公开(公告)号：CN105143380A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480016641.4

申请日：2014-03-27

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  杉山二朗 ,  矢吹朗

IPC: C09J7/02 ,  C09J4/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种晶片加工用胶带，其具有适于利用扩张来截断胶粘剂层的工序的均匀扩张性和拾取性，并且刀片划片工序中的切削性和拾取性也优异。本发明使用如下的粘合带，其特征在于，在基材膜的一方的面上层叠粘合剂层，在比较从所述粘合剂层的所述基材膜侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱、和从所述粘合剂层的与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱时，匹配度为95％以下，从与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的粘合剂层含有在分子中具有放射线固化性碳－碳双键的化合物(A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物(B)。

公开(公告)号：CN104756235A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380054399.5

申请日：2013-10-15

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  矢吹朗 ,  玉川有理 ,  大田乡史 ,  阿久津晃 ,  松原侑弘

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J131/04 ,  C09J133/00

CPC classification number: C09J133/08 ,  C08K5/12 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J131/04 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2433/00

Abstract: 本发明提供一种切割胶带，其在切割工序后的拾取工序中，不会使薄型的半导体芯片产生芯片破裂，且可在短时间内效率良好地拾取。本发明的切割胶带(1)的粘合剂层，相对于选自丙烯酸聚合物、乙酸乙烯酯聚合物及具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物中的1种或2种以上的聚合物100质量份，含0.5～30质量份的邻苯二甲酸酯类，且剥离力在放射线固化前为0.5N/25mm以上，放射线固化后为0.05～0.4N/25mm，在将放射线固化后的在剥离速度50mm/min下的剥离力设为(i)、且将1000mm/min下的剥离力设为(ii)时，(ii)/(i)为1以下。

公开(公告)号：CN102337089B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201110188172.2

申请日：2011-07-06

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 三原尚明 ,  矢吹朗 ,  盛岛泰正

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  C08L23/08 ,  H01L21/683 ,  H01L21/58

Abstract: 本发明提供能够充分抑制拾取时半导体芯片彼此的再粘连的晶片加工用胶带以及使用该晶片加工用胶带的半导体加工方法。本发明的晶片加工用胶带为在作为由支持基材12a和粘合剂层12b构成的粘合带的切割带12的该粘合剂层12b上层积了含有具有环氧基的化合物的热固性接合剂层13的作为晶片加工用胶带的切割·芯片粘贴带10，该晶片加工用胶带的特征在于：支持基材12a由将乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成；共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量份分数为1％以上且不足10％，并且离聚物树脂中的(甲基)丙烯酸的中和度为50％以上。

公开(公告)号：CN103026467B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201180005938.7

申请日：2011-12-08

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 青山真沙美 ,  石渡伸一 ,  矢吹朗 ,  石黑邦彦 ,  铃木俊宏

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J133/20 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377

Abstract: 本发明涉及晶片加工用带，其为依序层积有支持基材、粘合剂层与单层的接合剂层的晶片加工用带，其中，所述接合剂层为用于将半导体元件与带配线的外部连接用配线部件或其他半导体元件压接的接合剂层，所述接合剂层的从粘合剂层剥离开的面和不与粘合剂层接触的面的表面自由能之差为10mJ/m2以下。

公开(公告)号：CN102714151A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005830.8

申请日：2011-03-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 矢吹朗 ,  矢野正三 ,  玉川有理

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J201/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/006 ,  H01L21/67132

Abstract: 本发明的课题在于提供一种半导体晶片加工用粘合片，该半导体晶片加工用粘合片即使是在晶片背面直接贴合有切割片的装置中，也能够在切割工序结束后容易地进行剥离，并且可显著减少污染物质的附着。本发明的半导体晶片加工用粘合片为由放射线透过性的基材树脂膜与该基材树脂膜上的粘合剂层形成的半导体晶片加工用粘合片，其中，该粘合剂层是由使用了下述放射线固化性树脂组合物(I)或放射线固化性树脂组合物(II)中的任意之一的层而构成的，所述放射线固化性树脂组合物(I)中，相对于以聚合物(a)为主成分的基础树脂100质量份，含有由凝胶渗透色谱法测定并以聚苯乙烯为标准物质进行换算的重均分子量小于1000的光聚合引发剂(b)0.1质量份～10质量份，该聚合物(a)中，对于主链的重复单元结合了具有(甲基)丙烯酸系单体部分的残基，所述(甲基)丙烯酸系单体部分具有包含放射线固化性碳-碳双键的基团；所述放射线固化性树脂组合物(II)中，相对于基础树脂100质量份，含有在分子内至少具有2个光聚合性碳-碳双键且重均分子量为10,000以下的化合物1质量份～300质量份、由凝胶渗透色谱法测定并以聚苯乙烯为标准物质进行换算的重均分子量小于1000的光聚合引发剂0.1质量份～10质量份。

公开(公告)号：CN104335329B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480001188.X

申请日：2014-03-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 大田乡史 ,  矢吹朗

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/245 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2427/006 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明的半导体晶片加工用胶带在基材片上具有粘合剂层，基材片的从下述状态起的应力松弛的时间变化中，0～5秒的反弹力的时间变化(A)为0.23N/s～0.28N/s，且与超过5秒至10秒为止的反弹力的时间变化(B)的比(B)/(A)为0.40～0.45，所述状态为在所述基材片的厚度方向以1mm/min压入前端形状R＝5.0±0.1mm(即R＝4.9～5.1mm)的压头、并保持来自该基材片的反弹力为50N的位移的状态。

公开(公告)号：CN105684131A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480057866.4

申请日：2014-03-03

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  大田乡史 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02

CPC classification number: C09J133/00 ,  C08L2203/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/122 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00

Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本发明的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probe tack test)的峰值为100～600kPa。

公开(公告)号：CN104272437B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480001126.9

申请日：2014-02-12

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J7/20 ,  C09J2203/326

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体加工用粘合胶带，其是具备在切割时仅能抑制芯片飞散的粘合力、在拾取(pick up)时的易剥离性的切割胶带，且在使用支撑部件的半导体元件的制造工序中，即使是粘合剂上沾有用来清洗将支撑部件贴合于半导体晶片时的粘接剂残渣的清洗液的情形之下，粘合剂也不会溶解而污染半导体元件。关于本发明的半导体加工用粘合胶带，其是在基材树脂膜的至少一个面上形成有放射线固化性粘合剂层的半导体加工用粘合胶带，其特征在于，所述粘合剂层在紫外线照射前相对于甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°。

公开(公告)号：CN104335329A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201480001188.X

申请日：2014-03-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 大田乡史 ,  矢吹朗

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/245 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2427/006 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明的半导体晶片加工用胶带在基材片上具有粘合剂层，基材片的从下述状态起的应力松弛的时间变化中，0～5秒的反弹力的时间变化(A)为0.23N/s～0.28N/s，且与超过5秒至10秒为止的反弹力的时间变化(B)的比(B)/(A)为0.40～0.45，所述状态为在所述基材片的厚度方向以1mm/min压入前端形状R＝5.0±0.1mm(即R＝4.9～5.1mm)的压头、并保持来自该基材片的反弹力为50N的位移的状态。

公开(公告)号：CN104272437A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201480001126.9

申请日：2014-02-12

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 玉川有理 ,  矢吹朗 ,  服部聪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J7/20 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/304 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体加工用粘合胶带，其是具备在切割时仅能抑制芯片飞散的粘合力、在拾取(pick up)时的易剥离性的切割胶带，且在使用支撑部件的半导体元件的制造工序中，即使是粘合剂上沾有用来清洗将支撑部件贴合于半导体晶片时的粘接剂残渣的清洗液的情形之下，粘合剂也不会溶解而污染半导体元件。关于本发明的半导体加工用粘合胶带，其是在基材树脂膜的至少一个面上形成有放射线固化性粘合剂层的半导体加工用粘合胶带，其特征在于，所述粘合剂层在紫外线照射前相对于甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°。