公开(公告)号：CN111108441B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201880061324.2

申请日：2018-09-19

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 田村护 ,  绪方裕斗 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 含有具有下述式(1)所表示的结构单元的树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物提供了耐溶剂性、光学参数、干蚀刻速度、和埋入性这些特性都优异的抗蚀剂下层膜。式(1)中，R1表示可以夹着羧基的C1～6烷基、可以具有羟基取代基的C1～6烷基或可以具有C1～4烷硫基取代基的噻二唑基，R2表示氢原子或下述式(2)所示基团，式(2)中，R1的含义与上述相同，＊表示键合部分。#imgabs0#

公开(公告)号：CN111095107B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201880059291.8

申请日：2018-09-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/28 ,  C09D163/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种高低差基板被覆组合物，是包含下述主剂和溶剂且能够通过光照射而固化的组合物、或能够通过在光照射过程中或者在光照射后在30℃～300℃下加热而固化的高低差基板被覆组合物，上述主剂包含下述化合物(A)、化合物(B)、或它们的混合物，化合物(A)为包含下述式(A‑1)或式(A‑2)的结构部分的化合物，化合物(B)为包含选自下述式(B‑1)～式(B‑5)所示的结构部分中的至少一个结构部分，或包含由式(B‑6)所示的结构部分与式(B‑7)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，或包含由式(B‑6)所示的结构部分与式(B‑8)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，该组合物的固体成分中上述主剂的含量为95质量％～100质量％。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116508132A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180079636.8

申请日：2021-11-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  新城彻也 ,  森谷俊介 ,  福田拓也 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种层叠体，具有：支承基板；半导体基板，在所述支承基板侧具有凸块；无机材料层，介于所述支承基板与所述半导体基板之间，且与所述半导体基板相接；以及粘接层，介于所述支承基板与所述无机材料层之间，且与所述支承基板和所述无机材料层相接，所述层叠体用于在所述层叠体中的所述半导体基板的加工后使所述支承基板与所述半导体基板分离的用途，所述支承基板与所述半导体基板分离时的、所述无机材料层与所述粘接层的粘接力小于所述无机材料层与所述半导体基板的粘接力。

公开(公告)号：CN109073978B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201780026762.0

申请日：2017-04-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 大桥智也 ,  绪方裕斗 ,  桥本雄人 ,  臼井友辉 ,  境田康志 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明的课题是提供对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。作为解决手段是一种对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：1分子中具有2个以上选自缩水甘油基、末端环氧基、环氧环戊基、环氧环己基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基、异氰酸酯基和封闭异氰酸酯基中的至少1种基团的交联剂，侧链或末端具有下述式(1)所示的基团且重均分子量为800以上的化合物，以及有机溶剂。(式中，X1表示与上述交联剂反应的取代基，R0表示直接结合或碳原子数1或2的亚烷基，X2表示碳原子数1或2的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或氟基，a表示0～2的整数，b表示1～3的整数，c表示0～4的整数，b与c满足1≤(b+c)≤5的关系式。)。

公开(公告)号：CN109313389B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201780021847.X

申请日：2017-03-29

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 臼井友辉 ,  岸冈高广 ,  境田康志 ,  绪方裕斗

IPC: G03F7/11 ,  C08K5/3445 ,  C08L63/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 提供抗蚀剂下层膜形成组合物以及使用该组合物的抗蚀剂下层膜和半导体装置的制造方法，在半导体装置制造的光刻工艺中，利用具有甘脲骨架的化合物添加剂增强防止形成在基板上的抗蚀剂图案的图案倒塌的功能。使用下面的式(1‑1)的抗蚀剂下层膜形成组合物用添加剂： (式(1‑1)中，R1～R4各自是由选自由有机基团组成的组中的至少一个基团取代氢原子后的C2～10烷基或C2～10烯基，所述有机基团包含羟基、硫醇基、羧基、C1～5烷氧基乙基、C1～5烷基磺酰基和酯键，能够全部相同也能够不同，R5和R6各自表示选自氢原子、C1～10烷基和苯基中的基团)。

公开(公告)号：CN110546569A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880027076.X

申请日：2018-04-27

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  桥本雄人 ,  田村护 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/18

Abstract: 本发明的课题是提供在曝光时作为防反射膜起作用，并且可以埋入狭窄空间和高长宽比的凹部，进一步相对于过氧化氢水溶液的耐性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、下述式(1a)或式(1b)所示的化合物、和溶剂，相对于上述树脂，含有0.01质量％～60质量％的上述式(1a)或式(1b)所示的化合物。(式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的整数0～5，n表示整数2～5。)

公开(公告)号：CN119998732A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380071127.X

申请日：2023-10-03

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 广原知忠 ,  绪方裕斗 ,  田村护

IPC: G03F7/11 ,  C08G65/40 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其为EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，且包含具有下述式(1)表示的结构的聚合物、和溶剂。(式(1)中，R1和R2各自独立地表示可被卤素原子取代的碳原子数为1～6的烷基、或卤素原子。m1和m2各自独立地表示0～4的整数。R1为2个以上时，2个以上的R1可以相同，也可以不同。R2为2个以上时，2个以上的R2可以相同，也可以不同。*表示键合位置。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN112166379B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN201980035022.2

申请日：2019-05-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/02 ,  C08G10/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物(A)、与碳原子数3～60的环式羰基化合物(B)所具有的羰基的反应生成物；以及溶剂，上述反应生成物中，上述环式羰基化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。

公开(公告)号：CN113906077B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202080033573.8

申请日：2020-05-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  广原知忠 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: C08G59/17 ,  C08G59/62 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(A)表示的化合物的一种或二种以上、下述式(B)表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；(式(A)中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数)；[式(B)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式(B‑1)～(B‑3)中的至少一种基；(式(B‑1)～(B‑3)中，*表示与邻接的氧原子的键结部位)]。#imgabs0#

公开(公告)号：CN117083694A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280024275.1

申请日：2022-02-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柳生雅文 ,  绪方裕斗 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种具有在半导体基板的加工后将半导体基板与支承基板分离时能够容易地剥离且能够抑制凸块变形的粘接层的层叠体等。一种层叠体，具备：带凸块的半导体基板；支承基板；保护用粘接层，以与所述带凸块的半导体基板相接的方式形成；以及剥离用粘接层，在所述保护用粘接层与所述支承基板之间形成，所述保护用粘接层由保护用粘接剂组合物形成，所述保护用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)，不含不发生固化反应的剥离剂成分(B)，所述剥离用粘接层由剥离用粘接剂组合物形成，所述剥离用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)和不发生固化反应的剥离剂成分(B)。