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公开(公告)号：CN106863108A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611023375.5
申请日：2016-11-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种尽管测定位置不同也能够获得稳定的膜厚的研磨方法。在本发明的方法中，使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，将晶片(W)的表面按压于研磨垫(2)，在研磨台(3)最近的规定次数旋转的期间内取得来自设置于研磨台(3)的膜厚传感器(7)的多个膜厚信号，根据多个膜厚信号决定多个测定膜厚，基于多个测定膜厚决定在晶片(W)的表面形成的凸部的最顶部的推定膜厚，基于凸部的最顶部的推定膜厚对晶片(W)的研磨进行监视。
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公开(公告)号：CN102398210B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110324900.8
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B37/34 , B24B53/017
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/107 , B24B49/16 , B24B49/18
Abstract: 研磨装置，具有：使研磨工作台旋转的工作台旋转电动机；使顶环旋转的顶环旋转电动机；对研磨垫进行修整的修整器；测量研磨垫的高度的垫高测量器；和诊断部，根据研磨垫的高度计算研磨垫的损耗量，并根据研磨垫的损耗量、工作台旋转电动机的转矩或电流、和顶环旋转电动机的转矩或电流，确定研磨垫(22)的寿命。
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公开(公告)号：CN112692717B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202011061881.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明是基板研磨装置、膜厚映射制作方法及基板的研磨方法。使研磨处理中的膜厚测定高效化。基板研磨装置具备：研磨台，该研磨台构成为能够旋转，且设置有输出与膜厚相关的信号的传感器；研磨头，该研磨头与所述研磨台相对并构成为能够旋转，且能够在与所述研磨台相对的面安装基板；以及控制部，在所述传感器通过所述基板的被研磨面上时，所述控制部从所述传感器取得信号，基于所述信号的分布曲线来确定所述传感器相对于所述基板的轨道，基于所述信号来计算所述轨道上的各点处的所述基板的膜厚，基于针对所述传感器的多个轨道而计算出的各点的膜厚来制作膜厚映射。
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公开(公告)号：CN112171503B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010624838.3
申请日：2020-07-02
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种涡电流传感器和研磨装置，该涡电流传感器比公知技术改善了在晶片的边缘区域检测膜厚精度。用于测定形成于基板的导电性膜的膜厚的涡电流传感器具有：作为磁性体的磁芯(136)，其具有：基部(120)，及分别在基部(120)的第一方向(122)的两端部(186)设于基部(120)的外脚(134)；励磁线圈，其配置于磁芯(136)，用于在导电性膜中形成涡电流；及检测线圈，其配置于磁芯(136)，用于检测形成于导电性膜中的涡电流。基部(120)在第一方向(122)的长度，大于基部(120)在与第一方向(122)实质地正交的第二方向(148)的长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117501414A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280042683.X
申请日：2022-05-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置具备：在基板的研磨中和/或清洗中和/或干燥中对对象的物理量进行检测的至少一个传感器；对于已学习的机器学习模型，将由所述传感器检测到的研磨中和/或清洗中和/或干燥中的传感器值按照每个处理步骤转换为特征量的转换部；以及通过将包含所述特征量的对象数据输入已学习的机器学习模型而输出对象的基板中的缺陷的数量、缺陷的尺寸、缺陷的位置中的至少一个的预测值的推论部，所述已学习的机器学习模型使用学习数据组进行学习，该学习数据组的输入数据包含将在对象的生产线或与该对象的生产线同种的生产线中由传感器检测到的研磨中和/或清洗中的传感器值按照每个处理步骤转换而得到的特征量，且该学习数据组的输出数据是基板中的缺陷的数量、缺陷的尺寸、缺陷的位置中的至少一个。
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公开(公告)号：CN113442054A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110313239.4
申请日：2021-03-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种可精密控制从固定环等固定部件施加于研磨垫的力的研磨头系统、研磨装置及处理系统。研磨头系统具备：研磨头(7)，其具有：对工件(W)施加按压力的致动器(47)、排列于致动器(47)外侧的固定部件(66)、及连结于固定部件(66)的多个压电元件(72)；及驱动电压施加装置(50)，其对多个压电元件(72)独立地施加电压。
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公开(公告)号：CN113134785A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110042947.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种能够精密控制晶片、基板、面板等工件的膜厚轮廓的研磨头系统。研磨头系统具备：具有将多个按压力施加于工件(W)的多个压电元件(47)的研磨头(7)；及决定应施加于多个压电元件(47)的电压的多个指令值的动作控制部(10)。
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公开(公告)号：CN110030918A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811599497.8
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G01B7/06 , B24B37/013 , B24B49/10
Abstract: 提供一种使形成于被研磨物的磁场更强的磁性元件以及使用该磁性元件的涡电流式传感器。涡电流式传感器具有：作为磁性体的底面部、设于底面部的中央的磁心部、设于底面部的周边部的周壁部。涡电流式传感器另外还具有配置在磁心部的外周，能够产生磁场的励磁线圈；配置于周壁部的外周，能够产生磁场的励磁线圈。
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公开(公告)号：CN108695205A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810286570.X
申请日：2018-03-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67219 , B24B37/046 , H01L21/67075 , H01L21/67023 , H01L21/67028 , H01L21/677
Abstract: 提供一种能够尽可能不产生催化剂的机械劣化的基板处理装置以及包括基板处理装置的基板处理系统。提供一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使催化剂与基板靠近或接触，从而对基板的被处理区域进行蚀刻，该基板处理装置具有：用于保持基板的基板保持部；以及用于保持催化剂的催化剂保持部，所述催化剂保持部具有：高刚性的基部板；与所述基部板相邻配置的压电元件；与所述压电元件相邻配置的高刚性的催化剂保持基部；以及保持于所述催化剂保持基部的催化剂、所述基板处理装置还具有用于控制向所述压电元件施加的驱动电压的控制装置。
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