公开(公告)号：CN105209658B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201580000747.X

申请日：2015-02-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 大户路晓 ,  熊谷训 ,  樱井晶

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/087 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423 ,  H01L21/285

Abstract: 一种由铜或铜合金构成的圆筒型溅射靶用原材料，在外周面的晶体组织中，根据通过EBSD法测定的每1mm2单位面积的单位总晶界长度LN和每1mm2单位面积的单位总特殊晶界长度LσN而定义特殊晶界长度比率LσN/LN的情况下，在轴线O方向的两端部的外周面和中央部的外周面测定的所述特殊晶界长度比率LσN/LN的平均值为0.5以上，并且各测定值相对于所述特殊晶界长度比率LσN/LN的平均值在±20％的范围内，另外，作为杂质元素的Si和C的含量总计为10质量ppm以下、O含量为50质量ppm以下。

公开(公告)号：CN102713022B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201180005807.9

申请日：2011-01-07

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 中矢清隆 ,  喜多晃一 ,  熊谷训 ,  加藤直树 ,  渡边真美

IPC: C25D17/10 ,  B21B3/00 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

CPC classification number: C25D17/10 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C25D3/38 ,  C25D5/50

Abstract: 本发明提供可减少起因于残渣的电镀不良的电解铜电镀用含磷铜阳极及其制造方法、使用该含磷铜阳极的电解铜电镀方法。通过对电镀用含磷铜实施加工而施加加工应变后，进行再结晶化热处理，可具有将阳极表面的铜晶粒的晶界的全部晶界长度L换算为每1mm2单位面积的单位全部晶界长度LN与将特殊晶界的全部特殊晶界长度Lσ换算为每1mm2单位面积的单位全部特殊晶界长度LσN的特殊晶界长度比率LσN/LN为0.4以上的晶界组织，在电解铜电镀初期均匀地形成黑膜，防止黑膜的脱落，从而减少电镀不良。

公开(公告)号：CN105339527A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480035789.2

申请日：2014-07-08

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 樱井晶 ,  谷雨 ,  佐藤雄次 ,  熊谷训

IPC: C25C1/12 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C22C9/00 ,  C23C14/3414 ,  C25C1/12 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/3323

Abstract: 本发明的高纯度铜溅射靶用铜原材料，除O、H、N、C以外的Cu的纯度在99.999980质量％以上且99.999998质量％以下的范围内，Al的含量为0.005质量ppm以下，Si的含量为0.05质量ppm以下。

公开(公告)号：CN102762757A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009727.0

申请日：2011-03-04

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 熊谷训 ,  小出正登

IPC: C22F1/08 ,  B21B3/00 ,  B22D21/00 ,  C23C14/34 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22F1/08 ,  B21B2003/005 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的高纯度铜加工材，由纯度99.9999质量%以上的Cu构成，平均结晶粒径为20μm以下、且在晶粒的粒径分布中，具有超过2.5倍平均结晶粒径的粒径的晶粒所占的面积比率小于总晶粒面积的10%。本发明的高纯度铜加工材的制造方法中，将由Cu纯度99.9999质量%以上的高纯度铜构成的铸锭在初期温度550℃以上热锻后水冷，接着在初期温度350℃以上温热锻造后水冷，然后以50%以上的总轧制率进行冷斜轧，接着在200℃以上进行低温退火。

公开(公告)号：CN102713022A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005807.9

申请日：2011-01-07

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 中矢清隆 ,  喜多晃一 ,  熊谷训 ,  加藤直树 ,  渡边真美

IPC: C25D17/10 ,  B21B3/00 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

CPC classification number: C25D17/10 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C25D3/38 ,  C25D5/50

Abstract: 本发明提供可减少起因于残渣的电镀不良的电解铜电镀用含磷铜阳极及其制造方法、使用该含磷铜阳极的电解铜电镀方法。通过对电镀用含磷铜实施加工而施加加工应变后，进行再结晶化热处理，可具有将阳极表面的铜晶粒的晶界的全部晶界长度L换算为每1mm2单位面积的单位全部晶界长度LN与将特殊晶界的全部特殊晶界长度Lσ换算为每1mm2单位面积的单位全部特殊晶界长度LσN的特殊晶界长度比率LσN/LN为0.4以上的晶界组织，在电解铜电镀初期均匀地形成黑膜，防止黑膜的脱落，从而减少电镀不良。