公开(公告)号：CN218984139U

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202223430791.0

申请日：2022-12-21

Applicant: 厦门钨业股份有限公司

Inventor： 赵艺惠 ,  王录生 ,  林凤 ,  张彬镜 ,  赵衡煜 ,  庄击勇 ,  郑燕青

IPC: B24B5/04 ,  B24B5/50 ,  B24B41/06 ,  B24B49/12

Abstract: 本实用新型提供一种磨床，包括：工作台包括基座和支架，支架设置在基座上方；第一角度调整装置设置在支架上，第一角度调整装置包括第一角度调整部件和第二角度调整部件；射线发生装置设置在第一角度调整部件上；射线接收装置设置在第二角度调整部件上；第二角度调整装置上设置有置物平台，第二角度调整装置设置在基座上；射线衍射峰检测装置，和所述射线接收装置连接；研磨机构，所述研磨机构设置在所述支架上。本申请设置有第一角度调整装置和第二角度调整装置，在装配射线发生装置和射线接收装置后，能够依照射线经置物平台的所测晶体表面反射衍射的结果，针对性进行角度调整，依靠第一角度调整装置和第二角度调整装置晶向面，提高定向精度。

公开(公告)号：CN217378100U

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202220187433.2

申请日：2022-01-24

Applicant: 厦门钨业股份有限公司

Inventor： 张彬镜 ,  赵衡煜 ,  刘俊杰 ,  王录生 ,  郑燕青

IPC: C30B29/12 ,  C30B11/00

Abstract: 本实用新型属于晶体生长技术领域，公开了一种坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统。该坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统包括双层坩埚、抽真空装置、烘干装置和晶体生长炉；双层坩埚包括外层坩埚和内层坩埚，外层坩埚具有真空密封腔，内层坩埚置于真空密封腔中，内层坩埚用于盛放晶体生长原料；内层坩埚由惰性金属制成，外层坩埚由石英制成；抽真空装置用于对外层坩埚抽真空；烘干装置用于加热双层坩埚；晶体生长炉用于容置双层坩埚。该坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统不仅可以大大降低生产设备的成本，还能降低晶体生长过程中产生的应力，大大提高了生长的晶体的质量。

公开(公告)号：CN216550814U

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202123150715.X

申请日：2021-12-15

Applicant: 厦门钨业股份有限公司

Inventor： 陈志平 ,  赵衡煜 ,  刘俊杰 ,  赵艺慧 ,  沈仁奇 ,  郭杰 ,  郑燕青

IPC: C30B11/00 ,  C30B28/06 ,  C30B29/22

Abstract: 本实用新型属于多元氧化物晶体原料熔炼技术领域，公开一种热熔铸锭炉，包括：热熔装置，热熔装置包括加热炉以及设置于加热炉内的加热件，加热炉的底部开设有炉口；翻转装置，设置于热熔装置的下方，翻转装置包括旋转动力件以及绕水平线转动连接于旋转动力件的输出端的承接座，承接座用于承载热熔坩埚以及带动热熔坩埚倾倒熔融状态的熔料；旋转动力件用于带动承接座在第一旋转位置和第二旋转位置之间运动，从而实现热熔坩埚承载和倾倒熔料；升降装置，设置于翻转装置的下方，用于支撑并带动热熔坩埚，使其脱离承接座，穿过炉口进入加热炉的内部，以及在加热完成后脱离加热炉回落到承接座内。本实用新型可以降低劳动强度，保证安全。