半导体元件搭载用封装基板的制造方法

    公开(公告)号:CN113243146B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN201980081480.X

    申请日:2019-10-21

    Abstract: 一种半导体元件搭载用封装基板的制造方法,其为具备绝缘层和设置于绝缘层上的布线导体的半导体元件搭载用封装基板的制造方法,所述制造方法包括如下工序:第1基板形成工序(a),在厚度为1μm~80μm的芯树脂层的两面形成配置有第1金属层、第1绝缘性树脂层和第2金属层的层叠体,将层叠体同时加热加压,形成第1基板,所述第1金属层的厚度为1μm~70μm且能从芯树脂层剥离;图案化工序(b),在第1基板的第2金属层上形成图案;第2基板形成工序(c),在前述第1基板的第2金属层表面配置第2绝缘性树脂层和第3金属层,形成层叠体,将所形成的层叠体加热加压,形成第2基板;和,剥离工序(d),从芯树脂层剥离第3基板,所述第3基板具备第1金属层、第1绝缘性树脂层、第2金属层、第2绝缘性树脂层和第3金属层。

Patent Agency Ranking