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公开(公告)号：JP3910532B2
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：JP2002373062
申请日：2002-12-24
Applicant: 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
Inventor： 義重 李
IPC: B81B3/00 , B81B7/00 , B81C1/00 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/311
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B3/0078 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C2201/0109 , B81C2201/014
Abstract: A cantilever having a step-up structure and a method of manufacturing the same. The cantilever includes a substrate, an anchor formed on the substrate, and a moving plate connected to the anchor while maintaining a predetermined gap from the substrate. The anchor includes a first anchor of a predetermined shape and a second anchor perpendicular to an edge of the first anchor while being formed along a longitudinal axis of the moving plate. Accordingly, a deformation of the cantilever caused by the high temperature and pressure in a manufacturing process thereof is considerably reduced. As a result, the yield rate of the cantilever is improved, and the reliability of a product using the cantilever is also improved.
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公开(公告)号：JP2005335059A
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：JP2005149939
申请日：2005-05-23
Inventor： KIM JONG-PAL , LEE BYEUNG-LEUL , LEE SANG-WOO
CPC classification number: B81C1/00626 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/045 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81C2201/014 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G02B26/0841
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To disclose a manufacturing method of a vertical step structure forming a complete vertical step in a wafer.
SOLUTION: A manufacturing method of a vertical step structure comprises: the first trench forming step for injecting a predetermined substance after forming the first trench by etching a wafer; the first etching step for forming a second trench by etching the wafer after performing a first patterning to the wafer to deposit a first thin film and performing a second patterning to the first thin film and the wafer to deposit a second thin film; the second etching step for vertically extending the second trench by etching the wafer after forming a protection film on the side face of the second trench; the third etching step for forming a third trench by etching a position from which the second thin film is removed after removing the second thin film; and the fourth etching step for horizontally extending the second trench thus vertically extended in the second etching step by etching the wafer and the third trench.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPIAbstract translation: 要解决的问题：公开在晶片中形成完整的垂直台阶的垂直台阶结构的制造方法。 解决方案：垂直台阶结构的制造方法包括：第一沟槽形成步骤，用于通过蚀刻晶片在形成第一沟槽之后注入预定物质; 第一蚀刻步骤，用于在对晶片进行第一图案化之后通过蚀刻晶片以沉积第一薄膜并对第一薄膜和晶片进行第二图案化以沉积第二薄膜来形成第二沟槽; 所述第二蚀刻步骤用于在所述第二沟槽的侧面上形成保护膜之后通过蚀刻所述晶片来垂直延伸所述第二沟槽; 第三蚀刻步骤，用于通过蚀刻除去第二薄膜之后除去第二薄膜的位置形成第三沟槽; 以及第四蚀刻步骤，用于通过蚀刻晶片和第三沟槽在第二蚀刻步骤中水平延伸第二沟槽，从而垂直延伸。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI
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公开(公告)号：JP2005502481A
公开(公告)日：2005-01-27
申请号：JP2003527792
申请日：2002-08-29
Applicant: シリコン・ライト・マシーンズ
Inventor： ブルナー，マイク
CPC classification number: B81C1/00484 , B81B2201/0271 , B81B2203/0136 , B81C1/00246 , B81C1/00333 , B81C2201/0109 , B81C2201/014 , B81C2203/0136 , B81C2203/0735
Abstract: 本発明は、カプセル封入されたリリース構造体、その中間物、及びそれらの製作方法を提供する。 多層構造は、キャッピング層(211)を有し、その層(211)は好適には酸化シリコン及び／又は窒化シリコンからなり、耐エッチング基板(203)の上に形成される。 好適には窒化シリコンからなるパターン形成された装置層(206)が、好適にはポリシリコンからなる犠牲材料(205,209)内に埋め込まれ、耐エッチング基板(203)とキャッピング層(211)との間に配置される。 アクセストレンチまたはアクセス穴(219)がキャッピング層(211)内へ形成され、犠牲材料(205,209)がアクセストレンチ(219)を介して選択的にエッチングされ、装置層(206)の一部が犠牲材料(205,209)からリリース(解放)される。 エッチャントは好適には、フッ化希ガスNgF
2X （この場合、Ng = Xe、Kr、又はArであり、x =１、２、又は3）からなる。 その犠牲材料(205,209)をエッチングした後、アクセストレンチ(219)が封止され、耐エッチング基板(203)とキャッピング層(211)との間にある装置層(206)のリリースされた部分がカプセル封入(241)される。 本発明は、MEMS装置、マルチキャビティ装置、及び複数のリリース機構を有する装置を製作するために特に有用である。
【選択図】図３ｂ-
公开(公告)号：KR101921843B1
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：KR1020177005281
申请日：2015-07-24
Applicant: 에이엠에스 인터내셔널 에이쥐
Inventor： 베슬링,빌렙프레데릭아드리아누스 , 퓨넨버그,렘코헨리쿠스빌헤무스 , 반데아브루트,캐스퍼 , 올드센,마틴 , 구센즈,마틴
CPC classification number: B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2201/014 , G01L9/0042 , G01L9/0072 , G01L9/0073 , G01L9/12 , H01L29/84
Abstract: 부유멤브레인을형성하기위한방법의일 실시예는제1 전기전도성물질을희생층의상부및 경계트렌치내에증착하는단계를포함한다. 상기제1 전기전도성물질은상기경계트렌치상부에모서리전이부분을형성한다. 본방법은상기제1 전기전도성물질의요철지형의적어도일부를제거하는상기제1 전기전도성물질의일부를제거하는단계를더 포함한다. 본방법은제2 전기전도성물질을증착하는단계를더 포함한다. 상기제2 전기전도성물질은상기경계트렌치를지나도록연장형성된다. 본방법은식각개구부를통해상기희생층을제거하고상기제2 전기전도성물질하부에캐비티를형성하는단계를더 포함한다. 상기제1 전기전도성물질은상기캐비티의측벽경계의일부를형성한다.
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公开(公告)号：KR1020170018404A
公开(公告)日：2017-02-17
申请号：KR1020177000781
申请日：2015-05-29
Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하
IPC: B81C3/00
CPC classification number: B81C1/00801 , B81B7/0025 , B81B2201/042 , B81B2203/0163 , B81C3/001 , B81C2201/014 , B81C2203/0145 , G02B26/0833
Abstract: 본발명은, 수직으로서로겹쳐서배열되고기능적으로서로결합되며서로독립적으로구조화된적어도 2개의기계적활성기능층(10, 20)을포함하는마이크로기계층 어셈블리(100)에관한것이다.
Abstract translation: 一种微机械层系统，其具有彼此独立地图案化的至少两个机械有功功能层，它们垂直地布置在另一个之上并且在功能上彼此耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080040715A
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：KR1020087003856
申请日：2006-07-19
Applicant: 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크.
Inventor： 사사가와,테루오 , 츄이,클래런스 , 코타리,매니쉬 , 간티,수르야,프라캐쉬 , 샘프셀,제프리,비.
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B2201/042 , B81B2203/0307 , B81C1/00595 , B81C2201/014 , G02B26/001
Abstract: A microelectromechanical systems device having support structures formed of sacrificial material surrounded by a protective material. The microelectromechanical systems device includes a substrate having an electrode formed thereon. Another electrode is separated from the first electrode by a cavity and forms a movable layer, which is supported by support structures formed of a sacrificial material.
Abstract translation: 具有由保护材料包围的牺牲材料形成的支撑结构的微机电系统装置。 微机电系统装置包括其上形成有电极的基板。 另一电极通过空腔与第一电极分离，并形成可移动层，该可移动层由牺牲材料形成的支撑结构支撑。
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公开(公告)号：KR1020070063163A
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020050123121
申请日：2005-12-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 장제욱
CPC classification number: G02B26/0858 , B81C1/00388 , B81C2201/0105 , B81C2201/013 , B81C2201/014 , B81C2201/117 , G02B26/0808
Abstract: An optical modulator with a protective film and a manufacturing method thereof are provided to prevent damage of a ribbon by restricting the lateral or lower side of a reflection region of the ribbon from being eroded due to etching gas, and to prevent separation of an interface formed between the ribbon and a light reflecting layer by improving adhesion between the ribbon and the light reflecting layer. An optical modulator with a protective film is composed of a substrate(110); an insulating layer(120) positioned on the substrate; a lower light reflecting layer(120a) positioned on the insulating layer to reflect or diffract the incident light; a structure layer(140) having a center portion separated from the lower light reflecting layer in a predetermined gap and a lower protective film(140d) protecting the underside of a reflection region except for a part of the center portion where a hole is formed; an upper light reflecting layer(140a) disposed on the reflection region to reflect or diffract the incident light; and piezo-electric actuators(150) disposed at both side ends of the structure layer to vertically move the center portion of the structure layer.
Abstract translation: 提供具有保护膜的光学调制器及其制造方法，以通过限制由于蚀刻气体而使该带的反射区域的横向或下侧受到侵蚀而防止带状物的损坏，并且防止形成的界面的分离 通过提高带和光反射层之间的粘合力，在带和光反射层之间。 具有保护膜的光学调制器由衬底（110）组成; 位于所述基板上的绝缘层（120）; 位于所述绝缘层上以反射或衍射所述入射光的下部光反射层（120a）; 具有以预定间隙从下部光反射层分离的中心部分的结构层（140d）以及保护除了形成有孔的中心部分的一部分之外的反射区域的下侧的下保护膜（140d） 设置在反射区域上以反射或衍射入射光的上部光反射层（140a）; 以及设置在结构层的两侧的压电致动器（150），以垂直移动结构层的中心部分。
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公开(公告)号：KR1020070062584A
公开(公告)日：2007-06-15
申请号：KR1020077009521
申请日：2005-08-30
Applicant: 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크.
CPC classification number: B81B3/0086 , B81C2201/0109 , B81C2201/014 , B81C2201/053 , G02B26/001 , G02B26/0833
Abstract: In one embodiment, the invention provides a method for fabricating a microelectromechanical systems device. The method comprises fabricating a first layer comprising a film having a characteristic electromechanical response, and a characteristic optical response, wherein the characteristic optical response is desirable and the characteristic electromechanical response is undesirable; and modifying the characteristic electromechanical response of the first layer by at least reducing charge build up thereon during activation of the microelectromechanical systems device.
Abstract translation: 在一个实施例中，本发明提供一种用于制造微机电系统装置的方法。 该方法包括制造包括具有特征机电响应的薄膜和特征光学响应的第一层，其中特征光学响应是期望的，并且特征机电响应是不希望的; 以及通过在所述微机电系统装置的启动期间至少减少其上的电荷积累来修改所述第一层的特征机电响应。
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公开(公告)号：KR1020070037802A
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020050092832
申请日：2005-10-04
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: G02B26/105 , B81C1/00142 , B81C2201/014 , G02B26/0808 , H04N1/113
Abstract: 모바일 단말기로부터 영상 신호를 입력받는 영상 입력부; 상기 영상 신호의 포맷을 광변조기에 적합한 영상 신호의 포맷으로 변환하는 영상 데이터 처리부; 광변조기로부터 입사된 광을 반사하여 스캐닝하기 위한 주사 처리 수단에 의해 스크린에 조사되는 단위면적당 광량을 일정하게 하기 위해 광원의 광 출력량을 제어하는 광량 제어부; 및 상기 영상 데이터 처리부로부터 수신한 상기 변환된 영상 신호를 이용하여 상기 광변조기로부터 출사된 광 출력량이 제어된 광이 주사 처리 수단의 미리 설정된 영역에서 반사될 수 있도록 상기 광변조기 및 상기 주사 처리 수단을 제어하는 구동 신호 제어부를 포함하는 광변조기를 이용한 디스플레이 장치가 제시된다. 본 발명에 따른 광변조기를 이용한 디스플레이 방법 및 그 장치는 고비용의 에프 쎄타(F-theta) 렌즈를 이용하지 않고, 영상 신호에 상응하는 광 스팟에 의해 스크린 상의 단위면적당 광량을 일정하게 유지할 수 있는 효과가 있다.
광변조기, 디스플레이, 폴리곤 미러, 광량.-
公开(公告)号：KR100517496B1
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：KR1020020000434
申请日：2002-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이희중
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B3/0078 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C2201/0109 , B81C2201/014
Abstract: 스텝-업 구조의 외팔보 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 기판, 상기 기판에 접착 고정된 지지부 및 상기 지지부와 연결된 상태로 상기 기판과 소정의 갭을 유지하는 운동판을 구비하되, 상기 지지부는 소정 형태의 지지부와 상기 소정 형태의 지지부의 테두리에 수직하고 상기 운동판의 길이 방향으로 형성된 제1 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝-업 구조의 외팔보 및 그 제조 방법을 개시한다. 이러한 외팔보는 그 제조 과정의 고온 고압에 의한 변형, 곧 외팔보의 운동판의 초기 굽힘 변형량을 종래에 비해 크게 줄인 것으로써, 불량률이 극히 낮기 때문에, 이것이 적용되는 제품의 신뢰성을 높일 수 있다.
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