公开(公告)号：CN105174196A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510292568.X

申请日：2015-06-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 衣川拓也

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B7/0064 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2203/0136

Abstract: 提供电子部件、电子设备以及移动体，电子部件提高了生产率且具有优异特性，电子设备以及移动体具有该电子部件。本发明的电子部件(1)具有：具有振动元件(5)的空腔部(S)的底部；顶部(641)，其具有孔(642)，并隔着空腔部(S)与底部相对地配置；遮挡部(621)，其在空腔部(S)内被配置在空腔部(S)的底部与顶部(641)之间，在从空腔部(S)的底部和顶部(641)排列的方向俯视观察时，遮挡部(621)与孔(642)重叠；以及密封部(662)，其经由孔(642)与顶部(641)以及遮挡部(621)这两者相连，将孔(642)密封。

公开(公告)号：CN105136353A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510203084.3

申请日：2015-04-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·恩斯特 ,  H·托伊斯

IPC: G01L1/16 ,  G01L1/14 ,  G01P15/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/0048 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00301 ,  G01L1/148 ,  G01L1/16 ,  G01L19/0069 ,  G01L19/0084 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种传感器装置，包括：具有多个电触点的传感器装置；具有多个侧壁的壳体；金属承载结构，其穿过多个侧壁中的两个相互对置的侧壁延伸入壳体中，其中该金属承载结构能够至少在一个该金属承载结构穿过其进行延伸的侧壁的方向弹性地加以构造；并且其中，该具有多个电触点的传感器装置弹性地设置在该金属承载结构上且能够通过该多个触点与该金属承载结构导电地连接。

公开(公告)号：CN105121331A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201380066938.7

申请日：2013-12-17

Applicant: 贺利氏德国有限责任两合公司

Inventor： N.巴尔托斯 ,  O.凯特尔 ,  L.韦伯 ,  A.赖辛格

IPC: B81C1/00 ,  A61B5/024

CPC classification number: A61B5/0215 ,  A61B5/02444 ,  A61B2562/0247 ,  A61B2562/12 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  C23F1/44 ,  Y10T428/12361

Abstract: 本发明在原则上涉及包含由至少两个彼此接合的层构成的复合材料的部件，其中a.第一层具有孔洞，b.第二层具有1至50μm的厚度，其中第一层和第二层各自包含至少一种金属，并且其中第一层的组成不同于第二层的组成。本发明的其它主题是制造包含至少两个具有上述特征的彼此接合的层的部件的方法，制造包含至少三个具有上述特征的彼此接合的层的部件的方法，以及可以通过上述方法之一获得的部件和上述部件的至少之一用于活体中或者制造用在活体中的植入物的用途。

公开(公告)号：CN104944360A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410113760.3

申请日：2014-03-25

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 徐伟 ,  刘国安

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01P15/08 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0038 ,  B81C2203/01 ,  G01L9/0042 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125

Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中所述MEMS器件，包括：衬底，所述衬底中形成有集成电路；位于衬底上的第一介质层，所述第一介质层中形成有若干第一金属连接端和第二金属连接端，第一金属连接端和第二金属连接端与集成电路电相连；位于第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层中形成有加速度传感器，所述加速度传感器与第一金属连接端电连接；位于第二介质层中若干第一金属插塞，第一金属插塞与第二金属连接端电连接；位于第二介质层上的压力传感器，所述压力传感器与第一金属插塞电连接。本发明的MEMS器件实现压力传感器和加速度传感器的集成，并且MEMS器件的体积较小。

公开(公告)号：CN104925745A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510210301.1

申请日：2015-04-28

Applicant: 歌尔声学股份有限公司

Inventor： 蔡孟锦 ,  宋青林

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00079 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00555

Abstract: 本发明公开了一种传感器芯片的空腔形成方法、制造方法、芯片及电子设备。用于形成微机电系统压力传感器芯片中的空腔的方法，包括：在衬底上形成第一凹槽；将覆盖层键合到衬底上，以覆盖第一凹槽，从而形成空腔；以及对覆盖层进行蚀刻，以降低覆盖层厚度。

公开(公告)号：CN104897314A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510098346.4

申请日：2015-03-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄 ,  R·黑尔姆

IPC: G01L1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  G01L1/14 ,  G01L9/0041 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/0073 ,  G01L13/025 ,  H04R19/005 ,  H04R23/00 ,  H04R2201/003

Abstract: 本公开涉及用于感测压力波和周围压力的传感器结构。在各种实施例中，提供一种传感器结构。该传感器结构可以包括：第一传导层；电极元件；以及第二传导层，相对于第一传导层布置在电极元件的相反侧上。第一传导层和第二传导层可以形成腔室。腔室中的压力可以低于腔室外的压力。

公开(公告)号：CN104819790A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510050074.0

申请日：2015-01-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 林和也

IPC: G01L1/22 ,  G01L9/04 ,  G01C5/06 ,  G01C21/26 ,  B81B7/02

CPC classification number: G01L19/08 ,  A61B5/00 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  G01C5/06 ,  G01C21/00 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/04 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供物理量传感器、高度计、电子设备和移动体。该物理量传感器能够降低因热膨胀而引起的膜片的意外变形，该高度计、电子设备和移动体具备该物理量传感器，且可靠性高。物理量传感器(1)具有：基板(2)，其具有膜片(24)；传感器元件(3)，其配置在膜片(24)上；壁部(5)，其配置在基板(2)上并具有包围传感器元件(3)的空腔部(7)；覆盖部(6)，其与壁部(5)相连；以及加强部(8)，其配置成与覆盖部(6)的一部分重叠，并含有热膨胀系数比覆盖部(6)的构成材料小的材料。

公开(公告)号：CN104807567A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510038748.5

申请日：2015-01-26

Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

Inventor： T·考茨施 ,  H·弗雷利施 ,  M·福格特 ,  M·施特格曼 ,  A·罗特 ,  B·温克勒 ,  B·宾德

IPC: G01L1/14 ,  G01L9/12

CPC classification number: G01L9/00 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0072

Abstract: 本发明的各实施方式总体上涉及具有改进的集成和优化的封装的传感器结构、系统以及方法。具体地，各实施例涉及传感器，并且更具体地涉及用于形成传感器的结构以及形成上述传感器的方法，上述传感器更容易制造为集成部件并且提供传感器薄膜、薄片或者其它可移动元件的改进的偏转。在实施例中，传感器包括用于薄片、薄膜或者其它可移动元件的支撑结构。支撑结构包括支持或者承载可移动元件的多个支撑元件。支撑元件可以包括单独的具有直侧壁或凹形侧壁的圆柱形点或者类足元件，而不是常规的互连框架，这实现了可移动元件的改进的运动、在制造期间更容易移除可移动元件和基片之间的牺牲层以及更有利的偏转比率，以及其它益处。

公开(公告)号：CN102741979B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201180005859.6

申请日：2011-01-10

Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司

Inventor： 迈克尔·德勒

IPC: H01L21/18 ,  G01L19/04 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/007 ,  B81B3/0072 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00626 ,  B81C99/0035 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0047 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/84

Abstract: 一种微机电半导体器件，设置有：半导体衬底(4，5)，半导体材料构成的、能够可逆变形的弯曲元件(8a)，以及对机械应力敏感的至少一个晶体管，其构建为弯曲元件(8a)中的集成部件。晶体管设置在引入弯曲元件(8a)中的、第一导电类型的半导体材料构成的、注入的有源区阱(78a)中。在有源区阱(78a)中构建有两个彼此间隔的、第二导电类型的半导体材料构成的、注入的漏极区和源极区(79，80)，沟道区在所述漏极区和源极区之间延伸。第二导电类型的半导体材料构成的、注入的馈电线朝向漏极区和源极区(79，80)引导。有源区阱(78a)的上侧被栅极氧化物(81a)覆盖。在沟道区的区域中在栅极氧化物(81a)上有多晶硅构成的栅电极(81)，同样由多晶硅构成的馈电线引导至该栅电极。

公开(公告)号：CN102574676B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201080045056.9

申请日：2010-08-05

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： P·科罗纳 ,  S·洛萨 ,  I·格尔米 ,  R·卡姆佩德利

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0109

Abstract: 用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。