公开(公告)号：CN104280160A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310277644.0

申请日：2013-07-03

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 洪中山

IPC: G01L1/14 ,  G01L9/12

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0392 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00182 ,  G01L9/0073

Abstract: 一种压力传感器及其形成方法，其中，压力传感器包括：衬底，所述衬底具有器件区，所述衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层表面具有第一电极层；位于第一电极层表面的第二介质层，所述器件区的第二介质层具有若干第一开口；位于所述第一开口的侧壁表面的导电侧墙；位于第二介质层表面和第一开口内的第二电极层，所述第二电极层与第二介质层表面、导电侧墙表面和第一开口的底部表面之间具有空腔；位于第二电极层和第二介质层表面的第三介质层，所述第三介质层内具有暴露出器件区的第二电极层表面的第二开口。所述压力传感器的灵敏度得到提高。

公开(公告)号：CN104276540A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410315253.8

申请日：2014-07-03

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·克尔布尔 ,  J·赖因穆特 ,  J·克拉森

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0037 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00682 ,  G01L9/0072 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明涉及一种微机械部件，具有：基片(10)，其具有空穴(12)，所述空穴向内构造在所述基片的功能性上侧(10a)中；至少部分导电的薄膜(24)，其至少部分地张紧所述空穴；以及对应电极(42)，其间隔开地布置在所述薄膜的从基片远离地指向的外侧上，以使在对应电极和至少部分导电的薄膜之间存在自由空间(52)；所述至少部分导电的薄膜张紧在至少一个至少部分地覆盖所述基片的功能性上侧的电绝缘材料上或其上方；和至少一个压力入口(56)构造在空穴上，以使所述至少部分导电的薄膜利用从所述微机械部件的外部环境流入到所述空穴中的气体介质可向内弯曲到所述自由空间中。本发明还涉及一种微机械部件的制造方法。

公开(公告)号：CN104249990A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410314175.X

申请日：2014-06-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体国际有限公司

Inventor： D·法拉里 ,  B·维格纳 ,  L·M·卡斯托尔迪

IPC: B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了包含流体路径的MEMS器件及其制造工艺。一种MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。

公开(公告)号：CN104124224A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410175976.2

申请日：2014-04-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H.托伊斯 ,  M.沃佩尔 ,  B.温克勒

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B2201/0264 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 公开了一种芯片封装以及制造该芯片封装的方法。在各个实施例中，提供芯片封装。芯片封装可以包括具有多个压力传感器区的至少一个芯片以及包封芯片的包封材料。

公开(公告)号：CN104066676A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201280052704.2

申请日：2012-10-26

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： X.丁 ,  杰弗里·弗赖伊

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0109 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  G01L19/147 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2924/10155

Abstract: 一种半导体芯片通过玻璃烧料层被附接到衬底。可能在烧制玻璃烧料期间被困在所述芯片和所述玻璃烧料层之间的气体可以逃逸穿过由形貌形成靠着所述芯片的底部表面的通道，所述形貌延伸远离并基本上正交于所述芯片的底部。

公开(公告)号：CN104054357A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201280067451.6

申请日：2012-11-14

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 中河佑将 ,  笠井隆 ,  多田罗佳孝

IPC: H04R19/04 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  G01H11/06 ,  G01L9/12 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明提供一种电容式传感器及其制造方法，在硅基板(32)上设置在上下开口的贯通孔(33)。在硅基板(32)的贯通孔(33)的上方配置隔膜(35)。隔膜(35)的周缘部与硅基板(32)的上面隔开间隙而相对，在隔膜(35)的周缘部下面和硅基板(32)的上面之间形成用于使声响振动通过的通风孔(36)。在隔膜(35)的上方经由气隙设置固定电极膜(46)。在硅基板(32)的上面中的与隔膜(35)的周缘部重合的区域，设置至少一部分由倾斜面构成的排气部(34)。排气部(34)以至少在一部分与硅基板(32)的上面平行的截面面积随着从排气部(34)的上面开口向下方而变小的方式形成。排气部(34)的倾斜面由硅基板(32)的最稠密面构成。

公开(公告)号：CN103872050A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310661354.6

申请日：2013-12-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  G01L1/14 ,  G01L9/12

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0778 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L27/0617

Abstract: 本发明提供一种半导体压力传感器及其制造方法，其在压力传感器区域（16）上形成有包含固定电极（18a）、空隙（50）及可动电极（30d）在内的压力传感器，在CMOS区域（17）上形成有存储器单元晶体管和场效应型晶体管。与空隙（50）连通的蚀刻孔（46b）由第1封装膜（48b）进行闭塞。空隙（50）是通过将由与存储器单元晶体管的栅极电极（23a）相同的膜构成的部分去除而形成的。可动电极（30d）由与栅极电极（30c、30a、30b）相同的膜形成。

公开(公告)号：CN103717526A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280034778.3

申请日：2012-07-12

Applicant: 国家科研中心 ,  里尔中央理工学校

Inventor： 罗曼·维亚德 ,  阿波德尔克里姆·泰勒比 ,  菲利浦·雅克·潘诺德 ,  阿兰·默伦 ,  弗拉基米尔·普雷奥布拉日恩斯基

IPC: B81B3/00 ,  G01F1/684 ,  G01F1/688 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01F1/688 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0109 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/6882 ,  G01L21/12 ,  H01L41/316 ,  H01L41/332

Abstract: 本发明涉及一种包括加热元件的微型传感器（1），并且涉及一种与该微型传感器相关联的制造方法。所述传感器（1）包括基板（2）、腔（20）以及热绝缘结构（4），所述热绝缘结构（4）通过连接至该基板（2）的区域（31、32）悬置在腔（20）的上方。本发明的特征在于，热绝缘结构（4）包括延伸越过腔（20）的至少两个桥部（33、34），加热元件通过相对于所述桥部（33、34）横向地延伸而由所述桥部（33、34）支撑。

公开(公告)号：CN103663344A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310415336.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 ,  快捷半导体公司

Inventor： 戴维·L·马克斯 ,  B·伯坎肖 ,  J·布雷泽克

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/096 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  H01L23/481 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82 ,  H01L29/84 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及一种包括多材料填充物的改进型硅通孔。一种装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。

公开(公告)号：CN102183334B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110039698.4

申请日：2011-01-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·考奇 ,  M·米勒 ,  D·梅因霍尔德 ,  B·罗萨姆 ,  K·埃利安 ,  S·科尔布

IPC: G01L9/12

CPC classification number: B81C1/00071 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0042

Abstract: 一种用于提供压力传感器衬底的方法包括：创建第一空腔，所述第一空腔在衬底内部在与衬底的主表面垂直的第一方向上延伸并且在衬底内部在与第一方向垂直的第二方向上延伸进入衬底的第一通气区域；创建第二空腔，所述第二空腔在衬底内部在第一方向上延伸，在第二方向上平行于第一空腔延伸，并且不延伸进入第一通气区域；以及将第一空腔开口于第一通气区域中。