研磨方法和研磨装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102601719A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210021163.9

    申请日:2012-01-18

    CPC classification number: B24B37/015 B24B37/10

    Abstract: 本发明提供一种研磨方法和研磨装置,所述研磨方法能够以足够的研磨速率对衬底的表面(待研磨面)进行研磨,并且能够得到所希望的研磨轮廓,而且能够防止未研磨部在研磨后残留在衬底的表面。所述研磨方法一边通过向研磨垫喷射气体以控制所述研磨垫的温度一边通过所述研磨垫对待研磨面进行研磨。所述研磨方法包括:一边对所述气体的流量或喷射方向进行PID控制一边在研磨期间监视所述待研磨衬底的研磨状态;并且当达到所述被研磨膜的预定膜厚时,改变所述研磨垫的控制温度。

    CMP研磨方法及装置、半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN100472728C

    公开(公告)日:2009-03-25

    申请号:CN200580046833.0

    申请日:2005-12-21

    Abstract: 本发明提供一种CMP研磨方法,可对采用疏水化了的多孔质物质作为在基板上形成的半导体集成电路的层间绝缘膜材料的东西,在用含有界面活性剂的清洗液清洗去除残留在基板表面上的料浆和研磨残留物后,有效地去除渗入到层间绝缘膜中的有机物质。如果用含有界面活性剂的清洗液清洗,来去除残留的料浆和研磨残留物,含有界面活性剂的清洗液中的有机物就会渗入到层间绝缘膜(3)中。因此,之后用有机溶剂或含有有机溶剂的溶液清洗基板,进行渗入到层间绝缘膜(3)中的有机物的清洗去除。层间绝缘膜(3)虽然进行了疏水化处理,但是因为是有机溶剂,所以不受它的影响,可渗入到层间绝缘膜(3)中,将有机物溶解、清洗去除。

    研磨装置及研磨方法
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115302398A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202210427039.6

    申请日:2022-04-22

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置及研磨方法,可不使基板产生划痕等缺陷及污染而以所需的研磨性能研磨基板。研磨装置包括:研磨台,用于支撑研磨垫;研磨头,将基板按压于研磨垫的研磨面而研磨基板;垫温度测定器,测定研磨面的温度;垫温度调整装置,调整研磨面的温度;以及控制装置,基于由垫温度测定器所测定的研磨面的温度来控制垫温度调整装置的动作。垫温度调整装置包含:垫加热机,从研磨面朝上方远离地配置,所述垫加热机具有:长条部,沿研磨垫的大致半径方向延伸;以及狭缝形状的喷射口,沿着所述长条部的长边方向形成,用于向研磨面喷射加热流体。

    研磨装置、处理系统和研磨方法

    公开(公告)号:CN113352229A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110253439.5

    申请日:2021-03-05

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置、处理系统和研磨方法,该研磨装置包含:研磨台,该研磨台用于支承研磨垫;研磨头,该研磨头用于保持基板;以及研磨液供给装置,该研磨液供给装置用于向研磨垫与基板之间供给研磨液,研磨装置通过在研磨液的存在下使研磨垫与基板接触并相互旋转运动,从而进行基板的研磨,研磨液供给装置具有多个研磨液供给口,该多个研磨液供给口在相对于基板配置在研磨垫的旋转上游侧的状态下,在与研磨垫的旋转方向交叉的方向上排列,研磨液供给装置以从多个研磨液供给口供给的研磨液成为规定的流量分布的方式供给研磨液。

    研磨装置
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110076683B

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201910120242.7

    申请日:2014-08-26

    Abstract: 本发明提供一种通过调整研磨垫的表面温度可使研磨率提高,并且也可控制研磨的基板的研磨轮廓的研磨方法及研磨装置。将基板按压在研磨台上的研磨垫上来研磨基板的研磨方法具备:研磨垫(3)的表面温度调整工序,其是调整研磨垫(3)的表面温度的工序;及研磨工序,其是在调整后的表面温度下将基板按压在研磨垫(3)上来研磨基板;研磨垫(3)的表面温度调整工序,为调整基板接触的研磨垫(3)的一部分区域的表面温度,以使在研磨工序中,在研磨垫(3)的表面的径向上的温度轮廓的温度变化率在研磨垫径向保持一定。

    研磨方法及研磨垫的温度调整区域的决定方法

    公开(公告)号:CN104416451B

    公开(公告)日:2019-03-22

    申请号:CN201410424687.1

    申请日:2014-08-26

    Abstract: 本发明提供一种通过调整研磨垫的表面温度可使研磨率提高,并且也可控制研磨的基板的研磨轮廓的研磨方法及研磨装置。将基板按压在研磨台上的研磨垫上来研磨基板的研磨方法具备:研磨垫(3)的表面温度调整工序,其是调整研磨垫(3)的表面温度的工序;及研磨工序,其是在调整后的表面温度下将基板按压在研磨垫(3)上来研磨基板;研磨垫(3)的表面温度调整工序,为调整基板接触的研磨垫(3)的一部分区域的表面温度,以使在研磨工序中,在研磨垫(3)的表面的径向上的温度轮廓的温度变化率在研磨垫径向保持一定。

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