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公开(公告)号：CN117626399A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311351937.9
申请日：2023-10-18
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种单晶生长设备，涉及晶体生长技术领域。单晶生长设备包括炉体、支撑组件、升降驱动机构、稳流板和冷却环。炉体形成炉腔，炉体的内侧设置有加热组件。支撑组件包括载物台与支撑轴，载物台位于炉腔内，用于放置坩埚。升降驱动机构用于驱动炉体和/或支撑组件，以使炉体相对于支撑组件升降。冷却环内部形成供冷媒流动的冷却通道，冷却环通过第一管路和第二管路与炉体的外部连通。通过冷却环能够有效地对炉腔内温度场进行控制，为晶体生长提供合适的温度梯度，保证晶体生长质量。由于设置了稳流板，减小了气体对流，有利于保证晶体质量，同时也使坩埚所在空间的温度所需要的功率降低。
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公开(公告)号：CN220699229U
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202322390167.0
申请日：2023-09-04
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: B24B37/27
Abstract: 本实用新型涉及研磨设备技术领域，提供了一种夹具及研磨抛光设备。其中，固定盘的中部的通孔被隔板分隔为绕其轴线分布的若干子空间，子空间的周侧壁至少包括一面通孔的内周壁；夹持组件设置于子空间内，第一夹持件的运动方向与通孔的轴线垂直；固定盘设置有两个，两个固定盘沿其轴线分布，且两个固定盘能够沿轴线相互靠近或远离，晶体能够被两个固定盘的夹持组件固定且晶体的待处理端面暴露于固定盘的端面外。通过两个固定盘沿轴向分别为晶体提供两个支撑点，使得晶体在研磨过程中能够减少摆动幅度，提高研磨作用质量，且固定盘能够同时固定多个晶体，使得研磨抛光设备能够同批次对多个晶体进行研磨作业，保障了研磨的一致性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN219160822U
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202223386067.2
申请日：2022-12-16
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 一种烘料封装炉，包括：工作台包括底座和支架，所述支架上设置有置物平台，其中，所述置物平台包括第一端部和第二端部；炉体设置在所述置物平台上，所述炉体内部具有加热空腔；坩埚设置于所述加热空腔中，所述坩埚包括相互连接的第一管段和第二管段，所述第一管段的直径小于所述第二管段的直径；加热组件设置所述炉体上；真空组件设置在所述置物平台的第一端部，所述真空组件和所述坩埚的第一管段通过转动接头转动连接；驱动组件设置在所述置物平台的第二端部，所述驱动组件和所述坩埚的第二管段驱动连接。通过电机带动滚轴转动，进而带动整个坩埚转动，达到原料边旋转，边烘料，边抽真空目的，减少了高温条件下挥发造成的泄漏。
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公开(公告)号：CN221028762U
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202322799243.3
申请日：2023-10-18
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C30B11/00
Abstract: 本申请公开了一种晶体生长装置，涉及晶体生长技术领域。晶体生长装置包括炉体、支撑组件、升降驱动机构以及稳流板。炉体形成炉腔，炉体的内侧设置有加热组件；支撑组件包括载物台与支撑轴，载物台位于炉腔内，用于放置坩埚，支撑轴的一端连接于载物台底部。升降驱动机构用于使炉体相对于支撑组件升降。稳流板位于炉腔内且间隔地设置于位于载物台的上方，可随载物台相对于炉体升降。在载物台下降时，稳流板可以随载物台一同下降，使得坩埚以上的空间不会过大，减小了空气流动，因此温度场更为稳定，有利于提高晶体生长质量。此外，由于设置了稳流板，还有利于减少晶体生长装置的能耗。
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公开(公告)号：CN218893767U
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202223358155.1
申请日：2022-12-14
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C30B35/00
Abstract: 本实用新型公开了一种晶体原料预处理装置，包括：箱体、干燥管、旋转座和微波发生器，箱体内设置旋转座，干燥管通过夹持件固定在旋转座上随旋转座相对于箱体旋转，干燥管的顶部设置入料口，将晶体原料从入料口装入干燥管后，将入料口通过旋转接头与真空管道连接，将干燥管的内部腔体抽真空状态，箱体侧壁上设置的微波发生器产生微波，对干燥管内的晶体原料辐射加热，干燥管随旋转座旋转运动的过程中，均匀受到微波辐射，干燥更加均匀，此外，通过真空管道与干燥管连通，对干燥管的内腔进行抽真空处理，缩小抽真空的范围，降低能量的损耗，保证干燥充分性。
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公开(公告)号：CN218984139U
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202223430791.0
申请日：2022-12-21
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种磨床，包括：工作台包括基座和支架，支架设置在基座上方；第一角度调整装置设置在支架上，第一角度调整装置包括第一角度调整部件和第二角度调整部件；射线发生装置设置在第一角度调整部件上；射线接收装置设置在第二角度调整部件上；第二角度调整装置上设置有置物平台，第二角度调整装置设置在基座上；射线衍射峰检测装置，和所述射线接收装置连接；研磨机构，所述研磨机构设置在所述支架上。本申请设置有第一角度调整装置和第二角度调整装置，在装配射线发生装置和射线接收装置后，能够依照射线经置物平台的所测晶体表面反射衍射的结果，针对性进行角度调整，依靠第一角度调整装置和第二角度调整装置晶向面，提高定向精度。
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公开(公告)号：CN217378100U
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202220187433.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本实用新型属于晶体生长技术领域，公开了一种坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统。该坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统包括双层坩埚、抽真空装置、烘干装置和晶体生长炉；双层坩埚包括外层坩埚和内层坩埚，外层坩埚具有真空密封腔，内层坩埚置于真空密封腔中，内层坩埚用于盛放晶体生长原料；内层坩埚由惰性金属制成，外层坩埚由石英制成；抽真空装置用于对外层坩埚抽真空；烘干装置用于加热双层坩埚；晶体生长炉用于容置双层坩埚。该坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统不仅可以大大降低生产设备的成本，还能降低晶体生长过程中产生的应力，大大提高了生长的晶体的质量。
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