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公开(公告)号：CN112189261A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980035037.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 提供一种能够以短时间间隔取得与高分辨率的图像对应的摄像数据的摄像装置。摄像装置包括设置有光电转换元件和n个(n为2以上的整数)保持电路的像素。光电转换元件及n个保持电路互相层叠。光电转换元件的一个电极与第一至第n保持电路电连接。保持电路包括具有关态电流极低的特性的OS晶体管，可以长期间保持摄像数据。在第一至第n期间，摄像装置取得第一至第n摄像数据并将其保持在第一至第n保持电路中。然后，读出第一至第n保持电路所保持的第一至第n摄像数据。对被读出的摄像数据进行AD转换并将其输出到摄像装置的外部。
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公开(公告)号：CN102739236B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201210115117.5
申请日：2012-04-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/20 , G11C16/06 , G11C11/4063
CPC classification number: H03K19/17796 , G11C16/0433 , H01L27/11803 , H01L27/1203
Abstract: 本公开涉及可编程LSI。提供可以进行动态配置的低功率可编程LSI。该可编程LSI包括多个逻辑元件。这些多个逻辑元件每个包括配置存储器。这些多个逻辑元件的每个根据存储在配置存储器中的配置数据进行不同的运算处理并且改变这些逻辑元件之间的电连接。该配置存储器包括易失性存储电路和非易失性存储电路的设置。该非易失性存储电路包括：晶体管，其的沟道在氧化物半导体层中形成；和电容器，其一对电极中的一个电极电连接到当晶体管关断时被设置处于浮动状态的节点。
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公开(公告)号：CN103430299B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280014856.3
申请日：2012-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/822 , G06F15/78 , G11C14/00 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/786 , H03K3/356
CPC classification number: G11C11/4074 , G11C7/1006 , G11C11/407 , G11C2207/2227
Abstract: 提供一种包含具有新颖结构的非易失性存储电路的信号处理电路，该信号处理电路包括算术部、存储器以及用于控制算术部及存储器的控制部。控制部包含易失性存储电路及用以存储易失性存储电路中保持的数据的第一非易失性存储电路的组，存储器包含多个第二非易失性存储电路，并且第一非易失性存储电路及第二非易失性存储电路各包含其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管及电容器，该电容器的一对电极之一电连接到当晶体管关闭时处于浮动状态的节点。
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公开(公告)号：CN101548286A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780044965.9
申请日：2007-12-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/07 , H01L27/08 , H01L21/822 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H03D1/10 , H01L27/04 , H04B5/02
CPC classification number: G06K19/0723 , G06K19/0702 , G06K19/07786 , H04B5/0062
Abstract: 通过向能够无线通信的半导体装置提供解调信号生成电路以及通过解调信号生成电路获得具有相反极性的电压之间的差，产生解调信号。替换的，提供多个解调信号生成电路和选择电路，该选择电路根据所接收的信号的特性选择解调信号生成电路，其中在第一解调信号生成电路工作时第二解调信号生成电路的操作停止。该选择电路包括反相器电路、触发器电路、以及选择器电路。在第二解调信号生成电路具有比较器等等时，降低了其功耗。
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公开(公告)号：CN119908174A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380067086.7
申请日：2023-10-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , G11C14/00 , H10D84/03 , H10D84/83 , H10D84/80 , H10D84/00 , H10D30/67 , H10B53/30 , H10B99/00
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括触发器电路以及存储电路，存储电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器以及第二电容器，半导体装置还包括衬底、第一绝缘体以及第二绝缘体，第一绝缘体设置在衬底上，第二绝缘体设置在第一绝缘体上，第一绝缘体包括在垂直于衬底的面的方向上延伸设置的第一开口部及第二开口部，第二绝缘体包括在垂直于衬底的面的方向上延伸设置的第三开口部及第四开口部，触发器电路设置在衬底上，第一电容器及第二电容器各自的至少一部分都设置在第一开口部及第二开口部中，第一晶体管及第二晶体管各自的至少一部分都设置在第三开口部及第四开口部中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119586340A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380055078.0
申请日：2023-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , G11C5/04 , G11C11/405 , H10D30/01 , H10D84/03 , H10D84/80 , H10D84/83 , H10D30/67 , H10D30/68 , H10D30/69 , H10B10/10 , H10B41/70 , H10B63/00 , H10B63/10 , H10B99/00 , H10N70/00 , H10N99/00
Abstract: 提供一种存取速度快的半导体装置。半导体装置包括第一存储层、第二存储层以及电路层。第一存储层包括多个第一存储电路，第二存储层包括第二存储电路，电路层包括选择器。选择器包括多个输入端子及输出端子。第一存储层位于电路层的下方，第二存储层位于电路层的上方。多个第一存储电路都与多个输入端子电连接，第二存储电路与输出端子电连接。选择器具有使选自多个输入端子中的一个与选择器的输出端子间成为导通状态的功能。另外，半导体装置具有将从第二存储电路读出的数据通过选择器写入到第一存储电路的功能。
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公开(公告)号：CN112189261B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201980035037.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10F39/18 , H04N25/771 , H04N25/79
Abstract: 提供一种能够以短时间间隔取得与高分辨率的图像对应的摄像数据的摄像装置。摄像装置包括设置有光电转换元件和n个(n为2以上的整数)保持电路的像素。光电转换元件及n个保持电路互相层叠。光电转换元件的一个电极与第一至第n保持电路电连接。保持电路包括具有关态电流极低的特性的OS晶体管，可以长期间保持摄像数据。在第一至第n期间，摄像装置取得第一至第n摄像数据并将其保持在第一至第n保持电路中。然后，读出第一至第n保持电路所保持的第一至第n摄像数据。对被读出的摄像数据进行AD转换并将其输出到摄像装置的外部。
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公开(公告)号：CN118251715A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280074192.3
申请日：2022-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3275 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G5/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种减少图像数据传送量且保持高显示品质的显示装置。显示装置(DP)包括显示部(DIS)、发光部(SHB)及受光部(SJB)。显示部包括彼此重叠的第一显示区域(ALP)及第一电路区域。此外，第一显示区域包括多个第一显示像素，第一电路区域包括第一驱动电路(DRV)。第一驱动电路通过第一显示区域上延伸的多个第一布线电连接到多个第一显示像素。发光部具有发射第一光的功能，受光部具有检测由于将第一光照射到拍摄对象而反射的第二光的功能及根据第二光生成信息的功能。第一驱动电路具有根据该信息对多个第一布线分别发送多个图像信号或者对多个第一布线中连续相邻的两个以上的布线发送同一图像信号的功能。
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公开(公告)号：CN117678345A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280049793.9
申请日：2022-07-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/12 , H10K59/121 , H01L29/786 , G09G3/3233
Abstract: 提供一种制造成品率高的半导体装置。一种包括多个子像素的半导体装置。子像素包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容元件至第三电容元件、第一绝缘层及布线。第一电容元件至第三电容元件分别包括第一导电层、第二导电层及第一导电层与第二导电层夹持的第二绝缘层。第一绝缘层设置在第一晶体管及第二晶体管上。第一电容元件至第三电容元件的第一导电层及布线都设置在第一绝缘层上。在俯视时，相对于子像素的面积的第一电容元件至第三电容元件的第一导电层及布线的总面积的比率为百分之15以上。第二电容元件的第一导电层的面积及第三电容元件的第一导电层的面积都为第一电容元件的第一导电层的面积的2倍以上。
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公开(公告)号：CN116235379A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180063261.6
申请日：2021-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H02H7/18
Abstract: 提供一种二次电池的保护电路、控制电路等。提供一种功耗低的电路。提供一种集成度高的电路。控制电路包括第一电阻电路、第二电阻电路、比较器及存储电路。第一电阻电路的一个端子与二次电池的正极电连接，第一电阻电路的另一个端子与比较器的第一输入端子及第二电阻电路的一个端子电连接，存储电路具有保持第一数据的功能，控制电路具有使用第一数据生成第一信号及第二信号的功能、通过将第一信号供应到第一电阻电路来调整第一电阻电路的电阻的功能、通过将第二信号供应到第二电阻电路来调整第二电阻电路的电阻的功能以及根据比较器的输出停止二次电池的充电及放电中的一个的功能，存储电路包括作为介电层使用铁电层的电容器。
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