单晶生长设备
    1.
    发明公开
    单晶生长设备 审中-实审

    公开(公告)号:CN117626399A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311351937.9

    申请日:2023-10-18

    Abstract: 本申请公开了一种单晶生长设备,涉及晶体生长技术领域。单晶生长设备包括炉体、支撑组件、升降驱动机构、稳流板和冷却环。炉体形成炉腔,炉体的内侧设置有加热组件。支撑组件包括载物台与支撑轴,载物台位于炉腔内,用于放置坩埚。升降驱动机构用于驱动炉体和/或支撑组件,以使炉体相对于支撑组件升降。冷却环内部形成供冷媒流动的冷却通道,冷却环通过第一管路和第二管路与炉体的外部连通。通过冷却环能够有效地对炉腔内温度场进行控制,为晶体生长提供合适的温度梯度,保证晶体生长质量。由于设置了稳流板,减小了气体对流,有利于保证晶体质量,同时也使坩埚所在空间的温度所需要的功率降低。

    混料装置
    2.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220835245U

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202322388414.3

    申请日:2023-09-04

    Abstract: 本实用新型属于混料设备技术领域,公开混料装置,所述混料装置包括称重组件、料筒、加热器以及静电消除器;所述料筒绕水平线转动安装于所述称重组件,所述料筒上设有进出料口,所述进出料口设有料口开关,所述料口开关用于开启或者关闭所述进出料口;所述加热器安装于所述料筒,所述加热器用于加热所述料筒;所述静电消除器包括消除器本体和离子风嘴,所述消除器本体安装于所述称重组件,所述离子风嘴与所述消除器本体连通,所述离子风嘴用于伸入所述料筒的内部。本实用新型的混料装置能够使原料的水分蒸发,减少料筒内壁的粘料,保证能够适用于多元混合物。

    一种炉膛装置及晶体炉
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217479589U

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202221433212.5

    申请日:2022-06-09

    Abstract: 本实用新型属于晶体热熔生长设备技术领域,公开一种炉膛装置及晶体炉,晶体炉包括该炉膛装置,炉膛装置包括炉体和支撑装置,所述炉体内部形成有炉膛,所述炉膛内设置有加热件,所述炉膛内设置有梯度砖,所述梯度砖沿竖直方向开设有至少三个中心孔,所述中心孔的开口尺寸自上而下依次缩小;所述支撑装置上设置有坩埚,所述支撑装置带动所述坩埚进出所述炉膛,所述坩埚能够装载物料穿过所述中心孔。本实用新型将中心孔的开口尺寸自上而下依次缩小,以在炉膛内形成纵向温度梯度区域,提高物料在纵向温度梯度区域的结晶品质。

    混料桶及混料机
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221619310U

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202322456623.7

    申请日:2023-09-11

    Abstract: 本实用新型涉及混料机技术领域,提供了一种混料桶及混料机,包括第一物料桶、第二物料桶和调节组件。其中,第一物料桶用于装载物料;第二物料桶内设置有支撑平台,第一物料桶位于第二物料桶内且放置于支撑平台;调节组件安装于第二物料桶内,包括伸缩件和弹性件,伸缩件的端部能够靠近或远离支撑平台,第一物料桶能够被夹持于伸缩件和支撑平台之间,支撑平台与第一物料桶之间和/或伸缩件与第一物料桶之间设置有弹性件。第一物料桶和第二物料桶的可拆卸设置,使得混料桶的清洗及更换更加便捷,且调节组件能够针对第一物料桶适应性的调整,以将其固定于第二物料桶内并使其能够随第二物料桶翻转。

    一种籽晶杆夹持调节装置

    公开(公告)号:CN218756154U

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202223148509.X

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本实用新型公开了一种籽晶杆夹持调节装置,包括:第一法兰、第二法兰、调节件和夹持连接件;在第一法兰和第二法兰之间设置调节件,通过该调节件调节第一法兰和第二法兰的相对角度,第一法兰或第二法兰的一端安装夹持连接件,夹持连接件适于夹持固定籽晶杆,实现夹持调节一体化,以降低对籽晶杆精度要求,提高籽晶杆加工的效率,降低制造成本,此外该籽晶杆夹持调节装置还具有夹持力强,精度高,结构简单等优点,调节方便,可同时调节籽晶的中心位置及其倾斜角度,操作简单,结构稳定可靠。

    一种烘焊一体炉
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217357814U

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202123423741.5

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 本实用新型涉及封装技术领域,公开一种烘焊一体炉,包括:烘料装置、抽空装置、加热件和扭转装置;烘料装置包括烘料炉,烘料炉具有坩埚容置腔,作业时坩埚的抽气管从坩埚容置腔中伸出;抽空装置用于通过抽气管对坩埚进行抽真空处理;加热件用于加热软化抽气管;扭转装置,包括电机,电机用于带动坩埚旋转,并使抽气管在软化后受扭变形以密封坩埚。在此设置之下,可以边烘干边抽真空,并可以在烘干过程中翻动物料,也无须转动加热件即可保证对坩埚实施环形密封。

    晶体生长装置
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221028784U

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202322452475.1

    申请日:2023-09-11

    Abstract: 本实用新型属于晶体热熔生长技术领域,公开晶体生长装置,晶体生长装置包括热场部件、导热件、加热件以及支撑部件,所述热场部件的内部形成炉膛,所述炉膛用于通入氧化气体;导热件设置于所述热场部件的内部,所述导热件与所述热场部件之间形成惰性气体腔,所述惰性气体腔与所述炉膛互不连通;加热件设置于所述惰性气体腔,所述惰性气体腔用于通入惰性气体;所述支撑部件的一端伸入所述炉膛,晶体原料承载于所述支撑部件伸入所述炉膛的一端。本实用新型的晶体生长装置能够避免加热件被氧化,保证加热温度,提高产品的生长质量。

    一种晶体生长设备
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216712310U

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202220008450.5

    申请日:2022-01-05

    Abstract: 本实用新型涉及晶体制备领域,公开了一种晶体生长设备,包括坩埚和观察装置。在生长晶体时,需将熔体放置于模具内,再将模具放置于坩埚的底部,则熔体能够通过加热变成熔液,熔液可上升到模具的刃口。而观察装置包括观察件,观察件包括伸入坩埚内部的头部,头部为圆台结构,利用圆台结构的锥度可扩大观察视角,而且该圆台结构的中轴线与模具的刃口平齐,可更好的观察晶体的生长情况,避免误差。另外,圆台结构与模具的刃口在水平方向上的距离小于等于50mm,头部与熔体的温度较为接近,也可避免熔体挥发物遇冷凝结在头部,遮挡观察视角。因此,该晶体生产设备可保证使用者全程观察晶体的生长情况,调整晶体生长参数,有效提高晶体的成品率。

    一种坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统

    公开(公告)号:CN217378100U

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202220187433.2

    申请日:2022-01-24

    Abstract: 本实用新型属于晶体生长技术领域,公开了一种坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统。该坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统包括双层坩埚、抽真空装置、烘干装置和晶体生长炉;双层坩埚包括外层坩埚和内层坩埚,外层坩埚具有真空密封腔,内层坩埚置于真空密封腔中,内层坩埚用于盛放晶体生长原料;内层坩埚由惰性金属制成,外层坩埚由石英制成;抽真空装置用于对外层坩埚抽真空;烘干装置用于加热双层坩埚;晶体生长炉用于容置双层坩埚。该坩埚下降法生长非氟卤化物晶体的生产系统不仅可以大大降低生产设备的成本,还能降低晶体生长过程中产生的应力,大大提高了生长的晶体的质量。

    一种热熔铸锭炉
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216550814U

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202123150715.X

    申请日:2021-12-15

    Abstract: 本实用新型属于多元氧化物晶体原料熔炼技术领域,公开一种热熔铸锭炉,包括:热熔装置,热熔装置包括加热炉以及设置于加热炉内的加热件,加热炉的底部开设有炉口;翻转装置,设置于热熔装置的下方,翻转装置包括旋转动力件以及绕水平线转动连接于旋转动力件的输出端的承接座,承接座用于承载热熔坩埚以及带动热熔坩埚倾倒熔融状态的熔料;旋转动力件用于带动承接座在第一旋转位置和第二旋转位置之间运动,从而实现热熔坩埚承载和倾倒熔料;升降装置,设置于翻转装置的下方,用于支撑并带动热熔坩埚,使其脱离承接座,穿过炉口进入加热炉的内部,以及在加热完成后脱离加热炉回落到承接座内。本实用新型可以降低劳动强度,保证安全。

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