公开(公告)号：FR3099320A1

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：FR1908288

申请日：2019-07-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： ORTET SEBASTIEN ,  THOMAS CEDRIC

IPC: H02M1/36 ,  H03K7/08

Abstract: Démarrage d'une alimentation à découpage La présente description concerne un procédé de démarrage d'un circuit d'alimentation comprenant une alimentation à découpage, comprenant : - une première phase dans laquelle, si une tension de sortie (VFB) de l'alimentation à découpage est inférieure à une première tension, l'alimentation à découpage fonctionne en modulation de largeur d'impulsions pour augmenter sa tension de sortie (VFB) jusqu'à ladite première tension ; et - une deuxième phase de conduction forcée quand la tension de sortie (VFB) a atteint la première tension. Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3098914A1

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：FR1908238

申请日：2019-07-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： VIDAL-DHO MATTHIAS ,  HUBERT QUENTIN ,  FORNARA PASCAL

IPC: G01N27/22 ,  G01R31/08

Abstract: Une détection d’humidité éventuelle dans un circuit intégré (CI) est effectuée de façon autonome par le circuit intégré lui-même. Figure pour l’abrégé : Fig 1

公开(公告)号：FR3073080B1

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：FR1760104

申请日：2017-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： VERSIGLIA FELICE ,  PAVLIN ANTOINE ,  TAGLIAPIETRA CLAUDIO

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/70 ,  H01L23/495

Abstract: L'invention concerne un circuit électronique (1) comportant une puce semiconductrice (5) ayant une épaisseur (e) inférieure à 160 µm et un boîtier (2) à contacts affleurant (3, 4) dans lequel est encapsulée la puce.

公开(公告)号：FR3098067A1

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：FR1906907

申请日：2019-06-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TRAMONI ALEXANDRE ,  CORDIER NICOLAS

IPC: H04B1/38 ,  H04B1/44 ,  H04B5/00 ,  H04W4/80

Abstract: Détection de dispositifs NFC La présente description concerne un procédé de commutation d’un dispositif NFC entre des premières phases de détection de champ et des deuxièmes phases de détection de carte, dans lequel au moins une première antenne (310) et au moins une deuxième antenne (312) du dispositif NFC sont successivement activées. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3097994A1

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：FR1907125

申请日：2019-06-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  STMICROELECTRONICS GRAND OUEST SAS

Inventor： ORLANDO WILLIAM ,  COUVRAND JULIEN ,  GUILLEMIN PIERRE

IPC: G06F9/30 ,  G06F12/08

Abstract: Modification d'une mémoire d'un microprocesseur sécurisé La présente description concerne un procédé comprenant des étapes consistant à :a) recevoir, par un premier microprocesseur (3), une requête de modification d'un contenu d'une première mémoire (32) du premier microprocesseur ;b) accéder, avec le premier microprocesseur, à des premières données associées à la requête et à une signature générée à partir des premières données, les premières données et la signature étant disponibles dans une deuxième mémoire (22) d'un deuxième microprocesseur (2), et les premières données étant représentatives d'une modification à appliquer au contenu de la première mémoire (32) ;c) vérifier, par le premier microprocesseur (3), l'authenticité des premières données à partir de ladite signature ; etd) modifier le contenu de la première mémoire (32) conformément aux premières données, la mise en oeuvre de l'étape d) étant conditionnée par l'étape c). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3096809A1

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：FR1905860

申请日：2019-06-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TRAMONI ALEXANDRE

IPC: G06K19/077

Abstract: Recharge de dispositif NFC La présente description concerne un procédé ou dispositif de détection, par un premier dispositif NFC générant un champ électromagnétique de recharge d'une batterie d’un deuxième dispositif NFC, d'une condition perturbatrice, dans lequel des seuils (MHTH, MLTH, PHTH, PLTH) de détection d'une variation du champ sont ajustés en temps réel au cours de la recharge. Figure pour l'abrégé : Fig. 5

公开(公告)号：FR3096466A1

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：FR1905244

申请日：2019-05-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORT JIMMY ,  PIERREL MAUD ,  BORREL NICOLAS ,  SOUDE THIERRY

IPC: G01R17/02

Abstract: Dispositif comprenant un circuit de démarrage La présente description concerne un dispositif électronique comprenant un circuit de démarrage (10) configuré pour comparer une valeur représentative (IRs) de la tension d'alimentation (VDD) à un seuil (Iptat), le circuit comprenant un générateur de courant proportionnel à la température (20). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3095547A1

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：FR1904443

申请日：2019-04-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO

IPC: G11C7/06

Abstract: Le circuit intégré de mémoire non-volatile (NVM), comporte un plan mémoire (PM) organisé en rangées (RG) et en colonnes (COL) comportant des lignes de bit (BL), chaque ligne de bit (BL) comportant des amplificateurs de lecture (SA) chacun configuré pour générer un signal de sortie (SAOUT/SAOUTN) sur une voie de données de lecture (SABUS/SABUSN). Les voies de données de lectures (SABUS/SABUSN) parcourent respectivement le plan-mémoire (PM) le long de chaque ligne de bit (BL), et chaque voie de donnée de lecture (SABUS/SABUSN) est connectée à tous les amplificateurs de lecture (SA) de la ligne de bit (BL) respective. Figure pour l’abrégé : Fig 1

公开(公告)号：FR3094853A1

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：FR1903689

申请日：2019-04-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BIENVENU PHILIPPE

IPC: H03K17/14

Abstract: Circuit de commande de transistors La présente description concerne un procédé comprenant la commande simultanée de plusieurs transistors (T1, T2) par un même premier signal (S1), et la commande dissociée desdits transistors par des deuxièmes signaux (S21, S22) distincts répétés en créneaux. La présente description concerne également un circuit configuré pour mettre en oeuvre un tel procédé. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3085530B1

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：FR1857840

申请日：2018-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  MARINET FABRICE

IPC: G11C17/16 ,  G11C17/18

Abstract: Circuit intégré comportant au moins une cellule mémoire (CM) intégrant un dispositif anti-fusible (DIS) comportant un transistor d'état (TR) possédant une grille de commande (EG) et une deuxième grille (FG) configurée pour être flottante de façon à conférer un état non claqué au dispositif anti-fusible (DIS) ou électriquement couplée à la grille de commande de façon à conférer un état claqué au dispositif antifusible (DIS).