公开(公告)号：CN118507421A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410586917.8

申请日：2018-10-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  新城彻也 ,  上林哲 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/683 ,  C09J161/06 ,  C09J183/04 ,  C09J183/07

Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。

公开(公告)号：CN115989142A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052586.4

申请日：2021-08-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  臼井友辉 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

IPC: B32B27/00

Abstract: 一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板；设为与上述半导体基板相接的剥离层；以及设于上述支承基板与上述剥离层之间的粘接层，上述剥离层是由包含主要由聚二甲基硅氧烷组成的聚有机硅氧烷成分的剥离剂组合物得到的膜，上述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.50×103Pa·s～0.75×103Pa·s，上述膜的厚度为0.01μm～4.90μm。

公开(公告)号：CN115335967A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180023489.2

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/24

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L0)～(L4)中的任一式所示的有机溶剂。(式中，L101～L112分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L101～L112中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基)。

公开(公告)号：CN110573588B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201880027934.0

申请日：2018-05-23

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 泽田和宏 ,  新城彻也 ,  荻野浩司 ,  上林哲 ,  森谷俊介

IPC: C09J183/06 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的课题是提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，在与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片背面的研磨后能够容易地剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂能够简单除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。解决手段是一种粘接剂，是用于在将支持体与晶片的电路面之间以能够剥离地的方式粘接并对晶片的背面进行加工的粘接剂，上述粘接剂包含成分(A)和成分(B)，上述成分(A)通过氢化硅烷化反应而固化，上述成分(B)包含环氧改性聚有机硅氧烷，成分(A)与成分(B)的比例以质量％计为99.995：0.005～30：70。成分(B)是环氧值为0.1～5的范围的环氧改性聚有机硅氧烷。一种叠层体的形成方法，其包含下述工序：在第一基体的表面涂布粘接剂而形成粘接层的第1工序；将第二基体与该粘接层接合的第2工序；从第一基体侧加热而使该粘接层固化的第3工序。

公开(公告)号：CN110870049A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880045131.8

申请日：2018-07-05

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 森谷俊介 ,  榎本智之 ,  新城彻也 ,  荻野浩司 ,  泽田和宏

IPC: H01L21/304 ,  C09J183/04 ,  C09J183/07 ,  C09J201/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，晶片背面的研磨后容易剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂容易除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。是用于在支持体与晶片的电路面之间能够剥离地粘接，并对晶片的背面进行加工的粘接剂，其特征在于，粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含含有苯基的聚有机硅氧烷的成分(B)，成分(A)与成分(B)以质量％计为95：5～30：70的比例。在第一基体上涂布该粘接剂而形成粘接层，然后将第二基体接合，从第一基体侧加热使粘接剂固化。如果结束该叠层体的加工，则在第一基体、第二基体与粘接层之间进行剥离。

公开(公告)号：CN111316401B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201880069448.5

申请日：2018-10-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  新城彻也 ,  上林哲 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/304 ,  B32B7/023 ,  B32B7/06 ,  B32B27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。

公开(公告)号：CN113166624B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN201980075287.5

申请日：2019-11-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 泽田和宏 ,  森谷俊介 ,  新城彻也 ,  福田拓也

IPC: C09J183/04 ,  B32B27/00 ,  C09J5/00 ,  C09J11/08 ,  C09J183/05

Abstract: 本发明涉及一种红外线剥离用粘接剂组合物，其能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。

公开(公告)号：CN110870049B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201880045131.8

申请日：2018-07-05

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 森谷俊介 ,  榎本智之 ,  新城彻也 ,  荻野浩司 ,  泽田和宏

IPC: H01L21/304 ,  C09J183/04 ,  C09J183/07 ,  C09J201/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，晶片背面的研磨后容易剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂容易除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。是用于在支持体与晶片的电路面之间能够剥离地粘接，并对晶片的背面进行加工的粘接剂，其特征在于，粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含含有苯基的聚有机硅氧烷的成分(B)，成分(A)与成分(B)以质量％计为95：5～30：70的比例。在第一基体上涂布该粘接剂而形成粘接层，然后将第二基体接合，从第一基体侧加热使粘接剂固化。如果结束该叠层体的加工，则在第一基体、第二基体与粘接层之间进行剥离。

公开(公告)号：CN115362246A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180026155.0

申请日：2021-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  森谷俊介 ,  绪方裕斗 ,  福田拓也 ,  新城彻也

IPC: C11D1/62 ,  C11D3/20 ,  C11D3/43 ,  H01L21/304

Abstract: 一种清洗剂组合物，其特征在于，用于去除粘接剂残留物，该清洗剂组合物包含季铵盐、金属腐蚀抑制剂以及有机溶剂，上述金属腐蚀抑制剂由碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物单羧酸、碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物二羧酸或其酸酐、碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物单羧酸、或碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物二羧酸或其酸酐构成。

公开(公告)号：CN115335970A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024051.6

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数1～6的烷基，L1的烷基的碳原子数与L2的烷基的碳原子数的合计为6以下。)