公开(公告)号：JP3618511B2

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：JP9586497

申请日：1997-04-14

Applicant: オリンパス株式会社

Inventor： 信芳 田島 ,  悦夫 篠原 ,  聖二 近藤

IPC: G01N21/05 ,  B01L3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: B81C1/00071 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/569 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/028 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/168 ,  B81C2201/019 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24744

公开(公告)号：JP2004526578A

公开(公告)日：2004-09-02

申请号：JP2002545596

申请日：2001-11-28

Applicant: カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー

Inventor： マーク エル． アダムス， ,  マーク エイ． アンガー， ,  スティーブン アール． クエイク， ,  アクセル シェラー， ,  トッド エイ． ソーセン， ,  ホウ−プ チョウ， ,  カール エル． ハンセン， ,  ジアン リウ，

IPC: B01L3/00 ,  B01L7/00 ,  B01L9/00 ,  B67D99/00 ,  B81B1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C12Q1/68 ,  F04B43/04 ,  F15C5/00 ,  F16K7/00 ,  F16K31/126 ,  F16K99/00

CPC classification number: B05D3/04 ,  B01J2219/00355 ,  B01J2219/00378 ,  B01J2219/00396 ,  B01J2219/00398 ,  B01J2219/00439 ,  B01J2219/005 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/00612 ,  B01J2219/00621 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00707 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/50273 ,  B01L3/502738 ,  B01L7/54 ,  B01L9/527 ,  B01L2200/025 ,  B01L2200/027 ,  B01L2200/0605 ,  B01L2200/10 ,  B01L2300/0681 ,  B01L2300/0861 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/123 ,  B01L2300/14 ,  B01L2300/18 ,  B01L2400/046 ,  B01L2400/0481 ,  B01L2400/06 ,  B01L2400/0655 ,  B01L2400/0688 ,  B32B2037/1081 ,  B65B31/00 ,  B81B2201/036 ,  B81B2201/054 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/019 ,  C12Q1/6832 ,  C12Q1/6874 ,  C30B29/54 ,  F04B43/043 ,  F15C1/06 ,  F15C3/00 ,  F15C5/00 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0015 ,  F16K99/0046 ,  F16K99/0051 ,  F16K99/0059 ,  F16K2099/0074 ,  F16K2099/0076 ,  F16K2099/0078 ,  F16K2099/008 ,  F16K2099/0084 ,  F16K2099/0094 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0379 ,  Y10T137/0424 ,  Y10T137/206 ,  Y10T137/2082 ,  Y10T137/2164 ,  Y10T137/2169 ,  Y10T137/2174 ,  Y10T137/2202 ,  Y10T137/2224 ,  Y10T137/3084 ,  Y10T137/7837 ,  Y10T137/86027 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24612 ,  C12Q2535/125

Abstract: エラストマー構造を製作する方法は：第一微細製作モールドの頂部上で第一エラストマー層を形成する工程であって、該第一微細製作モールドが、該第一エラストマー層の底部表面に沿って延びる第一凹部を形成する第一隆起突出部を有する、工程；第二エラストマー層を第二微細製作モールドの頂部上に形成する工程であって、該第二微細製作モールドが、該第二エラストマー層の底部表面に沿って延びる、第二凹部を形成する第二隆起突出部を有する工程；該第二エラストマー層の底部表面を、該第一エラストマー層の頂部表面上へ結合し、その結果、制御チャネルが、該第一および第二エラストマー層の間の第二凹部中に形成される工程；および平坦基板の頂部上の該第一エラストマー層を位置決めし、その結果、フローチャネルが該第一エラストマー層と該平坦基板との間の該第一凹部中に形成される工程、を包含する。

Abstract translation: 一种制造弹性体结构的方法，包括：在第一微加工模具的顶部上形成第一弹性体层，所述第一微加工模具具有形成沿所述第一弹性体层的底表面延伸的第一凹槽的第一凸起突起; 在第二微加工模具的顶部上形成第二弹性体层，所述第二微加工模具具有第二凸起突起，所述第二凸起突起形成沿所述第二弹性体层的底表面延伸的第二凹槽; 将第二弹性体层的底表面粘合到第一弹性体层的顶表面上，使得控制通道在第一和第二弹性体层之间的第二凹部中形成; 以及将第一弹性体层定位在平面基底的顶部上，使得流动通道在第一弹性体层和平面基底之间的第一凹部中形成。

公开(公告)号：JP2004502562A

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：JP2002509161

申请日：2001-07-10

Applicant: ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

Inventor： ジョンソン，バージェス・アール ,  ホーニング，ロバート

IPC: B81B7/04 ,  B81B3/00 ,  H02N1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/019 ,  H02N1/006 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49146 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T156/1025

Abstract: 【課題】所定パターンで互いに結合されてユニットセル（９４）を形成する複数の全体に平行な薄い可撓性シートを含む、マイクロアクチュエータ装置（９２）を提供する。
【解決手段】好ましくは、各シートは、シートの一方の側部に配置された単一の電極層だけを有する。 次いで、このようなシート（９３）の対を、間隔が隔てられた結合位置（１１８）のところで、電極層（１０２）が互いに向き合った状態で互いに結合する。 次いで、このようなシート対からなる幾つかのセットを互いに結合し、マイクロアクチュエータ装置（９２）を形成する。
【選択図】図１

公开(公告)号：JP2003502165A

公开(公告)日：2003-01-21

申请号：JP2001504842

申请日：2000-06-22

Applicant: ハネウェル・インコーポレーテッド

Inventor： ウィトコウム，ユージン・コウルマン ,  ヘイズ，ケネス・マックスウェル

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G01C19/5719 ,  G01P15/08 ,  G01P15/097 ,  G01P15/10 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0191 ,  G01C19/5719 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/097 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

Abstract: (57)【要約】 正確に繰り返して形成することができるシリコン部分を形成するためにガラス基板のような支持基板に接着されたシリコン・オン絶縁（ＳＯＩ）ウエハからＭＥＭＳ構造を製造する方法が提供される。 ＳＯＩウエハは、ハンドルウエハ、ハンドルウエハ上に配置される絶縁層、及び絶縁層上に配置されたシリコン層を含む。 シリコン層を通る少なくとも１つのトレンチがリアクティブ・イオン・エッチングによってエッチングされる。 トレンチは、リアクティブ・イオン・エッチングを使用することによって、０．１ミクロンないし０．２ミクロンの公差内で所定に幅で正確に形成することができる。 支持基板をシリコン層に接着した後、リアクティブ・イオン・エッチングによってハンドルウエハが取り除かれる。 その後、一般にリアクティブ・イオン・エッチングを用いて絶縁層が取り除かれ、１ミクロン内の差異で非常に正確で反復可能な寸法形状を有するＭＥＭＳ構造を形成する。 ０．２ミクロン以下の寸法で変化する複数のシリコン部分が支持基板に接着され、同じかほぼ同じ性能を有する複数のＭＥＭＳ素子を有する配列を形成する、本発明によるＭＥＭＳ構造が提供される。

公开(公告)号：KR101823219B1

公开(公告)日：2018-01-29

申请号：KR1020160005926

申请日：2016-01-18

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 라이페이렁 ,  펑정휴이 ,  츄치아후아 ,  린시앙치

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/04 ,  B81C3/00 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8238

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

Abstract: 본개시는, 기판, 기판위의금속화층, 금속화층 위의감지구조물, 및감지구조물에인접한신호전송구조물을포함하는 CMOS 구조물을제공한다. 감지구조물은, 금속화층 위의아웃개싱층, 아웃개싱층 위의패터닝된아웃개싱배리어, 및패터닝된아웃개싱배리어위의전극을포함한다. 신호전송구조물은전극과금속화층을전기적으로연결한다.

公开(公告)号：KR1020170044567A

公开(公告)日：2017-04-25

申请号：KR1020160005926

申请日：2016-01-18

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 라이페이렁 ,  펑정휴이 ,  츄치아후아 ,  린시앙치

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/04 ,  B81C3/00 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8238

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

Abstract: 본개시는, 기판, 기판위의금속화층, 금속화층 위의감지구조물, 및감지구조물에인접한신호전송구조물을포함하는 CMOS 구조물을제공한다. 감지구조물은, 금속화층 위의아웃개싱층, 아웃개싱층 위의패터닝된아웃개싱배리어, 및패터닝된아웃개싱배리어위의전극을포함한다. 신호전송구조물은전극과금속화층을전기적으로연결한다.

Abstract translation: 本公开提供了一种CMOS结构，其包括衬底，衬底上的金属化层，金属化层上的感测结构以及与感测结构相邻的信号传输结构。 感测结构包括金属化层上方的输出层，外部上衬层上的图案化除气屏障以及图案化除气屏障上方的电极。 信号传输结构将电极电连接到金属化层。

公开(公告)号：KR101576443B1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：KR1020107002116

申请日：2008-07-04

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 도니스,디터 ,  쾨니히,옌스

IPC: H01L21/30 ,  B81C1/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은제 1 웨이퍼(1)를적어도하나의제 2 웨이퍼(2)에접합하는방법에관한것이다. 상기방법은다음의단계들을특징으로한다:웨이퍼들(1, 2, 14) 중적어도하나의웨이퍼상에소결가능한접합재료(7)를제공하는단계, 웨이퍼들(1, 2, 14)을서로결합하는단계및 가열에의해접합재료(7)를소결하는단계. 또한본 발명은웨이퍼조립체(10) 및칩에관한것이다.

公开(公告)号：KR101502182B1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：KR1020097020146

申请日：2008-02-27

Applicant: 코닝 인코포레이티드

Inventor： 다누,띠에리,엘. ,  마르끄,가스빠,뻬. ,  모레나,로버트,엠. ,  테너,카메론,더블유.

IPC: C03B11/08 ,  C03B23/203

CPC classification number: C03B23/203 ,  B81B2201/051 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/036 ,  C03B2215/412

Abstract: 현재의 기술을 사용하여 제조된 유사한 성형된 유리 제품보다 저가 및/또는 향상된 치수 특성을 갖는, 유리 또는 유리-함유 물질을 포함하는 미세유체 장치를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 보다 상세하게는, 패턴화된 주형 표면을 갖는 경질(rigid), 비-점착성(non-strick) 물질의 제 1 단편이 제공되고; 제 1 유리-함유 조성물 양을 제공되며; 상기 제 1 유리-함유 조성물 양은 상기 패턴화된 주형 표면과 접촉되고; 상기 패턴화된 주형 표면 및 제 2 표면 사이에 상기 제 1 유리-함유 조성물 양이 압착(pressing) 되며; 상기 유리 함유 조성물 양이 충분히 연화되도록, 상기 경질 비-점착성 물질의 단편 및 상기 제 1 유리-함유 조성물 양을 함께 가열하여, 상기 패턴화된 주형 표면이 상기 제 1 유리-함유 조성물 양에서 복제되고, 상기 제 1 유리-함유 조성물 양은 제 1 성형-유리 함유 제품을 성형하며; 적어도 하나의 유체 통로를 갖는 미세유체 장치를 생산하도록 상기 제 1 성형 유리-함유 제품의 적어도 일부분이 밀봉된다.
유리-함유 조성물, 미세유체 장치, 패턴화된 주형, 경질, 비-점착성

公开(公告)号：KR1020140141599A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：KR1020147026621

申请日：2013-02-27

Applicant: 코닝 인코포레이티드

Inventor： 쿠일라드,제임스,그레고리 ,  다이글러,크리스토퍼,폴 ,  펭,지앙웨이 ,  선,야웨이 ,  티안,릴리 ,  트레이시,이안,데이비드

IPC: B81C3/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: H01L21/82 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  B81C2203/035 ,  G02B26/0833 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 제1유리 재료 층, 및 본딩 재료를 통해 상기 제1유리 재료 층에 본드된 제2유리 재료 층을 포함하는 구조를 위한 방법 및 장치가 제공되며, 상기 본딩 재료는 유리 프릿 재료, 세라믹 프릿 재료, 유리 세라믹 프릿 재료, 및 금속 페이스트 중 어느 하나로 형성되며, 용융 및 경화된다.

公开(公告)号：KR101424748B1

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：KR1020087027808

申请日：2007-04-26

Applicant: 트로닉스 마이크로시스템즈

Inventor： 꼴레조엘 ,  니꼴라스스테판느 ,  삐셀라크리스띠앙

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  F15C5/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/054 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  F04B43/046

Abstract: 본 발명은 반도체-온-절연체 층으로 지칭되는, 웨이퍼 내에 주어진 두께(d)를 가지는 캐비티들 및/또는 멤브레인들(24)의 집합적 제조 프로세스와 관련된다. 상기 반도체-온-절연체 층은, 절연체 층 상에 두께(d)를 가지는 적어도 하나의 반도체 표면층을 포함하고, 상기 절연체 층은 기판 상에 지지된다. 상기 프로세스는, 캐비티들 및/또는 멤브레인들을 형성하기 위하여, 두께(d)를 가지는 반도체 표면층 및 중지층을 형성하는 절연체 층을 식각하는 단계를 포함한다..
반도체-온-절연체, 실리콘-온-절연체, 캐비티, 멤브레인, 마이크로 펌프