公开(公告)号：JP5723440B2

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：JP2013503080

申请日：2011-04-04

Applicant: ライトラブ スウェーデン アクティエボラーグ

Inventor： キュウ−ホン フー

IPC: H01J63/06 ,  H01J31/12 ,  H01J35/06 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  B82Y20/00 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

公开(公告)号：JPWO2011046224A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：JP2011536203

申请日：2010-10-12

Applicant: 日本電気株式会社 ,  Necライティング株式会社

Inventor： 亮太 弓削 ,  亮太 弓削 ,  貞則 服部 ,  貞則 服部 ,  哲也 大川 ,  哲也 大川

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本発明は、電子放出材料の起毛、固定化が改善され、効率よく電子放出を行うことのできる冷陰極電子源及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、電子放出材料、有機バインダー、ガラスフリット、発泡剤を含む電界放出用ペーストを用い、前記電子放出材料を前記発泡剤の発泡により起毛し、前記ガラスフリットを加熱により前記発泡に合わせて融解させることにより、前記融解したガラスフリットにより前記起毛した電子放出材料を固定化することを特徴とする。

公开(公告)号：JP2010509740A

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：JP2009536600

申请日：2007-11-15

Applicant: キースマン、ティル

Inventor： キースマン、ティル

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本発明は、電子（２）の放出領域（１）をもつカソードを備える電界放出装置に関するものである。 本発明の電界放出装置は、できるだけ低い電圧で技術的に有用な電子電流を生成するように構成され、放出領域（１）には、個別に配置されるか、あるいは、個別に配置可能な複数の原子（４）または分子が配置されている。

公开(公告)号：JP4295215B2

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：JP2004522905

申请日：2002-07-18

Applicant: ユナイテッド ステイツ オブ アメリカ アズ レプリゼンテッド バイ ザ セクレタリィ オブ ジ エアー フォースUNITED STATES OF AMERICA as represented by the SECRETARY OF THE AIR FORCE

Inventor： シフラー，ドナルド，エイ．，ジュニア

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J23/04

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

公开(公告)号：JP3809182B2

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：JP2005516892

申请日：2005-01-07

Applicant: 松下電器産業株式会社

Inventor： 正洋 出口 ,  豊一 尾崎 ,  元司 柴田 ,  充 橋本 ,  昭 田尾本

IPC: H01J9/02 ,  B01J20/20 ,  C01B3/00 ,  C01B31/02 ,  C09K5/08 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  Y02E60/324

公开(公告)号：JP2006179321A

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：JP2004371693

申请日：2004-12-22

Applicant: National Institute For Materials Science ,  独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： KOMATSU SHOJIRO ,  MORIYOSHI YUSUKE ,  OKADA KATSUYUKI

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30446

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a boron nitride thin film containing boron nitride crystal with a pointed tip with excellent field electron emission properties, and an emitter of high efficiency with a low field electron emission threshold value through a proper control of a distribution state of crystal, in an emitter design with the thin film. SOLUTION: In designing a boron nitride thin film emitter containing sp 3 -bonding and sp 2 -bonding boron nitride or their mixture thereof, and crystal with a shape of a pointed tip and excellent in field electron emission properties as expressed in general formula BN, a distribution state of the crystal on the thin film surface is controlled by regulating angles of substrates against flow of reaction gas, in depositing emitters by reaction from a gas phase. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 解决的问题：为了提供具有优异场电子发射特性的具有尖端的氮化硼晶体的氮化硼薄膜，以及具有低场电子发射阈值的高效率的发射极，通过适当地控制 分布状态的晶体，在发射体设计中具有薄膜。 解决方案：在设计含有sp 3+和/或sp混合物的氮化硼薄膜发射体时，其形状为 如通式BN表示的尖端和场电子发射特性优异，薄膜表面上的晶体的分布状态通过调节反应气体流动的角度来控制，通过气相反应沉积发射体 。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP3792977B2

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：JP2000020291

申请日：2000-01-28

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： アイ・アレクサンドロ ,  エヌ・ルパシング ,  ゲハン・エー・ジェイ・アマラトゥンガ ,  マーク・バクセンダル ,  和也 中山 ,  利 張 ,  忠司 酒井

IPC: H01J1/304 ,  C23C14/06 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/022 ,  H01J1/30 ,  H01J2201/30446

公开(公告)号：JP2005524198A

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：JP2004500308

申请日：2003-04-24

Applicant: イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company

Inventor： チエング，ラプ−タク・アンドリユー ,  ローチ，デイビツド・ハーバート

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J19/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/745

Abstract: 本発明は、電子放出物質と、膨張材料とを含有する組成物を提供する。 膨張材料は、たとえば、層間化合物であってもよい。 この組成物からフィルムが形成されるとき、膨張材料の膨張が、典型的には、フィルムの破断または破壊を引起す。 良好な放出特性を得るために、膨張材料の膨張後、フィルムの表面のさらなる処理が、典型的には必要ではない。 そのような破壊されたフィルムから形成された表面は、効率的な電子電界エミッタとして作用し、したがって、真空マイクロエレクトロニクスデバイスに有用である。

公开(公告)号：JP2005521217A

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：JP2003579249

申请日：2003-03-24

Applicant: プリンタブル フィールド エミッターズ リミテッド

Inventor： アドリアン， ポール バーデン， ,  ヒュー ビショップ， ,  ウォーレン リー，

IPC: H01J29/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  H01J63/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

Abstract: 電界電子放出材料を創り出す方法において、バナジウム或いはバナジウム化合物が基体のそれぞれの場所に配置され、少なくとも１０
２ ｃｍ
−２ の平均密度で前記場所に複数の放出サイトを創り出す。 好ましくは、前記バナジウム或いはバナジウム化合物が粒子形状をしている。

公开(公告)号：TW200802477A

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：TW095121847

申请日：2006-06-19

Applicant: 大同股份有限公司 TATUNG COMPANY

Inventor： 羅吉宗 LO, JASON ,  鄭健民 JHEG, JIAN-MIN

IPC: H01J

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本發明係有關於一種電子發射及應用其之場發射顯示器,其中作為電子發射源之類鑽碳膜層具有片狀結構特徵,且可於基板表面排列成一花瓣圖案。由於本發明類鑽碳膜層之片結構高度約為米級,厚度約為奈米級,所以本發明類鑽碳膜之片狀結構具有高的高寬比,使其具備良好的場發射增强因子,易於發射電子,而成為良好的電子發射源。並且,本發明可將電子發射原材料應用漁場發射顯示器中,以作為良好且穩定的電子發射源。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种电子发射及应用其之场发射显示器,其中作为电子发射源之类钻碳膜层具有片状结构特征,且可于基板表面排列成一花瓣图案。由于本发明类钻碳膜层之片结构高度约为米级,厚度约为奈米级,所以本发明类钻碳膜之片状结构具有高的高宽比,使其具备良好的场发射增强因子,易于发射电子,而成为良好的电子发射源。并且,本发明可将电子发射原材料应用渔场发射显示器中,以作为良好且稳定的电子发射源。