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公开(公告)号：CN119325278A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410810371.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体器件和显示装置。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体器件的可靠性。半导体器件包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的栅极布线；和所述栅极布线之上的第二绝缘层，所述氧化物半导体层具有朝向第一方向排列的第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域与所述栅极绝缘层及所述栅极布线重叠，所述第三区域与所述第二绝缘层相接，从所述第二区域的上表面到所述第二绝缘层的上表面为止的距离比从所述第三区域的上表面到所述第二绝缘层的上表面为止的距离长。
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公开(公告)号：CN119137750A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380038114.2
申请日：2023-04-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供半导体装置(10)，其包括绝缘表面之上的包含铝的氧化金属层(130)及氧化金属层之上的氧化物半导体层(140)，氧化物半导体层包括：与氧化金属层相接的第一结晶区域(144)；和与第一结晶区域相接且在氧化物半导体层的剖视观察下具有比第一结晶区域大的面积的第二结晶区域(145)，第一结晶区域与第二结晶区域的晶体结构及晶体取向中的至少一者不同。也可以是，氧化物半导体层包含包括铟在内的两种以上的金属，在氧化物半导体层中，铟相对于两种以上的金属的比率为50％以上。
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公开(公告)号：CN118943145A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410503778.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131
Abstract: 本发明涉及半导体装置。课题在于实现具有高迁移率的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；前述栅电极之上的栅极绝缘层；前述栅极绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；从前述氧化物半导体层之上与前述氧化物半导体层相接的源电极及漏电极；和前述源电极及前述漏电极之上的绝缘层。在将供给至前述栅电极的电压设为Vg、将前述半导体装置的阈值电压设为Vth、将由前述栅电极和前述氧化物半导体层夹持的前述栅极绝缘层的静电电容设为Cox的情况下，前述半导体装置的线性迁移率在(Vg‑Vth)×Cox＝5×10‑7C/cm2时大于20cm2/Vs。
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公开(公告)号：CN118872076A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380028097.4
申请日：2023-03-14
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H05B33/02 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 半导体装置的制造方法中，在绝缘表面上形成以铝为主成分的氧化金属层，对氧化金属层的表面实施平坦化处理，在进行了平坦化处理的表面之上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层之上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层之上形成与氧化物半导体层对置的栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118872074A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380025339.4
申请日：2023-02-20
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 氧化物半导体膜是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含铟(In)元素和选自由铝(Al)元素、镓(Ga)元素、钇(Y)元素、钪(Sc)元素及镧系元素组成的组中的第一金属(M1)元素，氧化物半导体膜包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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公开(公告)号：CN118661268A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380020878.9
申请日：2023-03-13
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H10K50/00
Abstract: 半导体装置，其包含：基板；基板之上的绝缘层；绝缘层之上的氧化金属层；和氧化金属层之上的氧化物半导体层，绝缘层包含：与氧化金属层重叠的第1区域；和与氧化金属层不重叠的第2区域，其中，第1区域的氢浓度大于第2区域的氢浓度，第1区域的氮浓度大于第2区域的氮浓度。第1区域的氮浓度随着从基板朝向氧化金属层而变大。
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公开(公告)号：CN118553770A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410201026.6
申请日：2024-02-23
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置。课题在于抑制应力试验前后的半导体装置的电气特性变化。半导体装置包含第1栅电极、所述第1栅电极之上的第1绝缘层、所述第1绝缘层之上的氧化物半导体层、所述氧化物半导体层之上的第2绝缘层和所述第2绝缘层之上的第2栅电极。所述第1绝缘层包含含有硅及氮的第1层、含有硅及氧的第2层以及含有铝及氧的第3层。所述第1层的厚度为10nm以上190nm以下。所述第2层的厚度为10nm以上100nm以下。所述第1层及所述第2层的合计厚度为200nm以下。所述第3层的厚度为1nm以上10nm以下。
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公开(公告)号：CN118398661A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410049356.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及半导体器件。本发明能够不降低半导体器件的电气特性而增大工艺余量。半导体器件包含：氧化物半导体层，其包含多晶构造；栅电极，其与所述氧化物半导体层相对；所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层；第1透明导电层，其与所述氧化物半导体层连接；和第2透明导电层，其设置在与所述第1透明导电层的同一层、并与所述第1透明导电层分离，所述第1透明导电层的结晶性与所述第2透明导电层的结晶性不同。
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公开(公告)号：CN106469757B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201610570990.1
申请日：2016-07-19
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。半导体装置具有：氧化物半导体层、与氧化物半导体层对置的栅电极、氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层、氧化物半导体层的下层的第1屏障层、在氧化物半导体层的上层包围氧化物半导体层的上方及侧方且在氧化物半导体层的周围与第1屏障层相接的第2屏障层、配置在氧化物半导体层和第1屏障层之间的第1氧化层、配置在氧化物半导体层和第2屏障层之间的第2氧化层。
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