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    Procede de realisation de cavites d'air dans des microstructures, notamment du type structures d'interconnexions a cavites d'air pour circuit integre
    221.
    发明公开
    Procede de realisation de cavites d'air dans des microstructures, notamment du type structures d'interconnexions a cavites d'air pour circuit integre 审中-公开
    制造微结构的空气空隙的过程中，特别是空气腔连接结构用于集成电路的

    公开(公告)号：EP2117042A1

    公开(公告)日：2009-11-11

    申请号：EP09159385.5

    申请日：2009-05-05

    Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： ZENASNI, Aziz

    IPC: H01L21/768

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0128 ,  H01L21/7682

    Abstract: L'invention se rapporte à un procédé pour réaliser au moins une cavité d'air dans une microstructure, qui comprend :
    1) la fourniture d'une microstructure comprenant au moins une cavité remplie d'un matériau sacrificiel qui se décompose à partir d'une température θ 1 , cette cavité étant délimitée sur au moins une partie de sa surface par une membrane non poreuse, constituée d'un matériau formant une matrice et d'un agent porogène qui se décompose à une température θ 2 1 d'au moins 20°C et qui est dispersé dans cette matrice ;
    2) le traitement de la microstructure à une température ≥ à θ 2 mais 1 pour décomposer sélectivement l'agent porogène ; puis
    3) le traitement de la microstructure à une température ≥ à θ 1 pour décomposer le matériau sacrificiel.
    Applications : fabrication de structures d'interconnexions à cavités d'air pour circuit intégré et de toute autre microstructure dans les industries microélectronique et microtechnologique.

    Abstract translation: 该方法包括提供一个微观结构（10）与填充有牺牲材料，其中该间隙是由非多孔性膜（18）限定的间隙。 微观结构在温度进行热处理所做的是小于θ-1，用于选择性地分解成孔剂到制备的多孔膜（14）。 微观结构在温度下进行热处理确实等于θ-1用于分解材料和用于通过多孔膜从该间隙获取的物质的提取，以获得空气间隙（19，20），而不是填充有间隙 材料。

    Trilayered beam MEMS device and related methods
    224.
    发明公开
    Trilayered beam MEMS device and related methods 有权
    Dreischichtige Strahl-MEMS-Einrichtung unddiesbezüglicheVerfahren

    公开(公告)号：EP1717193A1

    公开(公告)日：2006-11-02

    申请号：EP06118798.5

    申请日：2002-11-08

    Applicant: WiSpry, Inc.

    Inventor： Cunningham, Shawn, J. ,  Tatic-Lucic, Svetlana

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

    Abstract: Trilayered Beam MEMS Device and Related Methods. According to one embodiment, a method for fabricating a trilayered beam is provided. The method can include depositing a sacrificial layer on a substrate and depositing a first conductive layer on the sacrificial layer. The method can also include forming a first conductive microstructure by removing a portion of the first conductive layer. Furthermore, the method can include depositing a structural layer on the first conductive microstructure, the sacrificial layer, and the substrate and forming a via through the structural layer to the first conductive microstructure. Still furthermore, the method can include the following: depositing a second conductive layer on the structural layer and in the via; forming a second conductive microstructure by removing a portion of the second conductive layer, wherein the second conductive microstructure electrically communicates with the first conductive microstructure through the via; and removing a sufficient amount of the sacrificial layer so as to separate the first conductive microstructure from the substrate, wherein the structural layer is supported by the substrate at a first end and is freely suspended above the substrate at an opposing second end.

    Abstract translation: 三层梁MEMS器件及相关方法。 根据一个实施例，提供一种制造三层梁的方法。 该方法可以包括在衬底上沉积牺牲层并在牺牲层上沉积第一导电层。 该方法还可以包括通过去除第一导电层的一部分来形成第一导电微结构。 此外，该方法可以包括在第一导电微结构，牺牲层和衬底上沉积结构层，并且通过结构层将通孔形成到第一导电微结构。 此外，该方法可以包括以下：在结构层和通孔中沉积第二导电层; 通过去除所述第二导电层的一部分来形成第二导电微结构，其中所述第二导电微结构通过所述通孔与所述第一导电微结构电连通; 并且去除足够量的牺牲层以便将第一导电微结构与衬底分开，其中结构层在第一端由衬底支撑并且在相对的第二端处自由地悬挂在衬底上方。

    Process for manufacture of micro electromechanical devices having high electrical isolation
    227.
    发明公开
    Process for manufacture of micro electromechanical devices having high electrical isolation 有权
    维尔法赫尔·赫斯特伦·冯·米克罗

    公开(公告)号：EP0955668A2

    公开(公告)日：1999-11-10

    申请号：EP99109110.9

    申请日：1999-05-07

    Applicant: Rockwell Science Center, LLC

    Inventor： Yao, Jun J. ,  Anderson, Robert J.

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/019

    Abstract: The present invention relates to a fabrication process for manufacture of micro electromechanical (MEM) devices such as cantilever support beams. This fabrication process requires only two lithographic masking steps and offers moveable electromechanical devices with high electrical isolation. A preferred embodiment of the process uses electrically insulating glass substrate (102) as the carrier substrate and single crystal silicon (108) as the MEM component material.
    The process further includes deposition of an optional layer of insulating material (110) such as silicon dioxide on top of a layer of doped silicon (108) grown on a silicon substrate. The silicon dioxide (110) is epoxy bonded to the glass substrate (102) to create a silicon-silicon dioxide-epoxy-glass structure (200). The silicon is patterned using anisotropic plasma dry etching techniques. A second patterning then follows to pattern the silicon dioxide layer (110) and an oxygen plasma etch is performed to undercut the epoxy film (120) and to release the silicon MEM component. This two-mask process provides single crystal silicon MEMs with electrically isolated MEM component. Retaining silicon dioxide insulating material (110) in selected areas mechanically supports the MEM component.

    Abstract translation: 本发明涉及用于制造诸如悬臂支撑梁的微机电（MEM）装置的制造工艺。 该制造工艺仅需要两个光刻掩模步骤，并提供具有高电绝缘性的可移动机电装置。 该方法的优选实施例使用电绝缘玻璃基板（102）作为载体基板和单晶硅（108）作为MEM部件材料。 该方法还包括在硅衬底上生长的掺杂硅层（108）的顶部上沉积任选的绝缘材料层（例如二氧化硅）层。 二氧化硅（110）环氧键合到玻璃基板（102）上以产生硅 - 二氧化硅 - 环氧 - 玻璃结构（200）。 使用各向异性等离子体干蚀刻技术将硅图案化。 然后进行第二图案化以对二氧化硅层（110）进行图案化，并且执行氧等离子体蚀刻以削去环氧膜（120）并释放硅MEM组分。 该双掩模工艺提供具有电隔离的MEM组分的单晶硅MEM。 在选定区域保持二氧化硅绝缘材料（110）机械地支撑MEM部件。

    Method for manufacturing thin-film support beam
    229.
    发明授权
    Method for manufacturing thin-film support beam 有权

    公开(公告)号：US09862595B2

    公开(公告)日：2018-01-09

    申请号：US15023057

    申请日：2014-12-04

    Applicant: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.

    Inventor： Errong Jing

    IPC: H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013

    Abstract: A method for manufacturing a film support beam includes: providing a substrate having opposed first and second surfaces; coating a sacrificial layer on the first surface of the substrate, and patterning the sacrificial layer; depositing a dielectric film on the sacrificial layer to form a dielectric film layer, and depositing a metal film on the dielectric film layer to form a metal film layer; patterning the metal film layer, and dividing a patterned area of the metal film layer into a metal film pattern of a support beam portion and a metal film pattern of a non-support beam portion, wherein a width of the metal film pattern of the support beam portion is greater than a width of a final support beam pattern, and a width of the metal film pattern of the non-support beam portion is equal to a width of a width of a final non-support beam pattern at the moment; photoetching and etching on the metal film layer and the dielectric film layer to obtain the final support beam pattern, the final non-support beam pattern and a final dielectric film layer, wherein the final dielectric film layer serves as a support film of the final support beam pattern and the final non-support beam pattern; and removing the sacrificial layer.

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