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    Method of manufacturing a microstructure
    261.
    发明申请
    Method of manufacturing a microstructure 失效
    微结构制造方法

    公开(公告)号：US20020064957A1

    公开(公告)日：2002-05-30

    申请号：US09995956

    申请日：2001-11-29

    Inventor： Yong-seop Yoon

    IPC: H01L021/311

    CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0108

    Abstract: A method of manufacturing a micromirror actuator includes forming a trench on a substrate by etching, laminating a film-type organic layer on the substrate to cover but not fill the trench so that the trench is maintained hollow, and depositing and patterning a metal layer on the film-type organic layer and removing the film-type organic layer. According to the method of manufacturing a micromirror actuator, a micromirror can be easily planarized by laminating the film-type organic layer on the substrate including the trench, which reduces the cost of manufacturing the micromirror actuator and increases a reflectivity of the micromirror actuator by increasing the flatness level of the micromirror so as to enhance an optical transmission efficiency.

    Abstract translation: 微镜致动器的制造方法包括通过蚀刻在衬底上形成沟槽，在衬底上层叠薄膜型有机层以覆盖但不填充沟槽，使得沟槽保持中空，并且将金属层沉积和图案化 膜型有机层，去除膜型有机层。 根据制造微反射镜致动器的方法，通过在包括沟槽的基板上层叠膜型有机层，可以容易地对微镜进行平面化，这降低了制造微镜驱动器的成本，并且通过增加微镜致动器的反射率 微镜的平坦度水平，以提高光传输效率。

    Method for fabricating locally reinforced metallic microfeature
    262.
    发明授权
    Method for fabricating locally reinforced metallic microfeature 有权
    制造局部强化金属微特征的方法

    公开(公告)号：US06362083B1

    公开(公告)日：2002-03-26

    申请号：US09449369

    申请日：1999-11-24

    Applicant: Roland Mueller-Fiedler ,  Juergen Graf ,  Stefan Kessel ,  Joerg Rehder

    Inventor： Roland Mueller-Fiedler ,  Juergen Graf ,  Stefan Kessel ,  Joerg Rehder

    IPC: H01L2128

    CPC classification number: B81B3/007 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0108 ,  G02B26/0866 ,  Y10S438/975

    Abstract: A method for fabricating a locally reinforced metallic microfeature on a substrate provided preferably with an electrical contacting or a driving circuit, and on an organic, patterned sacrificial layer, which is removed after the metallic microfeature is applied, is described. In fabricating the local reinforcement of the microfeature, at least one further organic layer, formed as a mask, is deposited, which is likewise removed following pattern delineation of the metallic layer.

    Abstract translation: 描述了一种用于在衬底上制造局部增强的金属微特征的方法，其优选地具有电接触或驱动电路，以及在施加金属微特征之后被去除的有机图案化牺牲层上。 在制造微特征的局部加强时，沉积形成为掩模的至少一个另外的有机层，其在金属层的图案描绘之后同样被去除。

    A METHOD OF MANUFACTURING A MICROFLUIDIC DEVICE
    263.
    发明申请
    A METHOD OF MANUFACTURING A MICROFLUIDIC DEVICE 审中-公开
    制造微流体装置的方法

    公开(公告)号：WO2016155760A1

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：PCT/EP2015/056728

    申请日：2015-03-27

    Applicant: WAGENINGEN UNIVERSITEIT

    Inventor： SAGGIOMO, Vittorio ,  VELDERS, Aldo Hendrikus

    IPC: B01L3/00 ,  B29C33/52

    CPC classification number: B01L3/502707 ,  B01L2300/0874 ,  B29C33/3842 ,  B29C33/52 ,  B29K2083/00 ,  B29K2855/02 ,  B29L2031/756 ,  B33Y80/00 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0108

    Abstract: A method of manufacturing a microfluidic device, said method comprising placing a length of material in a liquid polymer, configuring the length of material to define the path of a microfluidic channel, curing or setting the polymer liquid to form a solid polymer around the configured length of material, and dissolving the configured length of material with a solvent to provide a microfluidic channel in the solid polymer.

    Abstract translation: 一种制造微流体装置的方法，所述方法包括将一定长度的材料放置在液体聚合物中，配置材料的长度以限定微流体通道的路径，固化或凝固聚合物液体以形成围绕配置长度的固体聚合物 的材料，并且用溶剂溶解配置的材料长度以在固体聚合物中提供微流体通道。

    ELIMINATION OF SILICON RESIDUES FROM MEMS CAVITY FLOOR
    265.
    发明申请
    ELIMINATION OF SILICON RESIDUES FROM MEMS CAVITY FLOOR 审中-公开
    从MEMS CAVITY地板消除硅残余物

    公开(公告)号：WO2013020039A3

    公开(公告)日：2013-03-21

    申请号：PCT/US2012049497

    申请日：2012-08-03

    Applicant: CAVENDISH KINETICS INC ,  TROY BRIAN I ,  RENAULT MICKAEL ,  MAGUIRE THOMAS L ,  LACEY JOSEPH DAMIAN GORDON ,  BOBEY JAMES F

    Inventor： TROY BRIAN I ,  RENAULT MICKAEL ,  MAGUIRE THOMAS L ,  LACEY JOSEPH DAMIAN GORDON ,  BOBEY JAMES F

    IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00

    CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81B3/0008 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0108 ,  H01H1/0036 ,  H01H2001/0089

    Abstract: The present invention generally relates to a MEMS device in which silicon residues from the adhesion promoter material are reduced or even eliminated from the cavity floor. The adhesion promoter is typically used to adhere sacrificial material to material above the substrate. The adhesion promoter is then removed along with the sacrificial material. However, the adhesion promoter leaves silicon based residues within the cavity upon removal. The inventors have discovered that the adhesion promoter can be removed from the cavity area prior to depositing the sacrificial material. The adhesion promoter which remains over the remainder of the substrate is sufficient to ad¬ here the sacrificial material to the substrate without fear of the sacrificial material delaminating. Because no adhesion promoter is used in the cavity area of the device, no silicon residues will be present within the cavity after the switching element of the MEMS device is freed.

    Abstract translation: 本发明一般涉及一种MEMS器件，其中来自粘合促进剂材料的硅残余物从空腔底板减少甚至消除。 粘合促进剂通常用于将牺牲材料粘附到衬底上方的材料上。 然后将粘附促进剂与牺牲材料一起除去。 然而，粘合促进剂在除去后将空穴中的硅基残留物留下。 发明人已经发现，在沉积牺牲材料之前，可以从空腔区域去除粘合促进剂。 保留在基材剩余部分的粘合促进剂足以将牺牲材料附加到基材上，而不用担心牺牲材料分层。 因为在器件的空腔区域中没有使用粘合促进剂，所以在MEMS器件的开关元件被释放之后，腔内将不存在硅残余物。

    PROCEDE DE FABRICATION DE MICROCANAUX SUR UN SUPPORT ET SUPPORT COMPRENANT DE TELS MICROCANAUX
    266.
    发明申请
    PROCEDE DE FABRICATION DE MICROCANAUX SUR UN SUPPORT ET SUPPORT COMPRENANT DE TELS MICROCANAUX 审中-公开
    在基板上制造微通道的方法，以及包括这种微通道的基板

    公开(公告)号：WO2010097548A1

    公开(公告)日：2010-09-02

    申请号：PCT/FR2010/050319

    申请日：2010-02-24

    Applicant: UNIVERSITE DES SCIENCES ET TECHNOLOGIES DE LILLE ,  ABBAS, Abdennour ,  GUILLOCHON, Didier ,  BOCQUET, Bertrand ,  SUPIOT, Philippe

    Inventor： ABBAS, Abdennour ,  GUILLOCHON, Didier ,  BOCQUET, Bertrand ,  SUPIOT, Philippe

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00071 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0338 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/018

    Abstract: La présente invention concerne un procédé de fabrication de microcanaux sur un support, et un support comprenant ces microcanaux, trouvant notamment son application à la fabrication de supports microstructurés pour des systèmes microéiectroniques, microfluidiques, et/ou micromécaniques. Le procédé comprend une étape (a) de réalisation d'au moins un ou d'au moins deux motifs 2 à ia surface d'une couche inférieure 1, et une étape (b) de dépôt, par-dessus la couche inférieure et le motif ou les motifs, d'une couche 3 en matériau polymère obtenue par polymérisation, dans un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur assisté, éventuellement à distance, par plasma (PECVD, éventuellement RPECVD), d'un monomère organique ou organométallique comprenant des fonctions siloxanes, par exemple du tétraméthyldisiloxane. La couche en matériau polymère est déposée en sorte de créer, à la place du motif et après révélation par décomposition de ce motif, ou entre les deux motifs sans révélation-décomposition, un canal 4a, 4b, 4c, 4d fermé sur au moins une partie de sa longueur.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于在衬底上制造微通道的方法，以及涉及包括这种微通道的衬底，其特别可用于生产用于微电子，微流体和/或微机械系统的微结构化衬底。 该方法包括以下步骤：（a）在下层（1）的表面上制造至少一个或至少两个图案（2）;以及步骤（b），沉积到下层和图案 ），通过在具有硅氧烷功能的有机或有机金属单体的任选远程等离子体增强化学气相沉积反应器（PECVD，任选的RPECVD）中聚合制备的聚合物材料层（3），例如 四甲基二硅氧烷。 沉积聚合物材料层，以便在图案的代替和所述图案的分解之后或在两个图案之间产生无显影分解的通道（4a，4b，4c，4d），其被封闭 在其长度的至少一部分上。

    METHOD OF CREATING MEMS DEVICE CAVITIES BY A NON-ETCHING PROCESS
    269.
    发明申请
    METHOD OF CREATING MEMS DEVICE CAVITIES BY A NON-ETCHING PROCESS 审中-公开
    通过非蚀刻过程创建MEMS器件CAVI的方法

    公开(公告)号：WO2007078495A2

    公开(公告)日：2007-07-12

    申请号：PCT/US2006/045925

    申请日：2006-11-30

    Applicant: QUALCOMM INCORPORATED ,  WANG, Chun-Ming ,  LAN, Jeffrey ,  SASAGAWA, Teruo

    Inventor： WANG, Chun-Ming ,  LAN, Jeffrey ,  SASAGAWA, Teruo

    IPC: B81B3/00 ,  G02B26/08 ,  G02B26/00

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/047 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0111 ,  G02B26/001

    Abstract: MEMS devices (such as interferometric modulators) may be fabricated using a sacrificial layer that contains a heat vaporizable polymer to form a gap between a moveable layer and a substrate. One embodiment provides a method of making a MEMS device that includes depositing a polymer layer over a substrate, forming an electrically conductive layer over the polymer layer, and vaporizing at least a portion of the polymer layer to form a cavity between the substrate and the electrically conductive layer. Another embodiment provides a method for making an interferometric modulator that includes providing a substrate, depositing a first electrically conductive material over at least a portion of the substrate, depositing a sacrificial material over at least a portion of the first electrically conductive material, depositing an insulator over the substrate and adjacent to the sacrificial material to form a support structure, and depositing a second electrically conductive material over at least a portion of the sacrificial material, the sacrificial material being removable by heat-vaporization to thereby form a cavity between the first electrically conductive layer and the second electrically conductive layer.

    Abstract translation: 可以使用包含热可汽化聚合物以在可移动层和基底之间形成间隙的牺牲层来制造MEMS器件（例如干涉式调制器）。 一个实施例提供了一种制造MEMS器件的方法，该MEMS器件包括在衬底上沉积聚合物层，在聚合物层上形成导电层，并蒸发聚合物层的至少一部分以在衬底和电 导电层。 另一个实施例提供了制造干涉式调制器的方法，该方法包括提供衬底，在衬底的至少一部分上沉积第一导电材料，在第一导电材料的至少一部分上沉积牺牲材料，沉积绝缘体 在所述衬底上并且邻近所述牺牲材料以形成支撑结构，以及在所述牺牲材料的至少一部分上沉积第二导电材料，所述牺牲材料可通过热蒸发而被去除，从而在所述第一电 导电层和第二导电层。

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