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    层叠体的剥离方法、层叠体以及层叠体的制造方法
    2.
    发明授权
    层叠体的剥离方法、层叠体以及层叠体的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN113169035B

    公开(公告)日：2024-11-01

    申请号：CN201980075273.3

    申请日：2019-11-14

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 泽田和宏 ,  森谷俊介 ,  新城彻也

    IPC: H01L21/02 ,  B32B27/00 ,  C09J5/00 ,  C09J5/04 ,  C09J5/06 ,  C09J183/04 ,  H01L21/304

    Abstract: 本发明涉及一种层叠体的剥离方法，其中，包括：第一工序，在将由半导体形成基板构成的第一基体(11)与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体(12)隔着设于所述第一基体侧的第一粘接层(13)和设于所述第二基体(12)侧的第二粘接层(14)进行接合而制成层叠体(10)时，将所述第一粘接层(13)设为使含有通过氢化硅烷化反应而固化的成分的粘接剂(A)固化而得到的粘接层，将所述第二粘接层(14)设为使用作为主链和侧链的至少一方具有芳香环的高分子系粘接剂的粘接剂(B)而得到的、使所述红外线激光透射的粘接层；以及第二工序，从所述层叠体的所述第二基体侧照射所述红外线激光，在所述第一粘接层与所述第二粘接层之间进行剥离。

    粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及经加工的基板的制造方法
    3.
    发明公开
    粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及经加工的基板的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118511251A

    公开(公告)日：2024-08-16

    申请号：CN202280087893.0

    申请日：2022-12-20

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 臼井友辉 ,  奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

    IPC: H01L21/02

    Abstract: 一种粘接剂组合物，其含有：反应产物(X)，为具有第一官能团的固体状的聚合物(x1)与在链末端具有能与所述第一官能团反应的第二官能团的液态且链状的化合物(x2)的反应产物(X)，具有所述第一官能团或所述第二官能团；以及液态的交联剂(Y)，具有所述第一官能团或所述第二官能团(其中，在所述反应产物(X)具有所述第一官能团的情况下，所述液态的交联剂(Y)具有所述第二官能团，在所述反应产物(X)具有所述第二官能团的情况下，所述液态的交联剂(Y)具有所述第一官能团)。

    热固性组合物
    5.
    发明公开
    热固性组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN117881749A

    公开(公告)日：2024-04-12

    申请号：CN202280058786.5

    申请日：2022-08-24

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 奥野贵久 ,  臼井友辉 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

    IPC: C08L83/07 ,  C08K5/3412 ,  C08K5/50 ,  C08L83/05

    Abstract: 一种热固性组合物，其含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的聚有机硅氧烷、具有Si－H基的聚有机硅氧烷、铂族金属系催化剂、以及交联抑制剂，所述交联抑制剂含有下述式(1)所示的化合物和下述式(2)所示的化合物中的至少任一种。(所述式(1)中，R1～R8表示氢原子、特定的基团等。)(所述式(2)中，R11～R13各自独立地表示任选地具有取代基的烃基。)#imgabs0#

    半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物
    6.
    发明公开
    半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物 有权

    公开(公告)号：CN116507683A

    公开(公告)日：2023-07-28

    申请号：CN202280007459.7

    申请日：2022-09-13

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 柳生雅文 ,  奥野贵久 ,  新城彻也

    IPC: C09D9/04

    Abstract: 本发明提供半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗方法的组合物，所述半导体基板的清洗方法能通过简便的操作从其表面具有使用例如硅氧烷系粘接剂得到的粘接层的半导体基板上在更短时间内且更干净地去除(清洗)该粘接层。一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，其包括使用剥离和溶解用组合物来剥离并溶解半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离和溶解用组合物包含：[I]成分：季铵盐、[II]成分：酰胺系溶剂、以及[III]成分：下述式(L)所示的溶剂。(式中，L1和L2各自独立地表示碳原子数2～5的烷基，L3表示O或S。)L1‑L3‑L2 (L)。

    层叠体以及剥离剂组合物
    8.
    发明公开
    层叠体以及剥离剂组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN115176331A

    公开(公告)日：2022-10-11

    申请号：CN202180015776.9

    申请日：2021-02-16

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 绪方裕斗 ,  新城彻也

    IPC: H01L21/02 ,  C09J183/04 ,  C09J201/00 ,  C09K3/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

    Abstract: 本发明涉及一种层叠体，其特征在于，具备：由半导体基板构成的第一基体、由透光性的支承基板构成的第二基体、以及在上述第一基体与上述第二基体之间的粘接层和剥离层，上述剥离层为由如下剥离剂组合物得到的膜，所述剥离剂组合物包含产酸剂和酸中的至少任一者、式(P)所示的多核酚衍生物以及交联剂。(式中，Ar表示亚芳基。)

    清洗剂组合物以及清洗方法
    9.
    发明公开
    清洗剂组合物以及清洗方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113454759A

    公开(公告)日：2021-09-28

    申请号：CN202080014683.X

    申请日：2020-02-14

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 荻野浩司 ,  新城彻也 ,  柄泽凉 ,  奥野贵久

    IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50

    Abstract: 本发明提供一种清洗剂组合物，其用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂，所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂，上述有机溶剂包含式(1)所示的芳香族化合物和式(2)所示的内酰胺化合物。(式中，s表示取代至苯环上的取代基R100的数量，为2或3，s个R100相互独立地表示碳原子数1～6的烷基，s个碳原子数1～6的烷基的合计碳原子数为3以上，R101表示碳原子数1～6的烷基，R102表示碳原子数1～6的亚烷基。)

    包含耐热性阻聚剂的含有聚硅氧烷的临时粘接剂
    10.
    发明公开
    包含耐热性阻聚剂的含有聚硅氧烷的临时粘接剂 审中-公开

    公开(公告)号：CN112074931A

    公开(公告)日：2020-12-11

    申请号：CN201980029351.6

    申请日：2019-04-23

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 泽田和宏 ,  森谷俊介 ,  新城彻也 ,  荻野浩司 ,  奥野贵久

    IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  B32B7/06 ,  B32B27/00 ,  C09J5/04 ,  C09J11/06 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07

    Abstract: 本发明的课题是提供在支持体与晶片之间不产生空隙的临时粘接剂。解决手段是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接而将晶片的背面进行加工的临时粘接剂，上述临时粘接剂包含能够通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、Tg‑DTA中的5％质量减少温度为80℃以上的阻聚剂(B)和溶剂(C)。成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，聚有机硅氧烷(a1)包含碳原子数1～10的烷基和碳原子数2～10的烯基，聚有机硅氧烷(a2)包含碳原子数1～10的烷基和氢原子。阻聚剂(B)为式(1)所示的化合物。在式(1)中，R7和R8二者都为碳原子数6～40的芳基，或者二者为碳原子数1～10的烷基与碳原子数6～40的芳基的组合。

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