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公开(公告)号：CN110337508A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201880014267.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu-Ga合金溅射靶具有如下组成：作为金属成分，以20原子％以上且45原子％以下的范围含有Ga，进一步以合计0.1原子％以上且2原子％以下的范围含有K及Na，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在Cu-Ga合金的母相中分散有包含Na、K及F的复合氟化物，所述复合氟化物的内切圆的最大直径为30μm以下，在将所述复合氟化物中的Na的原子比设为[Na]且将所述复合氟化物中的K的原子比设为[K]的情况下，[Na]/([Na]+[K])在0.3以上且0.9以下的范围内。
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公开(公告)号：CN105813778B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201480067567.9
申请日：2014-11-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: B22D11/06 , B22D11/00 , B22D11/108 , B22D11/11 , B22D11/12
Abstract: 本发明的铜铸块通过带式连铸机铸造，所述铜铸块的碳含量设为1质量ppm以下，氧含量设为10质量ppm以下，氢含量设为0.8质量ppm以下，磷含量设为15质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，还具有由含有碳、磷及Cu的氧化物构成的夹杂物。
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公开(公告)号：CN104109837B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201410151582.3
申请日：2014-04-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: B32B15/01 , C22C9/04 , C22C18/02 , C22C30/02 , C22C30/06 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , Y10T428/12778
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用溅射靶及层叠配线膜。所述保护膜形成用溅射靶，其在Cu配线膜（11）的单面或双面形成保护膜（12）时使用，其中，包括：5.0质量%以上15.0质量%以下的Ni；2.0质量%以上10.0质量%以下的Mn；30.0质量%以上50.0质量%以下的Zn；0.5质量%以上7.0质量%以下的Al；余量为Cu及不可避免的杂质。并且，所述层叠配线膜（10），其具备Cu配线膜（11）及形成于该Cu配线膜（11）的单面或双面的保护膜（12），其中，保护膜（12）利用上述保护膜形成用溅射靶形成。
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公开(公告)号：CN105473760B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201480046016.4
申请日：2014-10-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/3414 , H01J37/3426
Abstract: 本发明的保护膜形成用溅射靶在Cu配线膜的单面或两面形成保护膜时使用，含有5质量％以上且15质量％以下的Ni或共计5质量％以上且15质量％以下的Ni及Al(其中，包含0.5质量％以上的Ni)，并且含有0.1质量％以上且5.0质量％以下的Mn、0.5质量％以上且7.0质量％以下的Fe，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103258725B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310042051.6
申请日：2013-02-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 森晓
IPC: H01L21/285 , H01L29/43
CPC classification number: H01L21/76861 , H01L21/32051 , H01L23/52 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种薄膜配线形成方法及薄膜配线，本发明的薄膜配线形成方法，使用具有Ca为0.5at%以上且不到5at%、剩余部分为Cu及不可避免杂质的组成的Cu‑Ca合金靶以溅射法形成Cu‑Ca合金膜之后，在氧气分压为10‑4～10‑10气压的含微量氧的惰性气体气氛中，以300～700℃对所述合金膜进行热处理，所述薄膜配线通过该方法形成。
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公开(公告)号：CN102203916A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980141374.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/285 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/05 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53233 , C22C9/00 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于形成薄膜晶体管用布线膜的溅射靶材，具有如下组成：含有Mg:0.1~5原子%、Ca:0.1~10原子%，剩余部分含有Cu和不可避免的杂质。另外还可以含有Mn和Al中的至少一种或两种合计0.1~10原子%。另外还可以含有P：0.001~0.1原子%。
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公开(公告)号：CN111836913B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201980018145.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，含有合计5质量ppm以上且50质量ppm以下的范围的选自Ag、As、Pb、Sb、Bi、Cd、Sn、Ni、Fe中的一种或两种以上，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，当通过电子背散射衍射法进行观察，将不包括双晶而以面积平均计算出的平均晶粒直径设为X1(μm)，并将极图的强度的最大值设为X2时，满足式(1)：2500＞19×X1+290×X2，并且通过电子背散射衍射法测定的晶体取向的局部取向差(KAM)为2.0°以下，相对密度为95％以上。
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公开(公告)号：CN113365763A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011450.4
申请日：2020-03-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种含金属铜‑氧化铜的粉末(10)，由金属铜粉末(11)、氧化铜粉末(12)和不可避免的杂质组成，其中，金属铜粉末(11)的平均粒径大于氧化铜粉末(12)的平均粒径，并且所述含金属铜‑氧化铜的粉末(10)具有在金属铜粉末(11)的外周部附着有氧化铜粉末(12)的结构的复合粒子(15)。并且，在金属铜粉末(11)的外周部形成有凹部，复合粒子(15)也可以为在形成于金属铜粉末(11)的外周部的所述凹部中填充有氧化铜粉末(12)的结构。
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公开(公告)号：CN111492091A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880080335.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu-Ga合金溅射靶具有如下组成：作为金属成分，以20原子％以上且40原子％以下的范围含有Ga，并且以合计0.05原子％以上且1.0原子％以下的范围含有Na及K，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在Cu-Ga合金的母相中分散有由钠盐或钾盐构成的碱金属盐粒子，所述碱金属盐粒子的最大粒径设为30μm以下，所述Cu-Ga合金溅射靶的相对密度设为97％以上。
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