公开(公告)号：CN118339251A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280079414.0

申请日：2022-11-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 福田拓也 ,  新城彻也

IPC: C09J183/04 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  C09J183/14 ,  H01L21/02

Abstract: 一种粘接剂组合物，其含有具有酰胺键和聚有机硅氧烷结构的聚合物。

公开(公告)号：CN115335967A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180023489.2

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/24

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L0)～(L4)中的任一式所示的有机溶剂。(式中，L101～L112分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L101～L112中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基)。

公开(公告)号：CN113166624B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN201980075287.5

申请日：2019-11-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 泽田和宏 ,  森谷俊介 ,  新城彻也 ,  福田拓也

IPC: C09J183/04 ,  B32B27/00 ,  C09J5/00 ,  C09J11/08 ,  C09J183/05

Abstract: 本发明涉及一种红外线剥离用粘接剂组合物，其能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。

公开(公告)号：CN115362246A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180026155.0

申请日：2021-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  森谷俊介 ,  绪方裕斗 ,  福田拓也 ,  新城彻也

IPC: C11D1/62 ,  C11D3/20 ,  C11D3/43 ,  H01L21/304

Abstract: 一种清洗剂组合物，其特征在于，用于去除粘接剂残留物，该清洗剂组合物包含季铵盐、金属腐蚀抑制剂以及有机溶剂，上述金属腐蚀抑制剂由碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物单羧酸、碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物二羧酸或其酸酐、碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物单羧酸、或碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物二羧酸或其酸酐构成。

公开(公告)号：CN115335970A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024051.6

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数1～6的烷基，L1的烷基的碳原子数与L2的烷基的碳原子数的合计为6以下。)

公开(公告)号：CN115335969A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024022.X

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/50

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，其特征在于，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含选自分子量小于160的、脂肪族烃化合物、芳香族烃化合物、醚化合物、硫醚化合物、酯化合物以及胺化合物中的一种或两种以上，上述粘接层上的上述剥离用组合物的接触角小于31.5度。

公开(公告)号：CN115335971A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024052.0

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  新城彻也 ,  泽田和宏

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/24

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括：使用含有包含碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物的溶剂且不含盐的剥离用组合物，将半导体基板上的粘接层剥离的工序，使用直链状烃化合物作为上述碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物。

公开(公告)号：CN119631160A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380057101.X

申请日：2023-08-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 福田拓也 ,  新城彻也

IPC: H01L21/02 ,  C08K5/00 ,  C08L33/06 ,  C08L33/12 ,  C08L61/10

Abstract: 一种剥离剂组合物，其是光照射剥离用的剥离剂组合物，含有：酚醛清漆树脂、(甲基)丙烯酸酯系聚合物以及溶剂。

公开(公告)号：CN114867810B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202080089720.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  新城彻也 ,  荻野浩司 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久 ,  福田拓也 ,  柳井昌树

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/08 ,  C09J183/04 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其包含粘接剂成分(S)；以及剥离成分(H)，由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。

公开(公告)号：CN116508132A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180079636.8

申请日：2021-11-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  新城彻也 ,  森谷俊介 ,  福田拓也 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种层叠体，具有：支承基板；半导体基板，在所述支承基板侧具有凸块；无机材料层，介于所述支承基板与所述半导体基板之间，且与所述半导体基板相接；以及粘接层，介于所述支承基板与所述无机材料层之间，且与所述支承基板和所述无机材料层相接，所述层叠体用于在所述层叠体中的所述半导体基板的加工后使所述支承基板与所述半导体基板分离的用途，所述支承基板与所述半导体基板分离时的、所述无机材料层与所述粘接层的粘接力小于所述无机材料层与所述半导体基板的粘接力。