公开(公告)号：KR100148231B1

公开(公告)日：1998-11-02

申请号：KR1019940037887

申请日：1994-12-28

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  신장규 ,  류인식

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 미세구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형 실리콘기판(1)을 세척하여 실리콘산화막(2)을 성장시킨 후 뒷면의 실리콘산화막을 제거하는 단계와; n
+ 확산층이 형성될 부분의 실리콘산화막(2)을 제거하고 인(phosphorus)을 확산시켜 n
+ 확산층(3)을 형성하는 단계와; 정전류원으로 양극반응시켜 상기 n
+ 확산층(3)을 다공질 실리콘층(4)으로 만들고 실리콘산화막(2)을 제거하는 단계와; 상기 다공질 실리콘층(4)위에 ZnO 또는 Ni-Cr/Au를 스퍼터링하여 박막(5)을 증착하는 단계와; 증착된 박막(5)을 사진식각법으로 패터닝하는 단계와; 노출된 다공질 실리콘층(4)을 선택적으로 식각하여 동공(6; cavity)을 형성하는 단계로 이루어져 소자가 들어갈 부분만 선택적으로 양극 반응시키고 그 위에 박막을 증착한 후 미세구조부를 형성하여 다공질 실리콘층만을 식각함으로써 원하는 부위에 임의형상의 공간을 정확하게 제어하여 다양한 형태로 특정크기의 미세구조를 제조할 수 있고, 여러가지 기능성 박막으로 미세구조를 만들어 낼 수 있을 뿐만 아니라 다른 집적회로 소자의 제조에 영향을 주지 않고 완전히 독립적으로 미세구조물을 제조할 수 있는 다공질 실리콘상의 박막(Film on Porous Silicon)을 이용한 마이크로머시닝 방법이다.

公开(公告)号：KR1019970007108B1

公开(公告)日：1997-05-02

申请号：KR1019930023136

申请日：1993-11-02

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0136 ,  Y10S438/96

Abstract: A method of fabricating a fine structured silicon stopper using double diffusion includes an oxidation step of growing an oxide layer 2 on an n-type substrate 1, a first diffusion step of forming a window in the oxide layer and forming two separate first n+ diffusion regions 3 through the first selective diffusion according to impurity implantation, a second diffusion step of removing the oxide layer, defining the region between the two first diffusion regions with an oxide layer 2" and performing the second selective diffusion to form a second n+ diffusion region 4 for a stopper, having a depth of 0.5-5 m, an epitaxial layer growing step of removing the oxide layer 2" and growing an n-type epitaxial layer 5 on the overall surface of the substrate, an anode reaction step of selectively etching the n-type epitaxial layer, leaving only a bridge-type fine structure, to expose the n+ diffusion region and carrying out anode reaction to make the first and second n+ diffusion regions 3 and 4 into a porous silicon layer 6, and an etching step of etching the porous silicon layer using an etchant to form the fine structure.

Abstract translation: 使用双扩散制造精细结构硅塞的方法包括在n型基板1上生长氧化物层2的氧化步骤，在氧化物层中形成窗口并形成两个单独的第一n +扩散区域的第一扩散步骤 3，通过根据杂质注入的第一选择性扩散，第二扩散步骤，去除氧化物层，在氧化物层2“之间限定两个第一扩散区域之间的区域，并执行第二选择扩散以形成第二n +扩散区域4 对于深度为0.5-5μm的塞子，除去氧化物层2的外延层生长步骤和在基板的整个表面上生长n型外延层5的阳极反应步骤，选择性地蚀刻 n型外延层，仅留下桥型精细结构，露出n +扩散区域并进行阳极反应，以使第一和第二n +扩散区域3和4 进入多孔硅层6，以及使用蚀刻剂蚀刻多孔硅层以形成精细结构的蚀刻步骤。

公开(公告)号：KR1019970013099A

公开(公告)日：1997-03-29

申请号：KR1019950024136

申请日：1995-08-04

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현

IPC: H01L21/316

Abstract: 본 발명은 실리콘기판상에 산화막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, n형실리콘기판에 선택적으로 n+불순물을 확산시켜 상기 n형 시릴콘기판의 상면부분에 n+확산영역을 형성하는 단계와 ; 양극반응을 수행하여 상기 n+확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계 및 ; 상기 다공질실리콘층을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계로 이루어져 종래 여타 산화막 형성방법에 배해 값비싸고 간편한 방법으로 짧은 시간에 두꺼운 산화막을 선택적으로 성장시킬 수 있는 기판상에 두꺼운 산화막을 선택적으로 형성하는 방법이다.

公开(公告)号：KR1019950020963A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019940032959

申请日：1994-12-06

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: H01L29/84

Abstract: 본 발명의 다공질실리콘을 이용한 실리콘 다이아프램의 제조방법은 n형 실리콘기판을 제조하는 단계와; 상기 실리콘 기판에 n
+ 불순물을 확산시켜 상기 기판의 상면의 소정의 부분에 n
+ 확산영역을 형성하는 단계와; n형 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 단계와; 상기 n형 실리콘 에피택셜층에 통공(through-hole)을 형성하여 상기 n
+ 확산영역중 소정부분을 노출시키는 단계와; 불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n
+ 확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계와; 상기 다공질실리콘층을 에칭하여 에어-갭을 형성하는 단계 및 상기 통공을 밀봉하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100155141B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019940032959

申请日：1994-12-06

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: H01L29/84

Abstract: 본 발명의 다공질실리콘을 이용한 실리콘 다이아프램의 제조방법은 N형 실리콘기판을 제조하는 단계와: 상기 실리콘 기판에 n
+ 불순물을 확산시켜 상기 기판의 소정의 부분에 n
+ 확산영역을 형성하는 단계와: n
+ 형 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 단계와: 상기 n
+ 형 실리콘 에피택셜층에 통공(through-hole)을 형성하여 상기 n
+ 확산영역중 소정부분을 노출시키는 단계와: 불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n
+ 확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계와: 상기 다공질실리콘층을 에칭하여 에어-갭을 형성하는 단계 및 상기 통공을 밀봉하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019970063514A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960004670

申请日：1996-02-26

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  심준환

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 미세구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형실리콘기판(1)을 세척하여 실리콘 산화막(2) (2')를 성장시키고 실리콘 산화막(2)을 선택적으로 식각하여 n
+ 확산창(3)을 열고 P
0 Cl
3 를 주입확산시켜 n
+ 확산영역(4)을 형성한 다음 실리콘 산화막(2)을 제거하고 n형실리콘에 피택셜층(5)을 성장시키는 단계와; 상기 n형실리콘에피택셜층(5)에 신호처리회로 및 변환소자부(6)를 형성한 후 버퍼산화막(7)과 질화막(8)을 순차 증착하고 소자의 접촉부를 정의하고 난 다음 Au/Ni-Cr막(9)을 증착하여 금속패턴을 정의하는 금속화 공정 단계와; 금속화공정이 끝난 기판위에 폴리이미드(10)를 도포하고 폴리이미드(10)를 부분적으로 선택식각하여 패턴을 정의하고 난 후 습식식각 또는 건식식각법으로 상기 n형실리콘에피택셜층 (5)을 식각하여 n
+ 확산영역(4)을 노출시키는 단계와; 고농도 HF 용액에서 정전류 또는 정전압원으로 양극반응시켜 상기 n
+ 확산영역(4)을 다공질실리콘층(11)으로 만들고, 다공질실리콘층(11)을 NaOH용액에서 식각하여 동공(12;cavity)를 형성 하고 상기 폴리이미드(10)를 제거하는 단계로 이루어져 고온의 열처리를 필요로하지 않으며, HF용액 속에서 양극반응시 화학적 및 전기적 절연특성이 우수한 폴리이미드 마스킹을 이용함으로써 신호처리회로 및 변환 소자부를 보호할 수 있을 뿐만아니라 정교한 미세구조물을 용이하게 제조할 수 있는 폴리이미드 마스킹을 이용한 다공질실리콘 마이크로머시닝 방법.

公开(公告)号：KR1019970062697A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960004672

申请日：1996-02-26

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현

IPC: G01P15/00 ,  G01P15/12

Abstract: 본 발명은 가속도센서에 관한 것으로서, 압저항들과 고정저항들 및 가산기로 이루어진 제1~4브릿지회로부(1~4)를 각각 구성하고, 제1~4브릿지회로부(1~4)의 출력단을 서로 연결하여 가산회로(5)에다 연결한 구성으로 기존 가속도센서의 설계 및 제조공정의 변경없이 가산회로를 구비하여 브릿지회로에서 나오는 응답을 가산회로로 합함으로서 각 브릿지에서 나오는 타축감도를 상쇄시키고, 브릿지 수에 따른 강도의 감소를 보상해 주게되므로 가속도센서의 감도특성이 우수하고 정확한 감지효과를 얻을 수 있는 자기감도상쇄용 가산회로를 구비한 가속도센서이다.

公开(公告)号：KR100118637B1

公开(公告)日：1997-07-22

申请号：KR1019930029497

申请日：1993-12-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: H01L21/20

公开(公告)号：KR100118636B1

公开(公告)日：1997-07-22

申请号：KR1019930029501

申请日：1993-12-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현 ,  조찬섭

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1019970008893B1

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019930029500

申请日：1993-12-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: H01L29/84

Abstract: A method is described that electrically plates only desired parts in order to fabricate vibration mass. A Ni film is deposited on a silicon substrate 1 and then a Ni pattern 2 is defined by photo-resist. A Ni silicide 3 is formed by annealing using RTP method and then a mass paddle region is defined by photo-resist 4 of spin-on type prior to a hard bake. A film photo-resist 5 and 6 are formed on the photo-resist 4 in order to define a mass paddle region. Thereafter, a Ni oxide layer on the Ni silicide 3 is removed by such as NH4OH and then vibration mass 7 is formed by Ni electro plating and thus the film photo-resist 5 and 6 and photo-resist 4 are removed. The Ni silicide 3 can be NiSi layer or NiSi2 layer. Thereby, it is possible to fabricate several types of sensors having mass different from each other over one chip.

Abstract translation: 描述了为了制造振动质量而只电镀所需部件的方法。 在硅衬底1上沉积Ni膜，然后通过光刻胶定义Ni图案2。 通过使用RTP方法退火形成Ni硅化物3，然后在硬烘烤之前通过旋涂型的光致抗蚀剂4限定质量桨区。 在光致抗蚀剂4上形成膜光致抗蚀剂5和6，以限定质量桨区。 此后，通过NH 4 OH除去Ni硅化物3上的Ni氧化物层，然后通过Ni电镀形成振动块7，从而除去膜光致抗蚀剂5和6以及光致抗蚀剂4。 Ni硅化物3可以是NiSi层或NiSi2层。 因此，可以通过一个芯片制造彼此质量不同的几种类型的传感器。