公开(公告)号：CN104781911A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380057203.8

申请日：2013-10-11

Applicant: SOITEC公司

Inventor： Y-M·勒瓦扬 ,  E·纳瓦罗

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L23/5387 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0692 ,  H01L41/053 ,  H01L41/098 ,  H01L41/187 ,  H01L41/33 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 该方法包括如下步骤：a)提供第一衬底(1)，第一衬底(1)包括有源层(10)，有源层(10)由具有杨氏模量E1和厚度h1的第一材料制成；b)提供第二衬底(2)，第二衬底(2)由具有杨氏模量E2和厚度h2的第二材料制成；c)弯曲第一衬底(1)和第二衬底(2)，以使第一衬底(1)和第二衬底(2)的每个具有曲率半径为R的弓形形状；d)将第二衬底(2)接合到有源层(10)上，以使第二衬底(2)符合第一衬底(1)的形状；e)重建第二衬底(2)的静态初始形状，所述方法值得注意之处在于，第二衬底(2)的第二材料为满足关系E2/E1＜10-2的柔性材料，所述方法值得注意之处在于第二衬底(2)的厚度满足关系h2/h1≥104，并且所述方法值得注意之处在于所述曲率半径满足关系

公开(公告)号：CN102822970B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180017081.0

申请日：2011-02-22

Applicant: SOITEC公司

Inventor： C·梅热 ,  B-Y·阮 ,  M·佐高

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/187 ,  H01L21/8221 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/80001

Abstract: 形成半导体结构的方法包括：将施主结构的一部分（116a）转移到处理的半导体结构（102），其中，处理的半导体结构包括至少一个非平面表面。非晶形膜（144）可以形成在键合半导体结构的至少一个非平面表面之上，并且该非晶形膜可被平面化，以形成一个或多个平面化表面。半导体结构包括具有至少一个非平面表面的键合半导体结构，并且非晶形膜布置在该至少一个非平面表面之上。键合半导体结构可以包括处理的半导体结构和单晶施主结构附着到该处理的半导体结构的非平面表面的一部分。

公开(公告)号：CN104620140A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380046771.8

申请日：2013-09-10

Applicant: SOITEC太阳能有限责任公司

Inventor： A·贡贝尔 ,  M·诺伊鲍尔

IPC: G02B3/08 ,  H01L31/054

CPC classification number: G02B3/08 ,  G02B19/00 ,  G02B19/0009 ,  H01L31/0543 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明涉及一种菲涅耳透镜和相应的模具，所述透镜包括多个拔模面，其中，拔模面的拔模角具有对于两个不同拔模面的至少两个不同角度值，特别是其中，对于较靠近所述透镜的或相应所述模具的边缘的拔模面(5002)，与对于较靠近所述透镜的或相应所述模具的中心的拔模面(5001)相比，拔模角较大。

公开(公告)号：CN102593057B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201110397426.1

申请日：2011-12-02

Applicant: SOITEC公司

Inventor： G·恩德斯 ,  W·舍恩莱因 ,  F·霍夫曼 ,  C·梅热

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621

Abstract: 本发明涉及具有埋入掺杂层的完全耗尽SOI器件。本发明还涉及用于制造半导体器件的方法，包括：提供第一衬底；在第一衬底的表面区域中形成掺杂层；在掺杂层上形成埋入氧化物层并且在埋入氧化物层上形成半导体层，以获得SeOI晶片；从SeOI晶片的第一区域去除埋入氧化物层和半导体层，同时在SeOI晶片的第二区域中保留埋入氧化物层和半导体层；在第二区域中形成上部晶体管；在第一区域中形成下部晶体管，特别是凹沟道阵列晶体管，其中在第二区域中形成p沟道和/或n沟道晶体管包括在掺杂层中或者由掺杂层形成背栅，在第一区域中形成晶体管、特别是凹沟道阵列晶体管包括在掺杂层中或者由掺杂层形成源极和漏极区域。

公开(公告)号：CN101946316B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN200980105046.7

申请日：2009-03-26

Applicant: SOITEC公司

Inventor： B·斯卡弗利耶罗 ,  N·苯默罕默德 ,  S·卡泰

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/187 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68714

Abstract: 为了降低并均匀化施主衬底(18)在分离之后(分裂之后)的层的表面粗糙度和厚度的变化，控制施主衬底(18)在其注入过程中的平均温度在20℃到150℃范围内，且最大温度变化小于30℃。

公开(公告)号：CN102903664B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201210260321.6

申请日：2012-07-25

Applicant: SOITEC公司

Inventor： G·戈丹 ,  C·马聚尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及将单晶半导体层转移到支承衬底上的方法。这种将单晶半导体层（3）转移到支承衬底（1）上的方法包括以下步骤：a）将物种注入施主衬底（31）；b）将施主衬底（31）键合至所述支承衬底（1）；c）使施主衬底（31）断裂以便将层（3）转移到支承衬底（1）上；以及以下步骤：使待被转移的单晶层（3）的部分（34）变为非晶，而没有打乱所述层（3）的第二部分（35）的晶格，所述部分（34、35）分别为所述单晶层（3）的表面部分和隐埋部分；所述非晶部分（34）在低于500℃的温度下再结晶，所述第二部分（35）的晶格用作再结晶的籽晶。

公开(公告)号：CN104303319A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201280057811.4

申请日：2012-11-12

Applicant: SOITEC公司

Inventor： R·克劳泽 ,  B·吉斯伦 ,  C·阿雷纳

IPC: H01L31/052 ,  H01L31/02 ,  H01L23/58 ,  H01L21/02 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/024 ,  H01L31/052 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种用于通过在堆叠(101)的侧壁(104)上提供隔离层(108)或通过在将堆叠附接至衬底之后移除剩余材料以防止半导体层堆叠(101)的至少两个层之间的电短路的方法，该半导体层堆叠(101)经由导电粘合剂(110)通过该半导体层堆叠(101)的层中的一个的表面(101b)附接至衬底(109)。本发明还涉及一种薄衬底CPV电池(101)并且涉及太阳能电池组件(111)。

公开(公告)号：CN104011259A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280064081.0

申请日：2012-11-12

Applicant: SOITEC公司

Inventor： R·T·小贝尔特拉姆

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B29/40

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/303 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403

Abstract: 用于减少与半导体淀积系统相关的反应室内的非所需淀积物的工艺和系统。可以使清洁气体流过延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径，而且可以将已加热的清洁气体引入到反应室以从反应室内移除至少一部分非所需淀积物。

公开(公告)号：CN103987877A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280061724.6

申请日：2012-11-12

Applicant: SOITEC公司

Inventor： E·林多 ,  R·贝尔特拉姆 ,  C·卡尼扎尔

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/52 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/482 ,  C23C16/303 ,  C23C16/52

Abstract: 淀积系统，包括反应室(102)、用于加热反应室中的物质的至少一个热辐射发射器(104)以及用于在反应室(102)内原位探测和/或测量工件衬底的特性的至少一个测量装置(106)。一个或多个室壁对于热辐射以及测量装置所接收的辐射信号可以是透明的，以允许辐射分别传入并传出反应室。至少一定体积的不透明材料这样放置，使其遮蔽测量装置(106)的传感器(108)免于热辐射中的至少一部分。形成淀积系统的方法包括提供一定体积的不透明材料，其位置使其遮蔽传感器免于热辐射。使用淀积系统的方法包括遮蔽传感器免于热辐射中的至少一部分。

公开(公告)号：CN102804337A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080025954.8

申请日：2010-06-11

Applicant: SOITEC公司

Inventor： C·拉加赫布兰夏德 ,  M·布罗埃卡特 ,  A·卡斯特克斯

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  Y10T156/17

Abstract: 一种在至少一个下方晶片(20)和上方晶片(30)之间通过分子键合来键合的方法包括将所述上方晶片放置在所述下方晶片上。根据本发明，对两个晶片(30，20)的至少其中之一的外周侧面(22，32)施加接触力(F)，以便在两个晶片之间引发键合波。