公开(公告)号：CN104254046B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201410289575.X

申请日：2014-06-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄 ,  A·弗勒梅尔

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  H04R7/02 ,  H04R7/08 ,  H04R19/005 ,  H04R23/006 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003 ,  H04R2410/03

Abstract: 一种MEMS麦克风，包括第一振膜元件、对电极元件、以及在第一振膜元件与对电极元件之间的低压区。低压区具有比环境压强更小的压强。

公开(公告)号：CN107527874A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610443199.4

申请日：2016-06-20

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 白志刚 ,  王志杰 ,  姚晋钟

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00285 ,  G01L19/0076 ,  G01L19/0092 ,  G01L19/0627 ,  G01L19/141 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3135 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/3121 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49575

Abstract: 一种腔式压力传感器器件，其使用具有被引线指围绕的旗标的引线框来组装。压力传感器管芯安装到旗标上并且电连接到引线。在包封之前，预形成的凝胶材料块被放置在管芯上的传感器区之上。执行包封并且模塑复合物覆盖压力传感器管芯和接合线。可以移除覆盖凝胶块的模塑复合物。此外，可以在凝胶块的上部周围形成沟槽，以使得凝胶块的横向侧壁至少部分地暴露。

公开(公告)号：CN104779213B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510180610.9

申请日：2015-04-16

Applicant: 歌尔股份有限公司

Inventor： 端木鲁玉 ,  张俊德 ,  宋青林

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/552 ,  B81B7/02

CPC classification number: H01L23/10 ,  B81B7/0064 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/0109 ,  H01L23/552 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种集成传感器的封装结构和封装方法，包括：第一基板和第一外壳，所述第一外壳与所述第一基板围成第一封装腔体；设置在所述第一封装腔体内的多个传感器，每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片；在所述第一封装腔体的内部，至少一个所述传感器的ASIC芯片的外部设有屏蔽结构。本发明通过对集成传感器中的容易受到干扰的ASIC芯片的外部设置屏蔽结构，使其与其它传感器单元隔离封装，避免集成传感器中的其它传感器单元对其影响干扰，有效提升了该传感器单元的性能和集成传感器的整体性能。