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公开(公告)号：CN117626399A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311351937.9
申请日：2023-10-18
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种单晶生长设备，涉及晶体生长技术领域。单晶生长设备包括炉体、支撑组件、升降驱动机构、稳流板和冷却环。炉体形成炉腔，炉体的内侧设置有加热组件。支撑组件包括载物台与支撑轴，载物台位于炉腔内，用于放置坩埚。升降驱动机构用于驱动炉体和/或支撑组件，以使炉体相对于支撑组件升降。冷却环内部形成供冷媒流动的冷却通道，冷却环通过第一管路和第二管路与炉体的外部连通。通过冷却环能够有效地对炉腔内温度场进行控制，为晶体生长提供合适的温度梯度，保证晶体生长质量。由于设置了稳流板，减小了气体对流，有利于保证晶体质量，同时也使坩埚所在空间的温度所需要的功率降低。
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公开(公告)号：CN115207757A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210805548.8
申请日：2022-07-08
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属离子掺杂氧化钪激光晶体及其制备方法，所述激光晶体的化学式为(TMxSc1‑x)2O3；其中，TM为过渡金属元素，0.0001≤x≤0.03，即，所述激光晶体采用氧化钪晶体作为基质晶体，以过渡金属离子作为激活离子，尤其采用Ti3+、Cr3+或Fe3+作为激活离子。本发明克服了过渡金属离子在传统氧化物基质晶体中难以形成发光中心的技术问题，制备得到了一种新型近红外激光晶体，通过采用弱晶场耦合的氧化钪作为过渡金属离子掺杂的激光晶体的基质，过渡金属离子在氧化钪基质中的有效掺入量能够达到千分之一以上。
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公开(公告)号：CN119121382A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411285989.5
申请日：2024-09-13
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 领晶(厦门)光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于多组分晶体制备技术领域，公开了晶体生长方法及晶体生长装置，使用纯熔体泡生法生长多组分晶体，多组分晶体为二元及以上氧化物。晶体生长装置包括炉膛、承载座、坩埚、籽晶杆、出气管、进气管以及三组环形的加热组件，炉膛包括炉体和炉盖，炉盖密封炉体的顶部开口，炉体的内部设有由保温材料围成的加热区；承载座和坩埚均设置于加热区；籽晶杆延伸至坩埚内；三组环形的加热组件设置于加热区的内壁，三组加热组件分别为自上而下间隔设置的上加热组件、中加热组件和下加热组件，坩埚位于中加热组件所围绕的中温区。本发明能够避免多晶现象和内部缺陷，生长出更大尺寸高质量的多组分晶体，降低生产制造成本。
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公开(公告)号：CN218989116U
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202223141316.1
申请日：2022-11-25
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C04B37/00
Abstract: 本实用新型属于焊接技术领域，公开了石英坩埚焊接工装，该石英坩埚焊接工装包括底座、夹持机构、支撑架、旋转驱动机构、抽真空机构、传动机构和翻转驱动机构，将装料的石英管放置于卡座中，石英帽放置于真空连接头中，旋转驱动机构启动，驱动卡座相对底座进行转动，同时带动真空连接头同步转动，此时卡座和真空连接头相对底座同步转动，使得石英管和石英帽同步旋转，然后对石英管和石英帽的对接处进行焊封，操作人员无需走动即可完成焊接，结构简单，焊接成本低，保证焊接质量和降低焊接的要求；同时设置有抽真空机构，实现了焊接和抽真空一体化，简化了流程，有利于提高工作效率。
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公开(公告)号：CN220835245U
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202322388414.3
申请日：2023-09-04
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: B01F33/81 , B01F29/60 , B01F35/12 , B01F35/40 , B01F35/43 , B01F35/50 , B01F35/71 , B01F35/75 , B01F35/88
Abstract: 本实用新型属于混料设备技术领域，公开混料装置，所述混料装置包括称重组件、料筒、加热器以及静电消除器；所述料筒绕水平线转动安装于所述称重组件，所述料筒上设有进出料口，所述进出料口设有料口开关，所述料口开关用于开启或者关闭所述进出料口；所述加热器安装于所述料筒，所述加热器用于加热所述料筒；所述静电消除器包括消除器本体和离子风嘴，所述消除器本体安装于所述称重组件，所述离子风嘴与所述消除器本体连通，所述离子风嘴用于伸入所述料筒的内部。本实用新型的混料装置能够使原料的水分蒸发，减少料筒内壁的粘料，保证能够适用于多元混合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN219526863U
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202320685104.5
申请日：2023-03-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
IPC: C30B13/28
Abstract: 本实用新型涉及晶体生长设备技术领域，具体公开了一种浮区法晶体生长炉，该浮区法晶体生长炉包括机架、光源组件和晶体管，机架包括第一机架和第二机架，第一机架用于固定晶料棒和籽晶，晶料棒和籽晶同轴线且能各自独立地沿晶料棒的轴线位移；光源组件设置于第二机架，光源组件的光源焦点位于晶料棒的轴线上；晶体管设于第一机架，晶体管设置有通孔，晶料棒和籽晶穿设于通孔内且晶料棒和晶体管同轴线设置，沿晶料棒至籽晶的方向，通孔的直径逐渐增大，晶体管的熔点小于晶料棒的析晶温度；光源焦点于晶体管的轴线相对位移。该装置可以大致了解光源组件的光源焦点处沿径向的温度场分布情况，有利于对光学浮区法生长晶体技术的发展。
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公开(公告)号：CN217479589U
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202221433212.5
申请日：2022-06-09
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本实用新型属于晶体热熔生长设备技术领域，公开一种炉膛装置及晶体炉，晶体炉包括该炉膛装置，炉膛装置包括炉体和支撑装置，所述炉体内部形成有炉膛，所述炉膛内设置有加热件，所述炉膛内设置有梯度砖，所述梯度砖沿竖直方向开设有至少三个中心孔，所述中心孔的开口尺寸自上而下依次缩小；所述支撑装置上设置有坩埚，所述支撑装置带动所述坩埚进出所述炉膛，所述坩埚能够装载物料穿过所述中心孔。本实用新型将中心孔的开口尺寸自上而下依次缩小，以在炉膛内形成纵向温度梯度区域，提高物料在纵向温度梯度区域的结晶品质。
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公开(公告)号：CN218984139U
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202223430791.0
申请日：2022-12-21
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种磨床，包括：工作台包括基座和支架，支架设置在基座上方；第一角度调整装置设置在支架上，第一角度调整装置包括第一角度调整部件和第二角度调整部件；射线发生装置设置在第一角度调整部件上；射线接收装置设置在第二角度调整部件上；第二角度调整装置上设置有置物平台，第二角度调整装置设置在基座上；射线衍射峰检测装置，和所述射线接收装置连接；研磨机构，所述研磨机构设置在所述支架上。本申请设置有第一角度调整装置和第二角度调整装置，在装配射线发生装置和射线接收装置后，能够依照射线经置物平台的所测晶体表面反射衍射的结果，针对性进行角度调整，依靠第一角度调整装置和第二角度调整装置晶向面，提高定向精度。
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公开(公告)号：CN217378100U
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202220187433.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本实用新型属于晶体生长技术领域，公开了一种坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统。该坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统包括双层坩埚、抽真空装置、烘干装置和晶体生长炉；双层坩埚包括外层坩埚和内层坩埚，外层坩埚具有真空密封腔，内层坩埚置于真空密封腔中，内层坩埚用于盛放晶体生长原料；内层坩埚由惰性金属制成，外层坩埚由石英制成；抽真空装置用于对外层坩埚抽真空；烘干装置用于加热双层坩埚；晶体生长炉用于容置双层坩埚。该坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统不仅可以大大降低生产设备的成本，还能降低晶体生长过程中产生的应力，大大提高了生长的晶体的质量。
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公开(公告)号：CN216550814U
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202123150715.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本实用新型属于多元氧化物晶体原料熔炼技术领域，公开一种热熔铸锭炉，包括：热熔装置，热熔装置包括加热炉以及设置于加热炉内的加热件，加热炉的底部开设有炉口；翻转装置，设置于热熔装置的下方，翻转装置包括旋转动力件以及绕水平线转动连接于旋转动力件的输出端的承接座，承接座用于承载热熔坩埚以及带动热熔坩埚倾倒熔融状态的熔料；旋转动力件用于带动承接座在第一旋转位置和第二旋转位置之间运动，从而实现热熔坩埚承载和倾倒熔料；升降装置，设置于翻转装置的下方，用于支撑并带动热熔坩埚，使其脱离承接座，穿过炉口进入加热炉的内部，以及在加热完成后脱离加热炉回落到承接座内。本实用新型可以降低劳动强度，保证安全。
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