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公开(公告)号：CN118581561A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410872627.X
申请日：2024-07-01
Applicant: 福建理工大学 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种坩埚托装置，坩埚托装置包括：保护管、底座、热电偶等，保护管由多个异形单体管依次套接或由多个规则单体管与多个双联单体管进行套接而成，该类保护管中相邻的彼此套接的两节管之间存在竖直方向上的交叠或嵌套，相邻的管之间嵌套部分的配合缝隙较长，接缝纵截面是曲折的，缝隙的内外端存在一定的高度差，从而使得保护管能较好地稳固为一体，能够避免粉体填充物漏出且不易破裂，从而克服现有技术保护管发生倾斜时会出现的技术问题，以使坩埚装出炉更安全，使坩埚下降法生长晶体更顺畅地进行，有助于提高晶体生长的成功率。
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公开(公告)号：CN117139841A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311251263.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: B23K26/21 , B23K26/70 , B23K103/10
Abstract: 本发明公开了一种晶体封装结构及其封装方法，其中，一种晶体封装结构的封装方法，包括：采用激光焊接的方式对晶体封装结构的铝合金外壳进行封装；所述铝合金外壳包括通过激光焊接在一起的前壳和后盖，所述前壳和后盖的对接处都设置有坡口，所述前壳和后盖的厚度不大于3.0mm；所述激光焊接的过程为：将坡口对接后，焊接头对准对接处；控制激光束进行第一次焊接；控制激光束采用O型摆动进行第二次焊接。本发明中优选采用两次激光焊接工序，通过特定参数下以较低的能量先进行表面剥蚀的第一次焊接与特定参数下的第二次焊接相配合，能够在确保密封效果的同时有效降低铝合金外壳内部焊接点位置处的升温速率，进而保证晶体不开裂。
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公开(公告)号：CN120026387A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411793122.0
申请日：2024-12-06
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建理工大学
Abstract: 本申请公开了一种大尺寸反式二苯乙烯晶体的制备方法，属于晶体材料制备技术领域。反式二苯乙烯(分子式：C6H5CH＝CHC6H5)晶体，又称为芪晶体，是重要的中子探测有机闪烁材料。本发明提供的制备方法为溶液法晶体生长，包括以下步骤：配置溶液，测定饱和点，降温生长。本发明的制备方法所采用的溶剂酮类试剂，具有沸点高、挥发性小、和对人体健康危害小的优点，所制备的大尺寸反式二苯乙烯晶体三个方向的尺寸都超过了25.4mm，属于英寸级的大尺寸晶体，可以满足加工成英寸级中子探测器件的要求。
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公开(公告)号：CN116716660A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310938720.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种晶体生长方法和晶体生长装置，所述晶体生长方法包括依次进行装料、引燃、扩熔池、晶体生长和降温等过程，得到晶体；其中，引燃的过程中使光源的焦点于晶体原料表面运动从而使其表面熔化形成熔池，直至熔池的表面积扩大至目标尺寸，扩熔池的过程中启动设置于坩埚外侧的感应线圈，且同步向坩埚内加入晶体原料，熔池持续向下扩张直至接触到坩埚底部的籽晶，晶体生长的过程中下调感应线圈的功率，使自籽晶顶部由下向上不断结晶，直至晶体达到熔池的顶部。本发明提供的晶体生长方法和晶体生长装置能够得到有效熔池，并且能够形成径向的温度梯度，改善晶体的解理程度。
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公开(公告)号：CN119121382A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411285989.5
申请日：2024-09-13
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 领晶(厦门)光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于多组分晶体制备技术领域，公开了晶体生长方法及晶体生长装置，使用纯熔体泡生法生长多组分晶体，多组分晶体为二元及以上氧化物。晶体生长装置包括炉膛、承载座、坩埚、籽晶杆、出气管、进气管以及三组环形的加热组件，炉膛包括炉体和炉盖，炉盖密封炉体的顶部开口，炉体的内部设有由保温材料围成的加热区；承载座和坩埚均设置于加热区；籽晶杆延伸至坩埚内；三组环形的加热组件设置于加热区的内壁，三组加热组件分别为自上而下间隔设置的上加热组件、中加热组件和下加热组件，坩埚位于中加热组件所围绕的中温区。本发明能够避免多晶现象和内部缺陷，生长出更大尺寸高质量的多组分晶体，降低生产制造成本。
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公开(公告)号：CN117626399A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311351937.9
申请日：2023-10-18
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种单晶生长设备，涉及晶体生长技术领域。单晶生长设备包括炉体、支撑组件、升降驱动机构、稳流板和冷却环。炉体形成炉腔，炉体的内侧设置有加热组件。支撑组件包括载物台与支撑轴，载物台位于炉腔内，用于放置坩埚。升降驱动机构用于驱动炉体和/或支撑组件，以使炉体相对于支撑组件升降。冷却环内部形成供冷媒流动的冷却通道，冷却环通过第一管路和第二管路与炉体的外部连通。通过冷却环能够有效地对炉腔内温度场进行控制，为晶体生长提供合适的温度梯度，保证晶体生长质量。由于设置了稳流板，减小了气体对流，有利于保证晶体质量，同时也使坩埚所在空间的温度所需要的功率降低。
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公开(公告)号：CN115207757A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210805548.8
申请日：2022-07-08
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属离子掺杂氧化钪激光晶体及其制备方法，所述激光晶体的化学式为(TMxSc1‑x)2O3；其中，TM为过渡金属元素，0.0001≤x≤0.03，即，所述激光晶体采用氧化钪晶体作为基质晶体，以过渡金属离子作为激活离子，尤其采用Ti3+、Cr3+或Fe3+作为激活离子。本发明克服了过渡金属离子在传统氧化物基质晶体中难以形成发光中心的技术问题，制备得到了一种新型近红外激光晶体，通过采用弱晶场耦合的氧化钪作为过渡金属离子掺杂的激光晶体的基质，过渡金属离子在氧化钪基质中的有效掺入量能够达到千分之一以上。
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公开(公告)号：CN220703866U
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202322007706.8
申请日：2023-07-28
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种晶体生长装置，所述晶体生长装置包括：坩埚；包裹在所述坩埚的外周面的保温层；设置在所述保温层的外侧周向的感应线圈；位于所述坩埚的下方且用于固定籽晶的晶座，所述籽晶深入所述坩埚内，所述晶座内设置有冷却系统；设置于坩埚的顶部的保温盖；设置于保温盖上的加料口；设置于保温盖内的至少一个蓝宝石透光口；设置于蓝宝石透光口上方的光源发射器；设置于坩埚的外侧壁和保温层之间的上热电偶和下热电偶；所述上热电偶设置于坩埚的外侧壁的顶部一侧；所述下热电偶设置于坩埚的外侧壁的底部一侧。本实用新型提供的晶体生长装置可以为晶体提供相对密闭的生长环境，同时能够降低径向的温度梯度，有利于晶体生长。
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公开(公告)号：CN218989116U
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202223141316.1
申请日：2022-11-25
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C04B37/00
Abstract: 本实用新型属于焊接技术领域，公开了石英坩埚焊接工装，该石英坩埚焊接工装包括底座、夹持机构、支撑架、旋转驱动机构、抽真空机构、传动机构和翻转驱动机构，将装料的石英管放置于卡座中，石英帽放置于真空连接头中，旋转驱动机构启动，驱动卡座相对底座进行转动，同时带动真空连接头同步转动，此时卡座和真空连接头相对底座同步转动，使得石英管和石英帽同步旋转，然后对石英管和石英帽的对接处进行焊封，操作人员无需走动即可完成焊接，结构简单，焊接成本低，保证焊接质量和降低焊接的要求；同时设置有抽真空机构，实现了焊接和抽真空一体化，简化了流程，有利于提高工作效率。
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公开(公告)号：CN222024552U
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202323414733.3
申请日：2023-12-14
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C30B11/00
Abstract: 本实用新型属于晶体生长设备技术领域，公开晶体生长坩埚及晶体生长炉，晶体生长坩埚包括坩埚组件和封盖组件，坩埚组件包括金属坩埚和石英坩埚，石英坩埚罩盖金属坩埚，石英坩埚与金属坩埚之间形成空气间隙；封盖组件包括内盖、外盖、密封圈以及螺纹紧固件，内盖嵌入石英坩埚的开口内，内盖设有连通空气间隙的排气通道，内盖的周部设有限位台，密封圈套设于内盖的周部，外盖通过螺纹紧固件连接于内盖，外盖朝密封圈凸设有抵推部，当锁紧螺纹紧固件时，抵推部将密封圈挤压推向限位台，密封圈被挤压弹性变形并将石英坩埚内壁与内盖外壁之间的间隙密封，能够避免因焊接而导致晶体原料被污染的情况出现，使石英坩埚可重复使用。
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